расплавов

внепечная дефосфорация
Проводимая вне плавильного агрегата. При окислительной дефосфорации фосфор в металле связыв. в Р₂О₅, который прочно удерживается в шлаке в виде тетракальция фосфата. Достаточно глубокая д. металла достигается вдуванием в металлич. ванну порошкообр. шлакообраз. Для д. стали в ковше могут использоваться шлак. смеси: 40—60 % СаО, 15-30 % СаР₂ и 25-40 % FeO. Способы д. расплавов в окислит. условиях малоэффективны при обработке легиров. расплавов, в частности хромсодержащих в связи с более высоким сродством хрома к кислороду по сравнению с фосфором. В этом случае применяется д. в восстановит. условиях, с использов.: карбида кальция (80-81,5 % СаС₂; 12,9 % СаО; 1,5 % MgO), фторида кальция (96-98 % CaF₂; 0,3 % Аl₂О • 0,5 % SiO), извести (93,5-94,5 % СаО; 1,2 % SiO₂; 1,0 % MgO).
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]

Тематики

• металлургия в целом

EN

• ladle dephosphorization

выращивание монокристаллов
Получение (изготовл.) вещ-в в виде объемных монокристаллов или монокристаллич. эпитаксиальных слоев и пленок кристаллизацией расплавов или из паровой (газовой) фазы.
В основе методов в. м.из расплавов — кристаллизация в тепловом поле, имеющем заданный градиент темп-ры, к-рый определяет направление потока тепла и, соответственно, направление кристаллизации. Такая кристаллизация называется направленной кристаллизацией.
На рис. 1, а приведена схема вертик. устр-ва для выращивания монокристаллов методом Бриджмена. Процесс направленной кристаллизации ведется в герметичных ампулах-контейнерах, в к-рых создан или вакуум, или атмосфера инертного газа. Обычно в кач-ве зародыша кристаллизации используют небольшой монокристалл вещ-ва необходимой кристаллографич. ориентации, который получил название затравки 5. Для направленной кристаллизации перемещают ампулу 2 относит, градиентного темп-рного поля. Такое перемещение достигается или опусканием ампулы 2, или подъемом узла нагрева 1. Диам. монокристалла определяется геометрич. размерами ампулы. При использовании ампул из кварца наиб. размер монокристаллов в попереч. сечении редко превышает 50 мм.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]

Тематики

• металлургия в целом

EN

• monocrystals growing
• single crystals growing

грануляция
гранулирование
Формиров. тв. частиц (гранул) определ. размеров и формы с задан, св-вами. Размер гранул зависит от вида материала, способа его дальнейшей переработки или применения и составляет 0,2—25 мм. Формирование < 1мм гранул назыв. микрогранулированием. Г. основано на уплотнении порошкообразных или измельченных материалов с использов. связ. или без него, диспергировании и послед, кристаллизации металлич. и шлаковых расплавов или р-ров. Показатели г. — выход кондиц. фракции, кач-во гранул (форма, прочность, насыпная масса), однородность гранулометрич. состава. Промышл. способы г.: распыление жидких расплавов, окомкование (смачивание частиц материала связ., уплотнение агломератов в движущемся слое материала), диспергирование жидкостей (в псевдоожиж. слое или в свободном объеме башенных устр-в), прессование (брикетирование), экструзия.
В металлургии гранулируют шихтовые материалы и жидкие продукты плавки: шлаки, штейны (для переработки в измельч. состоянии и удаления частиц серы); нек-рые металлы, стали, сплавы (для получ. металлич. порошков и изготовл. из них полуфабрикатов и изделий методами порошковой металлургии) и ферросплавы.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]

Тематики

• металлургия в целом

Синонимы

• гранулирование

EN

• granulation
• nodulizing

катодное восстановление
Получение металлов электролизом из солевых расплавов или р-ров на катоде, например, для меди:
Сu₂+ + 2е = 2Сu.
Наиб, важные подобные процессы в металлургии — произ-во Аl электролизом Аl₂О₃ из расплавов и Сu из водных р-ров CuSO₄.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]

Тематики

• металлургия в целом

EN

• cathodic reduction

плазменная металлургия
Неорганич. полупроводниковых вещ-в и материалов и изделий из них с задан. св-вами.
Возникновение этого направления м. связано с изобретением в конце 1940-х гг. полупроводникового триода (транзистора). В н. в. класс полупроводниковых вещ-в и материалов весьма обширен (см. Полупроводниковые вещества). Для их получения применяются как методы, основ, на кристаллизации расплавов, так и методы кристаллизации из паровой (газ.) фазы. Компактные слитки и изделия можно изготовлять тж. прессованием порошков, экструзией и др. известными в металлургии методами. Полупроводниковые вещ-ва могут иметь монокристаллич., поликристаллич., нанокристаллич. и аморфную структуры.
Задача обеспеч. вые. чистоты конечного продукта от неконтролир. примесей наиб, важна в произ-ве полупроводниковых материалов. При получении (синтезе) полупроводниковых материалов использ. высокочистые исх. химич. элементы или высокочистые химич. соединения. Технологич. операции при необходимости осуществл. в спец. чистых произ-венных помещениях и боксах. Соблюдаются соответст. условия технологич. гигиены. Разработаны и использ. разнообразные методы изготовления высокочистых вещ-в и материалов: ректификац. очистка, дистилляция, возгонка, очистка на ионообменных смолах, очистка методами электрохимии, кристалли-зац. методы очистки и др. Для получения высокочистых химич. элементов или вещ-в широко применяются методы водородного восстановления, термич. разложения предварит, очищ. химич. соединений. Для выращивания монокристаллов из расплавов использ. методы Чохральского, Бриджмена, бестигельной зонной плавки, горизонт, зонной плавки. Для выращивания из паровой фазы — метод сублимации, метод газотранспортных химич. реакций, метод термич. разложения паров химич. соединений и др. Слои и пленки выращ. методами газ., жидкофазной, молекулярно-лучевой эпитаксии и рядом др. способов. Технологич. процессы и оборудование, использ. в произ-ве полупроводниковых материалов, позволяют получать малодислокац., с плотностью дислокаций s 103 см~2, и бездислокац. полупроводниковые материалы с вые. однородностью св-в. Напр., монокристаллы Si выращивают бездислокац., и при диам. 200 мм неоднородность св-в не превышает 2-5 %.
Исходя из уровня требований к кач-ву продукции и тех технологич. приемов и оборудования, с помощью к-рых достигается
необх. кач-во продукции, п. м. можно отнести к прециз. По объему выпускаемой продукции — это малотоннажное произ-во. Напр., выпуск монокристаллов Si в мировом масштабе составлял в 1994 г. ок. 7500 т. На рынок кремний большей частью поступает в виде пластин, произ-во к-рых достигло в 1994 г. около 15 млрд. см², когда произв-во германия составляло ок. 100 т в год, арсенида галлия — десятки т, фосфидов индия и галлия — ед. т.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]

Тематики

• металлургия в целом

EN

• plasma metallurgy

процесс длится менее 0,1 с — the process lasts less than 0.1 s

процесс продолжается менее 0,1 с — the process lasts less than 0.1 s