-
1 максимально допустимый импульсный ток эмиттера
- Courant de crête d’emetteur maximal
- courant de crête d'émetteur maximal
максимально допустимый импульсный ток эмиттера
-
Обозначение
IЭ,и max
IEM max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
70. Максимально допустимый импульсный ток эмиттера
D. Maximal zulässiger Emitterimpulsstrom
E. Maximum peak emitter current
F. Courant de crête d’emetteur maximal
IЭ,и max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимый импульсный ток эмиттера
-
2 максимально допустимый постоянный ток эмиттера
- Courant continu d’emetteur maximal
- courant continu d'émetteur maximal
максимально допустимый постоянный ток эмиттера
-
Обозначение
IЭmax
IEmax
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- maximum emitter (d.с.) current
DE
FR
67. Максимально допустимый постоянный ток эмиттера
D. Maximal zulässiger Emittergleichstrom
E. Maximum emitter (d.c.) current
F. Courant continu d’emetteur maximal
IЭmax
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимый постоянный ток эмиттера
-
3 обратный ток эмиттера
- courant résiduel de l’émetteur
обратный ток эмиттера
Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
Обозначение
IЭБО
IEBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- courant résiduel de l’émetteur
D. Emitterreststrom (bei offenem Kollektor)
E. Emitter cut-off current
F. Courant résiduel de l’émetteur
IЭБО
Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > обратный ток эмиттера
-
4 общий ток эмиттера фототранзистора
- courant total d’émetteur de phototransistor
- Courant total d'émetteur de phototransistor
общий ток эмиттера фототранзистора
-
Обозначение
Iбобщ э
Iэобщ э
Iкобщ э
IEB
IEE
IEC
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant total d’émetteur de phototransistor
120. Общий ток эмиттера фототранзистора
D. Emittergesamtstrom eines Phototransistors
E. Emitter total current of a phototransistor
F. Courant total d'émetteur de phototransistor
-
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > общий ток эмиттера фототранзистора
-
5 постоянный ток эмиттера
- Courant continu d’emetteur
- courant continu d'émetteur
постоянный ток эмиттера
Постоянный ток, протекающий через эмиттерный переход.
Обозначение
IЭ
IE
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- emitter (d.с.) current
DE
FR
D. Emittergleichstrom
E. Emitter (d.c.) current
F. Courant continu d’emetteur
IЭ
Постоянный ток, протекающий через эмиттерный переход
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > постоянный ток эмиттера
-
6 темновой ток эмиттера фототранзистора
- courant d’obscurité d’émetteur
- Courant d'obscurité d'émetteur
темновой ток эмиттера фототранзистора
-
Обозначение
Iбтэ
Iэтэ
Iктэ
IEBO
IEEO
IECO
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant d’obscurité d’émetteur
110. Темновой ток эмиттера фототранзистора
D. Emitterdunkelstrom
E. Emitter dark current
F. Courant d'obscurité d'émetteur
-
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > темновой ток эмиттера фототранзистора
-
7 фототок эмиттера фототранзистора
фототок эмиттера фототранзистора
-
Обозначение
Iбф э
Iэф э
Iкф э
IEB H
IEE H
IEC H
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
117. Фототок эмиттера фототранзистора
D. Emitterphotostrom eines Phototransistors
E. Emitter photocurrent of a phototransistor
F. Photocourant d'emetteur de phototransistor
-
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > фототок эмиттера фототранзистора
-
8 область эмиттера
nIT. zone d'émitteur -
9 переходная ёмкость эмиттера
Dictionnaire russe-français universel > переходная ёмкость эмиттера
-
10 сопротивление эмиттера
nradio. résistance de l'émetteurDictionnaire russe-français universel > сопротивление эмиттера
-
11 плавающее напряжение эмиттер-база
плавающее напряжение эмиттер-база
Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор-база и при токе эмиттера, равном нулю.
Обозначение
UЭБпл
UEBfl
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
FR
9. Плавающее напряжение эмиттер-база
E. Floating emitter-base voltage
F. Tension flottante émetteur-base
UЭБпл
Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор-база и при токе эмиттера, равном нулю
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > плавающее напряжение эмиттер-база
-
12 пробивное напряжение эмиттер-база
пробивное напряжение эмиттер-база
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю.
Обозначение
UЭБОпроб
U(BR)EBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
11. Пробивное напряжение эмиттер-база
D. Emitter-Basis-Durchbruchspannung
E. Breakdown emitter-base voltage
F. Tension de claquage émetteur-base
UЭБОпроб
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение эмиттер-база
-
13 постоянное напряжение эмиттер-база
постоянное напряжение эмиттер-база
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы.
Обозначение
UЭБ
UEB
Примечание
При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБО, UEBO.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- emitter-base (d.с.) voltage
DE
FR
57. Постоянное напряжение эмиттер-база
D. Emitter-Basis-Spannung
E. Emitter-base (d.с.) voltage
F. Tension continue émetteur-base
U1ЭБ
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > постоянное напряжение эмиттер-база
-
14 емкость эмиттерного перехода
емкость эмиттерного перехода
Емкость между выводами эмиттера и базы транзистора при заданных обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутой коллекторной цепи.
Обозначение
CЭ
Ce
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
43. Емкость эмиттерного перехода
D. Kapazität der Emittersperrschicht
E. Emitter capacitance
F. Capacité émetteur
Cэ
Емкость между выводами эмиттера и базы транзистора при заданных обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутой коллекторной цепи
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > емкость эмиттерного перехода
-
15 напряжение насыщения база-эмиттер
напряжение насыщения база-эмиттер
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.
Обозначение
UБЭнас
UBEsat
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
8. Напряжение насыщения база-эмиттер
D. Basis-Emitter-Sättigungsspannung
E. Saturation baseemitter voltage
F. Tension de saturation base-émetteur
UБЭнас
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение насыщения база-эмиттер
-
16 напряжение насыщения коллектор-эмиттер
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.
Обозначение
UКЭнас
UСEsat
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
7. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
D. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
E. Saturation collector-emitter voltage
F. Tension de saturation collecteur-émetteur
UКЭнас
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-
17 напряжение смыкания биполярного транзистора
напряжение смыкания биполярного транзистора
Обратное напряжение коллектор-база, при котором начинается линейное возрастание напряжения на разомкнутых выводах эмиттера и базы при увеличении напряжения коллектор-база.
Обозначение
UСМК
Upt
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
FR
10. Напряжение смыкания биполярного транзистора
E. Punch-through (penetration) voltage
F. Tension de pénétration (tension de persage)
Ucмк
Обратное напряжение коллектор-база, при котором начинается линейное возрастание напряжения на разомкнутых выводах эмиттера и базы при увеличении напряжения коллектор-база
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение смыкания биполярного транзистора
-
18 обратный ток коллектора
обратный ток коллектора
Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
Обозначение
IКБО
ICBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
1. Обратный ток коллектора
D. Kollektorreststrom (bei offenem Emitter)
E. Collector cut-off current
F. Courant résiduel du collecteur
IКБО
Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > обратный ток коллектора
-
19 постоянное напряжение коллектор-эмиттер
постоянное напряжение коллектор-эмиттер
Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера.
Обозначение
UКЭ
UCE
Примечание
При заданном токе коллектора и токе базы, равном нулю, UКЭО, UCEO;
при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер, UКЭR, UCER;
при заданном токе коллектора и коротком замыкании в цепи база-эмиттер, UКЭК, UCES;
при заданном токе коллектора в заданном обратном напряжении эмиттер-база, UКЭХ, UCEX.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- collector-emitter (d.с.) voltage
DE
FR
59. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
D. Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen)
E. Collector-emitter (d.c.) voltage
F. Tension continue collecteur-émetteur
U3КЭ
Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > постоянное напряжение коллектор-эмиттер
-
20 пробивное напряжение коллектор-база
пробивное напряжение коллектор-база
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю.
Обозначение
UКБОпроб
U(BR)CBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
12. Пробивное напряжение коллектор-база
D. Kollektor-Basis-Durchbruchspannung
E. Breakdown collector-base voltage
F. Tension de claquage collecteur-base
UКБОпроб
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение коллектор-база
- 1
- 2
См. также в других словарях:
импульсный ток эмиттера — Импульсное значение тока эмиттера при заданной скважности и длительности импульса. Обозначение IЭ,и [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы … Справочник технического переводчика
sup>1 При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБ0, UEB0. — 1 При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБ0, UEB0. 2 При заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю, UКБ0, UCB0. 3 При заданном токе коллектора и токе базы, равном нулю, Uкэо, UСЕО; при заданном токе… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Импульсный ток эмиттера — 56. Импульсный ток эмиттера IЭ,и Импульсное значение тока эмиттера при заданной скважности и длительности импульса Источник: ГОСТ 20003 74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ТОК ЭМИТТЕРА — ток, протекающий через эмитерный р n переход и вывод (см.) транзистора. Постоянный Т. э. равен сумме постоянных токов (см.) и (см.) … Большая политехническая энциклопедия
электрод эмиттера — emiterio elektrodas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. emitter electrode vok. Emitterelektrode, f rus. электрод эмиттера, m; эмиттерный электрод, m pranc. électrode d émetteur, f … Automatikos terminų žodynas
ток эмиттера — emiterio srovė statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. emitter current vok. Emitterstrom, m rus. ток эмиттера, m; эмиттерный ток, m pranc. courant émetteur, m … Automatikos terminų žodynas
диффузия для формирования эмиттера — emiterio difuzija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. emitter diffusion vok. Emitterdiffusion, f rus. диффузия для формирования эмиттера, f; эмиттерная диффузия, f pranc. diffusion émettrice, f … Radioelektronikos terminų žodynas
ионная имплантация для формирования эмиттера — emiterio jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. emitter ion implantation vok. Emitterimplantation, f rus. ионная имплантация для формирования эмиттера, f pranc. implantation ionique pour formation des zones… … Radioelektronikos terminų žodynas
углубление эмиттера — emiterio įduba statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. emitter dip vok. Emittersenkung, f rus. углубление эмиттера, n pranc. cavité d émetteur, f … Radioelektronikos terminų žodynas
вытеснение эмиттера — emiterio išstūmimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. emitter push out vok. Emitterverdrängung, f rus. вытеснение эмиттера, n pranc. entraînement d émetteur, m … Radioelektronikos terminų žodynas
действующая область эмиттера — aktyvioji emiterio sritis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. active emitter region; functional emitter region vok. Funktionalemitterzone, f rus. действующая область эмиттера, f; функциональная эмиттерная область, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas