-
41 Enhancement-MIS-Transistor
сущ.микроэл. МДП-транзистор с индуцированным каналом, МДП-транзистор с обогащением канала, МДП-транзистор, работающий в режиме обогащенияУниверсальный немецко-русский словарь > Enhancement-MIS-Transistor
-
42 Enhancement-MISFET
сущ.микроэл. МДП-транзистор с индуцированным каналом, МДП-транзистор с обогащением канала, МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения -
43 VMIS-Transistor
сущ.микроэл. V-МДП-транзистор, МДП-транзистор с V-образной изолирующей канавкой, вертикальный МДП-транзистор -
44 Verarmungs-MISFET
сущ.1) электр. МДП-транзистор со встроенным каналом, работающий в режиме обеднения2) микроэл. МДП-транзистор (со встроенным каналом), работающий в режиме обеднения, МДП-транзистор с обеднением канала -
45 transistor-MIS
полевой транзистор типа металл-диэлектрик-полупроводник
МДП-транзистор
Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется диэлектрик.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > transistor-MIS
-
46 MIS-Feldeffekttransistor
полевой транзистор типа металл-диэлектрик-полупроводник
МДП-транзистор
Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется диэлектрик.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > MIS-Feldeffekttransistor
-
47 MIS-FET
полевой транзистор типа металл-диэлектрик-полупроводник
МДП-транзистор
Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется диэлектрик.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > MIS-FET
-
48 MIS-transistor
полевой транзистор типа металл-диэлектрик-полупроводник
МДП-транзистор
Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется диэлектрик.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > MIS-transistor
-
49 metal insulator semiconductor FET
Универсальный англо-русский словарь > metal insulator semiconductor FET
-
50 Transistor vom Anreicherungstyp
сущ.микроэл. МДП-транзистор с обогащением канала, МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения, транзистор с обогащением канала, транзистор, работающий в режиме обогащенияУниверсальный немецко-русский словарь > Transistor vom Anreicherungstyp
-
51 Transistor vom Verarmungstyp
сущ.микроэл. МДП-транзистор (со встроенным каналом), работающий в режиме обеднения, МДП-транзистор с обеднением канала, транзистор (со встроенным каналом), работающий в режиме обеднения, транзистор с обеднением каналаУниверсальный немецко-русский словарь > Transistor vom Verarmungstyp
-
52 MISFET
metal insulator semiconductor field-effect transistor; metal insulator semiconductor FET - полевой МДП-транзистор; МДП-транзистор; полевой транзистор с изолированным затвором; полевой транзистор со структурой металл-диэлектрик-полупроводник -
53 metal-insulator-semiconductor FET
2) Электроника: полевой мдп-транзисторУниверсальный англо-русский словарь > metal-insulator-semiconductor FET
-
54 Depletion-FET
сущ.микроэл. МДП-транзистор (со встроенным каналом), работающий в режиме обеднения, МДП-транзистор с обеднением канала -
55 Depletion-MIS-Transistor
сущ.микроэл. МДП-транзистор (со встроенным каналом), работающий в режиме обеднения, МДП-транзистор с обеднением каналаУниверсальный немецко-русский словарь > Depletion-MIS-Transistor
-
56 Depletion-MISFET
сущ.микроэл. МДП-транзистор (со встроенным каналом), работающий в режиме обеднения, МДП-транзистор с обеднением канала -
57 Feldeffekttransistor des Anreicherungstyps
сущ.микроэл. МДП-транзистор с обогащением канала, МДП-транзистор, работающий в режиме обогащенияУниверсальный немецко-русский словарь > Feldeffekttransistor des Anreicherungstyps
-
58 Feldeffekttransistor des Verarmungstyps
сущ.микроэл. МДП-транзистор (со встроенным каналом), работающий в режиме обеднения, МДП-транзистор с обеднением каналаУниверсальный немецко-русский словарь > Feldeffekttransistor des Verarmungstyps
-
59 Verarmungs-IFET
сущ.микроэл. МДП-транзистор (со встроенным каналом), работающий в режиме обеднения, МДП-транзистор с обеднением канала -
60 Verarmungstyp-IFET
сущ.микроэл. МДП-транзистор (со встроенным каналом), работающий в режиме обеднения, МДП-транзистор с обеднением канала
См. также в других словарях:
полевой МДП-транзистор — metalo dielektriko puslaidininkio lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal insulator semiconductor FET; metal insulator semiconductor field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit Metall Isolator… … Radioelektronikos terminų žodynas
МДП — МДП: МДП маниакально депрессивный психоз. МДП мини дизель поезд МДП моторный дельтаплан, чаще используется название дельталёт МДП в авиации, местный диспетчерский пункт. МДП транзистор полевой транзистор со структурой «Металл Диэлектрик… … Википедия
МДП (значения) — МДП: МДП маниакально депрессивный психоз. МДП мини дизель поезд МДП моторный дельтаплан, чаще используется название дельталёт МДП в авиации, местный диспетчерский пункт. МДП транзистор полевой транзистор со структурой «Металл Диэлектрик… … Википедия
Транзистор — Дискретные транзисторы в различном конструктивном оформлении … Википедия
Полевой транзистор — Полевой транзистор (англ. field effect transistor, FET) полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе… … Википедия
Униполярный транзистор — Полевой транзистор полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда… … Википедия
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР — транзистор, в к ром управление протекающим через него током осуществляется электрич. полем, перпендикулярным направлению тока. Принцип работы П. т., сформулированный в 1920 х гг., поясняется на рис. 1. Тонкая пластинка полупроводника (канал)… … Физическая энциклопедия
полевой транзистор типа металл-диэлектрик-полупроводник — МДП транзистор Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется диэлектрик. [ГОСТ 15133 77] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы МДП… … Справочник технического переводчика
полевой транзистор типа металл-диэлектрик-полупроводник — metalo dielektriko puslaidininkio lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal insulator semiconductor FET; metal insulator semiconductor field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit Metall Isolator… … Radioelektronikos terminų žodynas
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР — транзистор, в к ром изменение тока происходит под действием перпендикулярного ему электрич. поля, создаваемого входным сигналом. Протекание рабочего тока в П. т. обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому … Большой энциклопедический политехнический словарь
Полевой транзистор — канальный транзистор, полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в П. т. рабочего тока обусловлено носителями заряда… … Большая советская энциклопедия