(для+микроскопа)

  Dip Pen Nanolithography

 (DPN)

 Перьевая нанолитография (ПНЛ) или нанолитография глубокого пера (НГП)

  Технология нанесения изображений в нанодиапазоне с помощью острия сканирующего зондового микроскопа из нитрида кремния, покрытого специальными «чернилами». В результате конденсации из окружающего воздуха влаги в контактной области между острием и подложкой образуется капля воды. Молекулы «чернил» растекаются по поверхности капли и по мере ее продвижения вместе с острием осаждаются на твердой подложке. В роли "чернил" выступает октадекантиол, обычно использующийся для формирования самоорганизованных монослоев (САМ) на поверхности золота.

 

 Схема записи изображения методом перьевой нанолитографии (нанолитографии глубокого пера).

  Dip Pen Nanolithography

 (DPN)

 Перьевая нанолитография (ПНЛ) или нанолитография глубокого пера (НГП)

  Технология нанесения изображений в нанодиапазоне с помощью острия сканирующего зондового микроскопа из нитрида кремния, покрытого специальными «чернилами». В результате конденсации из окружающего воздуха влаги в контактной области между острием и подложкой образуется капля воды. Молекулы «чернил» растекаются по поверхности капли и по мере ее продвижения вместе с острием осаждаются на твердой подложке. В роли "чернил" выступает октадекантиол, обычно использующийся для формирования самоорганизованных монослоев (САМ) на поверхности золота.

 

 Схема записи изображения методом перьевой нанолитографии (нанолитографии глубокого пера).

 Nanopens & Nanopencils

 "Наноручки" и "нанокарандаши"

  Соответствующие «письменные принадлежности», также оставляющие след на поверхности, поперечный размер которого не превышает десятков нанометров. Используются в перьевой нанолитографии для производства нанопроцессоров. Эти устройства позволяют «вычерчивать» электронные схемы, в тысячи раз более миниатюрные, чем существующие. Типичная «наноручка» - острие атомно- силового микроскопа. (см. Наноплоттер).

 Nanopens & Nanopencils

 "Наноручки" и "нанокарандаши"

  Соответствующие «письменные принадлежности», также оставляющие след на поверхности, поперечный размер которого не превышает десятков нанометров. Используются в перьевой нанолитографии для производства нанопроцессоров. Эти устройства позволяют «вычерчивать» электронные схемы, в тысячи раз более миниатюрные, чем существующие. Типичная «наноручка» - острие атомно- силового микроскопа. (см. Наноплоттер).

  Scanning Electron Microscope

 (SEM)

 Сканирующий электронный микроскоп (СЭМ)

  Прибор, позволяющий получать изображения поверхности образца с большим разрешением (менее микрометра). Исследуемый образец в условиях вакуума сканируется сфокусированным электронным пучком средних энергий. В зависимости от механизма регистрации сигнала различают несколько режимов работы сканирующего электронного микроскопа: режим отражённых электронов, режим вторичных электронов, режим катодолюминесценции и т. д. Разработанные методики позволяют исследовать не только свойства поверхности образца, но и визуализировать и получать информацию о свойствах подповерхностных структур.

 

 Сканирующий (растровый) электронный микроскоп Электроны, идущие от источника, ускоряются и фокусируются в узкий пучок на образце. Этот пучок перемещается по образцу отклоняющими катушками с током. Детекторы, расположенные выше образца, регистрируют рентгеновское излучение, вторичные и отраженные электроны. Электроны, прошедшие сквозь тонкий образец, регистрируются кольцевым детектором или, пройдя через энергетический анализатор, используются для формирования изображения на экране. 1 – источник электронов; 2 – ускоряющая система; 3 – магнитная линза; 4 – отклоняющие катушки; 5 – образец; 6 – детектор отраженных электронов; 7 – кольцевой детектор; 8 – анализатор.

  Scanning Electron Microscope

 (SEM)

 Сканирующий электронный микроскоп (СЭМ)

  Прибор, позволяющий получать изображения поверхности образца с большим разрешением (менее микрометра). Исследуемый образец в условиях вакуума сканируется сфокусированным электронным пучком средних энергий. В зависимости от механизма регистрации сигнала различают несколько режимов работы сканирующего электронного микроскопа: режим отражённых электронов, режим вторичных электронов, режим катодолюминесценции и т. д. Разработанные методики позволяют исследовать не только свойства поверхности образца, но и визуализировать и получать информацию о свойствах подповерхностных структур.

 

 Сканирующий (растровый) электронный микроскоп Электроны, идущие от источника, ускоряются и фокусируются в узкий пучок на образце. Этот пучок перемещается по образцу отклоняющими катушками с током. Детекторы, расположенные выше образца, регистрируют рентгеновское излучение, вторичные и отраженные электроны. Электроны, прошедшие сквозь тонкий образец, регистрируются кольцевым детектором или, пройдя через энергетический анализатор, используются для формирования изображения на экране. 1 – источник электронов; 2 – ускоряющая система; 3 – магнитная линза; 4 – отклоняющие катушки; 5 – образец; 6 – детектор отраженных электронов; 7 – кольцевой детектор; 8 – анализатор.

 

гониометр
1. Прибор для определения углов между гранями тв. тел.
2. Часть рентген, дифрактометра или эл-ного микроскопа, обеспечивающая определение углов наклона образца по отношению к пучку эл-нов или рентген. лучей.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]

Тематики

• металлургия в целом

EN

• goniometer

 

иммерсионный объектив
Объектив светового микроскопа, для эксплуатации которого необходима замена воздушной прослойки между ним и препаратом на др. оптическую среду - иммерсию (кедровое масло и т.д.), к И.о. относятся объективы с увеличением 60, 90, 100.
[Арефьев В.А., Лисовенко Л.А. Англо-русский толковый словарь генетических терминов 1995 407с.]

Тематики

• генетика

EN

• oil-immersion objective

 

металлофизика
Раздел физики тв. тела, изуч. ат.-кристаллич. строение и свойства металлов. Совр. м. представляет синтез микроскопич. теории, объясняющей св-ва металлов особенностями их ат. строения, и теоретич. металловедения, использ. макроскопич. методы термодинамики, механики сплош. сред и др. для исслед. строения и св-в реальных металлич. материалов.
Строение реальных металлов хар-риз. тремя структурами разного масштаба: микроскопич. (ат.-кристаллич.), дефектной и гетеро-фазной. М-ду разными «этажами» этой «иерархии» структур тесная взаимосвязь. Этим обусловлено существование трех направлений м.: микроскопич. теория металлов, исследование дефектов и их влияние на св-ва металлов, изучение фаз и гетерофазных металлич. материалов, к-рые с разных сторон решают общую задачу м. — установление связи физич. св-в металла с его строением и завис, внутр. строения металлов от внеш. условий. Напр., введение понятия и исследования дислокаций (в т.ч. с использ. эл-нного микроскопа и рентг. топографии) в сочетании с теоретич. исследованиями в 1950-60-е гг. позволили объяснить большинство механич. св-в металлов. Так, предел текучести и деформац. строение металлов обусловл. упругим взаимодействием дислокаций с примес. атомами; деформац. упрочнение — дислокац. скоплениями; процессы полигонизации (разбиения дефор-мир. монокристаллов на блоки) — дислокац. структурой границ зерен и т.д.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]

Тематики

• металлургия в целом

EN

• metallophysics
• physics of metals

 

Нобелевские Премии
1933 - теория гена (Т. Морган);
1945 - открытие, очистка и химическая характеристика пенициллина (А. Флеминг, Э. Чейн, Х. Флори);
1946 - открытие мутагенного действия Ренгеновских лучей на дрозофилу (Г. Меллер); - очистка и химическая характеристика вирусов (У. Стэнли);
1952 - хроматографический метод разделения веществ (A. Мартин, Р. Синг);
1957 - расшифровка структуры нуклеотидов и нуклеозидов (A. Тодд);
1958 - достижения в общей генетике (Г. Бидл, Э. Татум, Дж. Ледерберг);
1959 - проведение синтеза нуклеиновых кислот in vitro (С. Очоа, А. Корнберг); 1962 - расшифровка структуры ДНК (Дж. Уотсон, Ф. Крик, М. Уилкинс);
- анализ структуры гемоглобина hemoglobin и миоглобина (М. Перуц, Дж. Кендрю);
1965 - достижения в генетике микроорганизмов (Ф. Жакоб, Ж. Моно, А. Львофф);
1966 - исследования онкогенных вирусов (П. Раус);
1968 - открытие и интерпретация генетического кода и его роли в синтезе белков (Р. Холли, Х. Корана, М. Ниренберг);
1969 - исследования по генетике вирусов (М. Дельбрюк, С. Луриа, А. Херши); 1974 - достижения в клеточной биологии (А. Клод, К. Де Дюв, Г. Палад);
1975 - исследования по онкогенным вирусам (Р. Дальбекко, Х. Темин, Д. Балтимор);
1978 - использование рестрикционных ферментов для картирования генов (В. Арбер, Х. Смит, О. Натанс);
1980 - достижения в области иммуногенетики (Г. Снелл, Ж. Доссе, Б. Бенасерра); - достижения в области искусственного манипулирования ДНК (П. Берг, У. Гилберт, Ф, Сэнджер);
1982 - анализ атомных структур («кристаллической решетки»); ряда соединений, включая вирусные частицы, тРНК и нуклеосомы (А. Клюг);
1983 - открытие подвижных генетических элементов (Б. Мак-Клинток);
1985 - установление механизмов рецепции низкомолекулярных липопротеинов и генетической природы семейной гиперхолестеринемии (М. Браун, Дж. Гольдштейн);
1986 - конструирование первого электронного микроскопа (Э. Рушка);
1987 - выяснение генетических механизмов многообразия антител (С. Тонегава);
1989 - исследования по онкогенам ретровирусов (Дж. Бишоп, Х. Вармус);
- анализ ферментной активности РНК (Т. Цех, С. Альтман).
[Арефьев В.А., Лисовенко Л.А. Англо-русский толковый словарь генетических терминов 1995 407с.]

Тематики

• генетика

EN

• Nobel Prizes

 

сканирующий электронный микроскоп
Разновидность электронного микроскопа для изучения структуры поверхности различных объектов
[ http://www.dunwoodypress.com/148/PDF/Biotech_Eng-Rus.pdf]

Тематики

• биотехнологии

EN

• scanning tunneling electron microscopy

26. Стигматор

D. Stigmator

E. Stigmator

-

Электронно-оптический элемент электронного микроскопа, предназначенный для исправления приосевого астигматизма

Источник: ГОСТ 21006-75: Микроскопы электронные. Термины, определения и буквенные обозначения оригинал документа