-
101 NMOS
(n-Channel Metal-Oxide-Semiconductor)nМОП (n-канальный металл-оксид-полупроводник)Сокращение от n-канальный МОП-прибор, употребляющееся в сочетаниях типа n- канальный МОП-транзистор, или n- канальная МОП-логика, или МОП- структура с каналом n-типа (n-МОП- структура). -
102 FET
(Field Effect Transistor)Полевой транзистор (ПТ)Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.
Устройство полевого транзистора
См. также в других словарях:
МОП-транзистор с каналом n-типа — MOP tranzistorius su n kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. n channel metal oxide semiconductor transistor; n channel MOS transistor vok. n Kanal MOS Transistor, m rus. n канальный МОП транзистор, m; МОП транзистор с… … Radioelektronikos terminų žodynas
МОП-транзистор с каналом p-типа — MOP tranzistorius su p kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. p channel metal oxide semiconductor transistor vok. p Kanal MOS Transistor, m rus. МОП транзистор с каналом p типа, m; р канальный МОП транзистор, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
полевой транзистор с каналом n-типа — lauko tranzistorius su n kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. n channel field effect transistor vok. n Kanal Feldeffekttransistor, m rus. n канальный полевой транзистор, m; полевой транзистор с каналом n типа, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
полевой транзистор с каналом p-типа — lauko tranzistorius su p kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. p channel field effect transistor vok. p Kanal Feldeffekttransistor, m rus. p канальный полевой транзистор, m; полевой транзистор с каналом p типа, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
ТРАНЗИСТОР БИПОЛЯРНЫЙ — (от лат. bi двойной, двоякий и греч. polos ось, полюс) один из осн. элементов полупроводниковой электроники. Создан в 1948 Дж. Бардином (J. Bardeen), У. Браттейном (W. Brattain) и У. Шокли (W. Shockley) (Нобелевская премия по физике, 1956).… … Физическая энциклопедия
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) — Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной… … Википедия
Транзистор с высокой подвижностью электронов — (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (т. н. гетеропереход)[1].… … Википедия
ТРАНЗИСТОР — ТРАНЗИСТОР, ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ электронное устройство, способное усиливать электрические сигналы. В основное вещество КРЕМНИЙ или ГЕРМАНИЙ добавляется очень малое количество присадки МЫШЬЯКА или СУРЬМЫ, чтобы образовался материал типа п, в котором … Научно-технический энциклопедический словарь
ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… … Энциклопедия Кольера
Транзистор — Дискретные транзисторы в различном конструктивном оформлении … Википедия
Транзистор — (от англ. transfer переносить и resistor сопротивление) электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий три (или более) вывода, предназначенный для генерирования и преобразования электрических колебаний. Изобретён в… … Большая советская энциклопедия
