-
21 fifth order intermodulation products factor
- коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора
коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора
Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей пятого порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд.
Обозначение
M5
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > fifth order intermodulation products factor
-
22 third order intermodulation products factor
- коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора
коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора
Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей третьего порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд.
Обозначение
M3
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > third order intermodulation products factor
-
23 saturation coefficient
коэффициент насыщения биполярного транзистора
Ндп. степень насыщения
Отношение тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения.
Обозначение
Kнас
Ksat
[ ГОСТ 20003-74]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
FR
33. Коэффициент насыщения биполярного транзистора
Ндп. Степень насыщения
E. Saturation coefficient
F. Coefficient de saturation
Кнас
Отношение тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > saturation coefficient
-
24 small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio
- коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала
коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току.
Обозначение
h12
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur du rapport de transfert inverse de la tension, entrée en circuit ouvert de petits signaux
15. Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Kleinsignalspannungsrückwirkung
E. Small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio
F. Valeur du rapport de transfert inverse de la tension, entrée en circuit ouvert de petits signaux
h*12
Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio
-
25 small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio
коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току.
Обозначение
h21
h21
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux
16. Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Kleinsignalstromverstärkung
E. Small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio
F. Valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux
h*21
Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio
-
26 maximum frequency of oscillation
максимальная частота генерации биполярного транзистора
Наибольшая частота, при которой транзистор способен генерировать в схеме автогенератора.
Обозначение
fmax
fmax
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
FR
31. Максимальная частота генерации биполярного транзистора
E. Maximum frequency of oscillation
F. Fréquence maximale d’oscillation
fmax
Наибольшая частота, при которой транзистор способен генерировать в схеме автогенератора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > maximum frequency of oscillation
-
27 maximum peak power dissipation
- максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
Обозначение
Pи max
PM max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
D. Maximal zulässige Impulsverlustleistung
E. Maximum peak power dissipation
F. Puissance dissipée de crête maximale
* В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно «б» или «э» для отечественных буквенных обозначений и «b» и «е» для международных обозначений.
** Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс «max».
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > maximum peak power dissipation
-
28 modulus of the short-circuit forward current transfer ratio
- модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте
модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте
Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высокой частоте.
Обозначение
│h21э│
│h21e│
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
17. Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте
D. Betrag der Kurzschlussstromverstärkung in Emitterschaltung bei HF
E. Modulus of the short-circuit forward current transfer ratio
F. Module du rapport de transfert direct du courant
|h21э|
Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высокой частоте
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > modulus of the short-circuit forward current transfer ratio
-
29 punch-through (penetration) voltage
напряжение смыкания биполярного транзистора
Обратное напряжение коллектор-база, при котором начинается линейное возрастание напряжения на разомкнутых выводах эмиттера и базы при увеличении напряжения коллектор-база.
Обозначение
UСМК
Upt
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
FR
10. Напряжение смыкания биполярного транзистора
E. Punch-through (penetration) voltage
F. Tension de pénétration (tension de persage)
Ucмк
Обратное напряжение коллектор-база, при котором начинается линейное возрастание напряжения на разомкнутых выводах эмиттера и базы при увеличении напряжения коллектор-база
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > punch-through (penetration) voltage
-
30 small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance
- полная проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала
полная проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызвавшему его изменению напряжения на выходе при коротком замыкании по переменному току на входе.
Обозначение
y12
y12
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur de l'admittance de transfert inverse, entrée en court-circuit pour de petits signaux
22. Полная проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Komplexer Kleinsignalrückwirkungsleitwert
E. Small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance
F. Valeur de l’admittance de transfert inverse, entrée en court-circuit pour de petits signaux
y*12
Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызвавшему его изменению напряжения на выходе при коротком замыкании по переменному току на входе
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance
-
31 small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance
- полная проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала
полная проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызвавшему его изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе.
Обозначение
y21
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur de l'admittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux
23. Полная проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Komplexer Kleinsignalübertragungsleitwert vorwärts
E. Small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance
F. Valeur de l’admittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux
y*21
Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызвавшему его изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance
-
32 total input power (d.c.) to all electrodes
постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе.
Обозначение
P
Ptot
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- total input power (d.c.) to all electrodes
DE
FR
- puissance totale d’entrée (continue) de toutes les électrodes
61. Постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
D. Gesamtverlustleistung
E. Total input power (d.c.) to all electrodes
F. Puissance totale d’entrée (continúe) de toutes les electrodes
Р
Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > total input power (d.c.) to all electrodes
-
33 modulus of the short-circuit forward transfer admittance
- модуль полной проводимости прямой передачи полевого транзистора
- Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора
модуль полной проводимости прямой передачи полевого транзистора
модуль полной проводимости прямой передачи
-
Обозначение
│y21и│
│y21s│
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- module de l'admittance de transfert direct, la sortie étant en court-circuit
24. Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора
D. Betrag des Übertragungsleitwerts vorwärts
E. Modulus of the short-circuit forward transfer admittance
F. Module de l’admittance de transfert direct
|y21э|
Модуль полной проводимости прямой передачи в схеме с общим эмиттером
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > modulus of the short-circuit forward transfer admittance
-
34 small-signal value of the short-circuit input impedance
входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора.
Обозначение
h11
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur de l’impédance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > small-signal value of the short-circuit input impedance
-
35 bipolar phototransistor
биполярный фототранзистор
Фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру биполярного транзистора.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
D. Bipolarphototransistor
E. Bipolar phototransistor
F. Phototransistor bipolaire
-
Фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру биполярного транзистора
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > bipolar phototransistor
-
36 1. small-signal value of the open-circuit output admittance
- выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
1. Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току.
Обозначение
h22
2. Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызванному им изменению выходного напряжения при коротком замыкании по переменному току на входе.
Обозначение
y22
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- 1. small-signal value of the open-circuit output admittance
- 2. small-signal value of the short-circuit output admittance
DE
- 1. Kleinsignalausgangsleitwert
- 2. komplexer Kleinsignalausgangsleitwert
FR
- 1. valeur de l'admittance de sortie, entrée en circuit ouvert pour de petits signaux
- 2. valeur de l'admittance de sortie, entrée en court-circuit pour de petits signaux
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > 1. small-signal value of the open-circuit output admittance
-
37 2. small-signal value of the short-circuit output admittance
- выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
1. Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току.
Обозначение
h22
2. Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызванному им изменению выходного напряжения при коротком замыкании по переменному току на входе.
Обозначение
y22
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- 1. small-signal value of the open-circuit output admittance
- 2. small-signal value of the short-circuit output admittance
DE
- 1. Kleinsignalausgangsleitwert
- 2. komplexer Kleinsignalausgangsleitwert
FR
- 1. valeur de l'admittance de sortie, entrée en circuit ouvert pour de petits signaux
- 2. valeur de l'admittance de sortie, entrée en court-circuit pour de petits signaux
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > 2. small-signal value of the short-circuit output admittance
-
38 HF-Rückwirkungszeitkonstant
- постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора
постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора
Произведение сопротивления базы на активную емкость коллекторного перехода.
Обозначение
τS
τC
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
FR
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > HF-Rückwirkungszeitkonstant
-
39 Static value of the forward current transfer ratio
20. Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
D. Gleichstromverstärkung in Emitterschaltung
E. Static value of the forward current transfer ratio
F. Valeur statique du rapport de transfert direct du courant
h21Э
Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > Static value of the forward current transfer ratio
-
40 Small-signal value of the short-circuit output admittance
- Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
25. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Komplexer Kleinsignalausgangsleitwert
E. Small-signal value of the short-circuit output admittance
F. Valeur de l’admittance de sortie, entrée en court-circuit pour de petits signaux
y*22
Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызванному им изменению выходного напряжения при коротком замыкании по переменному току на входе
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > Small-signal value of the short-circuit output admittance
См. также в других словарях:
выходная мощность в пике огибающей биполярного транзистора — Мощность двухтонового сигнала в нагрузке биполярного транзистора, равная мощности однотонового, имеющего ту же амплитуду, что и двухтоновый сигнал в пике огибающей. Обозначение Pвых,п.о Примечание Под двухтоновым сигналом понимают сигнал,… … Справочник технического переводчика
емкость обратной связи биполярного транзистора — Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала. Обозначение C12 Примечание В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс… … Справочник технического переводчика
коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора — Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей пятого порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд. Обозначение M5 [ГОСТ 20003… … Справочник технического переводчика
коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора — Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей третьего порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд. Обозначение M3 [ГОСТ… … Справочник технического переводчика
минимальный коэффициент шума биполярного транзистора — Значение коэффициента шума биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующей наименьшему значению коэффициента шума. Обозначение Kш min Fmin [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN minimal noise… … Справочник технического переводчика
оптимальный коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора — Значение коэффициента усиления на мощности биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующее минимальному коэффициенту шума. Обозначение KyPoпт Gpopt [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN… … Справочник технического переводчика
эквивалентное напряжение шума биполярного транзистора — Напряжение шума идеального источника эквивалентного напряжения, включенного последовательно с выводом базы и выводом эмиттера и характеризующего шум биполярного транзистора, который считается бесшумным. Обозначение Uш Un [ГОСТ 20003 74] Тематики… … Справочник технического переводчика
Выходная мощность в пике огибающей биполярного транзистора — 65a. Выходная мощность в пике огибающей биполярного транзистора Е Peak envelope power Рвых,п.о Мощность двухтонового сигнала в нагрузке биполярного транзистора, равная мощности однотонового, имеющего ту же амплитуду, что и двухтоновый сигнал в… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Емкость обратной связи биполярного транзистора — 28a. Емкость обратной связи биполярного транзистора D. Rückwirkungskapazität E. Feedback capacitance F. Capacité de couplage à réaction С*12 Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора — 65в. Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора Е Fifth order intermodulation products factor Термины, относящиеся к максимально допустимым параметрам** М5 Отношение наибольшей амплитуды напряжения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора — 65б. Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора Е Third order intermodulation products factor М3 Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей третьего порядка спектра выходного… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации