-
101 аденозинтрифосфат
сокр. АТФadenosine triphosphate (сокр. ATP)[греч. aden — железа, лат. - in(e) — суффикс, обозначающий "подобный", греч. tri — три, phos — свет и phoros — несущий]нуклеотид, трифосфорный эфир аденозина (см. аденозин), содержащий аденин, углевод рибозу и три остатка фосфорной кислоты; универсальный источник энергии для всех процессов, протекающих в клетке. Энергия заключена в химических связях фосфатных групп и освобождается, когда А. расщепляется на аденозиндифосфат (АДФ) и аденозинмонофосфат (АМФ). А. образуется в митохондриях из АДФ в результате окислительного фосфорилирования при переносе электронов в митохондриальной электронпереносящей цепи (см. окислительное фосфорилирование) или в результате фосфорилирования на уровне субстрата (см. гликолиз). Содержание А. в клетке связано с содержанием АДФ и АМФ, образующих систему адениловых нуклеотидов клетки. Существенную роль в поддержании равновесия между ними играет обратимая и практически равновесная реакция, катализируемая ферментом аденилаткиназой (аденилаткиназу мышечной ткани называют миокиназой): АТФ + АМФ = 2 АДФ. Впервые А. выделен из мышц в 1929 г. К. Ломаном, химический синтез осуществлен А. Тоддом в 1948 г.Толковый биотехнологический словарь. Русско-английский. > аденозинтрифосфат
-
102 туннельный микроскоп
[англ. tunnel — подземное (подводное) сооружение; греч. mikros — малый и scopeo — смотрю, рассматриваю, наблюдаю]микроскоп, принцип действия которого основан на регистрации тока туннельного перескока электронов (преодоление электронами запрещенной зоны, напр. промежутка между молекулами или высокого энергетического барьера), происходящего между поверхностью исследуемой молекулы и сканирующим ее острием металлической иглы. Система пьезокристаллов, управляемая компьютером, обеспечивает трехкоординатное перемещение металлического зонда на расстоянии порядка 0,1 нм от исследуемой поверхности. Между ней и зондом прикладывают напряжение около 1 В и регистрируют возникающий туннельный ток. Достоинство Т.м. заключается в сверхвысоком разрешении (атомного порядка, 10 -2 нм) и в возможности размещать образец не в вакууме (как в электронных микроскопах), а в обычной воздушной среде при атмосферном давлении, в атмосфере инертного газа и даже в жидкости, что особенно важно для изучения гелеобразных и макромолекулярных структур (белков, ДНК, РНК, вирусов) в нативном состоянии. Первый сканирующий Т.м. создан Г. Биннингом и Г. Рорером в 1981 г. (Нобелевская премия за 1986 г.).Толковый биотехнологический словарь. Русско-английский. > туннельный микроскоп
-
103 факультативные анаэробы
[франц. facultatif, от лат. facultas (facultatis) — способность, возможность; греч. an — не, aer — воздух и bios — жизнь]микроорганизмы, способные извлекать энергию из субстратов аэробным (окислительным) и анаэробным (бродильным) путями биологического окисления. Метаболизм Ф.а. может осуществляться как в условиях полного доступа кислорода в среду (акцептором кислорода становится молекулярный кислород), так и в условиях относительного анаэробиоза (роль акцепторов электронов выполняют легковосстанавливающиеся метаболиты). Ф.а. могут содержать большее или меньшее количество ферментов дыхательной цепи (цитохромы, каталаза, пероксидаза, флавиновые ферменты), но у них, как правило, отсутствуют оксидазы, что используют для их идентификации. Большинство патогенных и сингенных микроорганизмов тела человека относится к этой группе. Культивирование Ф.а. обычно проводят при свободном доступе кислорода в среду. См также Анаэробы, анаэробные организмы.Толковый биотехнологический словарь. Русско-английский. > факультативные анаэробы
-
104 фотосинтез
[греч. phos (photos) — свет и synthesis — соединение, составление]образование зелеными растениями и фотосинтезирующими прокариотами необходимых для жизни органических веществ за счет энергии Солнца; основной процесс автотрофного питания организмов. Ф. происходит с участием поглощающих свет пигментов, прежде всего хлорофилла, содержащегося в хлоропластах растений или хроматофорах (бурые и зеленые водоросли). В основе его лежат окислительно-восстановительные реакции, в которых донором водорода и источником выделяемого кислорода служит H2O, а акцептором водорода и источником углерода — CO2. Выделяют три этапа фотосинтеза: фотофизический, фотохимический и химический. На первом этапе происходит поглощение пигментами квантов света, переход пигментов в возбужденное состояние и передача энергии к другим молекулам фотосистемы. На втором этапе осуществляется разделение зарядов в реакционном центре, перенос электронов по фотосинтетической электронотранспортной цепи, что заканчивается синтезом АТФ (см. аденозинтрифосфат) и НАДФН. Третий этап протекает уже без обязательного участия света и включает в себя биохимические реакции синтеза органических веществ с использованием энергии, накопленной на светозависимой стадии (см. фиксация углерода). В качестве таких реакций чаще всего выступают цикл Кальвина (восстановительный пентозофосфат-ный цикл) и глюконеогенез. Цикл превращений по Кальвину обозначили как С3-путь, поскольку первым образуется трехуглеродное соединение — фосфоглицериновая кислота (см. С3-растения). У некоторых растений фотосинтетические превращения осуществляются по С4-пути: углекислый газ присоединяется к трехуглеродному соединению — фосфоенолпировиноградной кислоте, что приводит к образованию четырехуглеродного соединения щавелево-уксусной кислоты (см. С4-растения). Ф. является главным входом неорганического углерода в биологический цикл. Весь кислород атмосферы биогенного происхождения и является его побочным продуктом. Термин "Ф." был предложен в 1877 г. В. Пфеффером.см. также фототрофные бактерииТолковый биотехнологический словарь. Русско-английский. > фотосинтез
-
105 длина свободного пробега
ua\ \ довжина вільного пробігуen\ \ free pathde\ \ freie Weglängefr\ \ \ longueur de libre parcoursсредняя длина, проходимая частицей при тепловом движении между двумя последовательными соударениями; в металлах используется для описания теплового движения коллективизированных электроновТерминологический словарь "Металлы" > длина свободного пробега
-
106 редокс-реакция
ua\ \ редокс-реакціяen\ \ redox-reactionde\ \ Redoxreaktionfr\ \ \ réaction d'oxydoréductionокислительно-восстановительная реакция; часто под редокс-реакцией понимают окислительно-восстановительную реакцию, протекающую на материале, служащем только для подвода (отвода) электронов и не участвующем в реакции -
107 сфера Эвальда
ua\ \ сфера Евальдаen\ \ [lang name="English"]Ewald sphere, reflection spherede\ \ [lang name="German"]Ewaldsche Ausbreitungskugel, Reflexionskugelfr\ \ \ sphère de reflectionсфера с радиусом 1/λ, построенная в обратном пространстве (λ — длина волны рентгеновских лучей, электронов или нейтронов); используется для анализа условий дифракции на кристаллической решетке -
108 электронный зонд
ua\ \ електронний зондen\ \ electron microprobefr\ \ \ sonde électroniqueсфокусированный пучок быстрых электронов; используется для исследования состава и структуры вещества -
109 электронограф
-
110 EDS
energy dispersion spectrometer — энергодисперсионный спектрометр, спектрометр о дисперсией ( электронов) по энергии, СДЭextreme ultraviolet diagnostic spectrometer — диагностический спектро метр для определения крайних ультрафиолетовых областей спектра -
111 linatron
Англо-русский словарь промышленной и научной лексики > linatron
-
112 PES
1. photoelectron spectroscopy — фотоэлектронная спектроскопия, ФЭС (спектроскопия электронов, выбитых из атомов и молекул квантами излучения) -
113 primer ignition
возникновение вспомогательного разряда (процесс создания локальной ионизации посредством приложения постоянного или импульсного напряжения с целью увеличения плотности электронов для облегчения развития разряда в приборе при наличии высокочастотной мощности)Англо-русский словарь промышленной и научной лексики > primer ignition
-
114 breakdown
Электрический пробойЛавинный пробой, связанный с тем, что носитель заряда на длине свободного пробега приобретает энергию, достаточную для ионизации молекул кристаллической решётки или газа и увеличивает концентрацию носителей заряда. При этом создаются свободные носители заряда (увеличивается концентрация электронов), которые вносят основной вклад в общий ток. Генерация носителей происходит лавинообразно. Различают поверхностный пробой и объёмный пробой диэлектриков. У полупроводников существует разновидность поверхностного пробоя, так называемый шнуровой эффект. -
115 беспримесный
Беспримесный (собственный)Полупроводник, в котором можно пренебречь влиянием примесей при данной температуре. Для полупроводников характерно наличие не очень широкой запрещенной зоны в энергетической диаграмме. При T=0оК у собственного полупроводника валентная зона полностью заполнена электронами, а зона проводимости абсолютно свободна, поэтому собственный полупроводник при T=0оК является идеальным диэлектриком. При T>0оК имеется конечная вероятность того, что за счет тепловых флуктуаций (неравномерного распределения тепловой энергии между частицами) некоторые из электронов преодолеют запрещенный барьер и перейдут в зону проводимости. В собственном полупроводнике каждый переход электрона в зону проводимости сопровождается образованием дырки в валентной зоне. -
116 intrinsic
Беспримесный (собственный)Полупроводник, в котором можно пренебречь влиянием примесей при данной температуре. Для полупроводников характерно наличие не очень широкой запрещенной зоны в энергетической диаграмме. При T=0оК у собственного полупроводника валентная зона полностью заполнена электронами, а зона проводимости абсолютно свободна, поэтому собственный полупроводник при T=0оК является идеальным диэлектриком. При T>0оК имеется конечная вероятность того, что за счет тепловых флуктуаций (неравномерного распределения тепловой энергии между частицами) некоторые из электронов преодолеют запрещенный барьер и перейдут в зону проводимости. В собственном полупроводнике каждый переход электрона в зону проводимости сопровождается образованием дырки в валентной зоне. -
117 нанопорошки
НанопорошкиДисперсный материал, состоящий из частиц размером менее 100 нм. Ранее для обозначения таких материалов использовался термин ультрадисперсные порошки (УДП). Интерес к этим нанодисперсным материалам связан с тем, что они находят все более широкое применение в качестве исходного сырья при производстве керамических и композиционных материалов, сверхпроводников, солнечных батарей, фильтров, геттеров, присадок к смазочным материалам, красящих и магнитных пигментов, компонентов низкотемпературных высокопрочных припоев и др. Изменение фундаментальных свойств традиционных материалов в нанодисперсном состоянии (понижение: температуры начала плавления, теплоты испарения, энергии ионизации, работы выхода электронов и др.) открывает перспективы создания новых технологий, материалов и устройств. -
118 nanopowders
НанопорошкиДисперсный материал, состоящий из частиц размером менее 100 нм. Ранее для обозначения таких материалов использовался термин ультрадисперсные порошки (УДП). Интерес к этим нанодисперсным материалам связан с тем, что они находят все более широкое применение в качестве исходного сырья при производстве керамических и композиционных материалов, сверхпроводников, солнечных батарей, фильтров, геттеров, присадок к смазочным материалам, красящих и магнитных пигментов, компонентов низкотемпературных высокопрочных припоев и др. Изменение фундаментальных свойств традиционных материалов в нанодисперсном состоянии (понижение: температуры начала плавления, теплоты испарения, энергии ионизации, работы выхода электронов и др.) открывает перспективы создания новых технологий, материалов и устройств. -
119 одноэлектронный транзистор
Одноэлектронный транзисторНаноэлектронное устройство, основанное на эффекте дискретного туннелирования отдельных электронов и обеспечивающее ультранизкие уровни потребления энергии при ультранизких рабочих напряжениях.Схема одноэлектронного транзистора.Если приложить некоторое небольшое напряжение между истоком и стоком транзистора, то ток протекать не будет, поскольку электроны в данный момент заблокированы на наночастице. Для появления тока необходимо увеличить потенциал на управляющем электроде – затворе. Только когда потенциал на затворе станет больше некоторого порогового значения, блокада прорывается, электрон получает способность пройти через барьер, и в цепи исток-сток начинает протекать ток. Таким образом, управляя потенциалом на затворе, можно пропускать через барьеры одиночные электроны.Russian-English dictionary of Nanotechnology > одноэлектронный транзистор
-
120 single-electron transistor
Одноэлектронный транзисторНаноэлектронное устройство, основанное на эффекте дискретного туннелирования отдельных электронов и обеспечивающее ультранизкие уровни потребления энергии при ультранизких рабочих напряжениях.Схема одноэлектронного транзистора.Если приложить некоторое небольшое напряжение между истоком и стоком транзистора, то ток протекать не будет, поскольку электроны в данный момент заблокированы на наночастице. Для появления тока необходимо увеличить потенциал на управляющем электроде – затворе. Только когда потенциал на затворе станет больше некоторого порогового значения, блокада прорывается, электрон получает способность пройти через барьер, и в цепи исток-сток начинает протекать ток. Таким образом, управляя потенциалом на затворе, можно пропускать через барьеры одиночные электроны.Russian-English dictionary of Nanotechnology > single-electron transistor
См. также в других словарях:
квазиуровень Ферми для электронов — (или дырок) Химический потенциал электронного газа в зоне проводимости (или дырочного газа в валентной зоне) при отсутствии термодинамического равновесия … Политехнический терминологический толковый словарь
уравнение непрерывности для электронов — elektronų tolydumo lygtis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. electron continuity equation vok. Elektronenkontinuitätsgleichung, f rus. уравнение непрерывности для электронов, n pranc. équation de continuité d électrons, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Дифракция медленных электронов — сокр., ДМЭ, ДЭНЭ иначе дифракция электронов низкой энергии (англ. low energy electron diffraction сокр., LEED) метод исследования структуры поверхности твердых тел, основанный на анализе картин дифракции низкоэнергетических электронов… … Википедия
дифракция медленных электронов — Термин дифракция медленных электронов Термин на английском low energy electron diffraction Синонимы дифракция электронов низкой энергии Аббревиатуры ДМЭ, ДЭНЭ, LEED Связанные термины дифракция быстрых электронов, поверхность, модель поверхности… … Энциклопедический словарь нанотехнологий
Дифракция электронов — Дифракция электронов процесс рассеяния электронов на совокупности частиц вещества, при котором электрон проявляет волновые свойства. Данное явление называется корпускулярно волновым дуализмом, в том смысле, что частица вещества(в данном… … Википедия
Радиационное торможение электронов — При быстром торможении заряженной частицы в электрическом поле атомного ядра и атомных электронов испускается радиационное (или тормозное) излучение. Потери энергии на излучение пропорциональны квадрату ускорения . Так как силы кулоновского… … Википедия
Лазерное ускорение электронов — Лазерное ускорение электронов процесс ускорения электронного пучка с помощью сверхсильного лазерного излучения. Возможно как ускорение непосредственно электромагнитным излучением, так и опосредованное ускорение в ленгмюровской волне,… … Википедия
Подвижность ионов и электронов — 1) в газе и низкотемпературной плазме (См. Плазма) отношение средней скорости u направленного (в результате действия электрического поля) движения электронов или ионов к напряжённости электрического поля (См. Напряжённость электрического… … Большая советская энциклопедия
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) — Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной… … Википедия
Транзистор с высокой подвижностью электронов — (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (т. н. гетеропереход)[1].… … Википедия
Дифракция отражённых электронов — Картина, полученная методом дифракции отражённых электронов (National Institute of Standards and Technology Materials Reliability Division) … Википедия