-
101 complementary metal oxide semiconductor
комплементарная МОП-структура
КМОП
—
[Е.С.Алексеев, А.А.Мячев. Англо-русский толковый словарь по системотехнике ЭВМ. Москва 1993]Тематики
Синонимы
EN
комплементарный металло-оксидный полупроводник
КМОП
Распространенный тип полупроводников, использующих как положительный, так и отрицательный контур. Поскольку одновременно включен только один тип контура, CMOS-микросхемы потребляют меньше энергии, чем микросхемы, в которых используются транзисторы одного типа. Датчики изображения CMOS позволяют расположить цепи обработки данных на той же микросхеме, что невозможно при использовании более дорогих CCD-датчиков
[ http://www.alltso.ru/publ/glossarij_setevoe_videonabljudenie_terminy/1-1-0-34]Тематики
Синонимы
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > complementary metal oxide semiconductor
-
102 n-channel metal-oxide-semiconductor
Универсальный англо-русский словарь > n-channel metal-oxide-semiconductor
-
103 PMOS
1. p-channel metal oxide semiconductor - р-канальная МОП-структура; р-канальный МОП-прибор; р-канальный МОП-транзистор; метал-оксид-полупроводник структура с Р-каналом; МОП-структура с каналом р-типа; р-канальная МОП-структура; р-МОП-структура;2. p-type metal-oxide-semiconductor - МОП-прибор с каналом р-типа -
104 nМОП
(n-Channel Metal-Oxide-Semiconductor)nМОП (n-канальный металл-оксид-полупроводник)Сокращение от n-канальный МОП-прибор, употребляющееся в сочетаниях типа n- канальный МОП-транзистор, или n- канальная МОП-логика, или МОП- структура с каналом n-типа (n-МОП- структура). -
105 NMOS
(n-Channel Metal-Oxide-Semiconductor)nМОП (n-канальный металл-оксид-полупроводник)Сокращение от n-канальный МОП-прибор, употребляющееся в сочетаниях типа n- канальный МОП-транзистор, или n- канальная МОП-логика, или МОП- структура с каналом n-типа (n-МОП- структура). -
106 doping
- наложение защитных покрытий
- легирование (в полупроводниках)
- добавление присадок
- введение примеси
- введение добавок
введение примеси
легирование
примесь
—
[Л.Г.Суменко. Англо-русский словарь по информационным технологиям. М.: ГП ЦНИИС, 2003.]Тематики
Синонимы
EN
добавление присадок
(напр. в топливо)
[А.С.Гольдберг. Англо-русский энергетический словарь. 2006 г.]Тематики
EN
легирование
Введение легирующей добавки в полупроводник для изменения его электрических свойств путем создания концентрации носителей n-типа или p-типа. Легирование обычно выполняется с помощью процессов диффузии или ионной имплантации.
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Тематики
EN
наложение защитных покрытий
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > doping
-
107 MOS transistor
полевой транзистор типа металл-окисел-полупроводникБольшой англо-русский и русско-английский словарь > MOS transistor
-
108 RIS
сокр. [resistor-insulator-semiconductor] структура (типа) резистивный материал - диэлектрик - полупроводник -
109 MAOS
сокр. от metal-aluminum-oxide-semiconductorструктура (типа) металл - оксид алюминия - полупроводник -
110 MAS
I сокр. от magnetic area seal II сокр. от metal-alumina-semiconductorструктура (типа) металл - оксид алюминия - полупроводникIII сокр. от minerals availability systemсистема информации о мировых запасах и производстве минерального сырья (Горного бюро США) -
111 MIPS
I сокр. от metal-insulator-piezoelectric-semiconductorструктура (типа) металл - диэлектрик - пьезоэлектрик - полупроводникII сокр. от million instructions per secondмиллионов команд в секунду; миллионов операций в секунду (единица быстродействия ЭВМ) -
112 MIS
I сокр. от management information system II сокр. от metal-insulator-semiconductorструктура (типа) металл - диэлектрик - полупроводник, МДП-структура -
113 MNOS
сокр. от metal-nitride-oxide-semiconductorструктура (типа) металл - нитрид - оксид - полупроводник, МНОП-структура -
114 MNS
сокр. от metal-nitride-semiconductorструктура (типа) металл - нитрид - полупроводник, МНП-структура -
115 MOS
I сокр. от mean opinion score II сокр. от metal-oxide-semiconductorструктура (типа) металл - оксид - полупроводник, МОП-структура-
adjustable-threshold MOS
-
aluminum-gate MOS
-
back-gate MOS
-
beam-addressed MOS
-
bipolar MOS
-
bulk complementary MOS
-
buried channel MOS
-
buried-oxide MOS
-
clocked complementary MOS
-
complementary MOS
-
depletion MOS
-
dielectric insulated MOS
-
dielectric isolated MOS
-
diffusion self-aligned MOS
-
double polysilicon MOS
-
double poly MOS
-
double-diffused MOS
-
double-implanted MOS
-
dynamic complementary MOS
-
enhancement MOS
-
enhancement/depletion MOS
-
floating-gate avalanche injection MOS
-
floating-gate MOS
-
high-density MOS
-
high-performance complementery MOS
-
high-threshold MOS
-
high-voltage MOS
-
insulated gate MOS
-
ion-implanted MOS
-
isolated gate MOS
-
junction gate MOS
-
lateral planar MOS
-
local oxidation MOS
-
long MOS
-
low-threshold MOS
-
metal-gate MOS
-
micrometer MOS
-
micron MOS
-
n-channel MOS
-
p-channel MOS
-
polysilicon self-aligned MOS
-
poly self-aligned MOS
-
power MOS
-
quadruple self-aligned MOS
-
refractory MOS
-
resistive-gate MOS
-
scaled-down MOS
-
scaled MOS
-
Schottky-barrier MOS
-
self-aligned MOS
-
silicon-gate technology MOS
-
silicon-gate MOS
-
silicon-on-sapphire complementary MOS
-
stacked transistors complementary MOS
-
submicrometer MOS
-
submicron MOS
-
surface gate MOS
-
three-dimensional MOS
-
transverse MOS
-
triple-polysilicon MOS
-
triple-poly MOS
-
V-groove MOS
-
V MOS -
116 RIS
сокр. от resistor-insulator-semiconductorструктура (типа) резистивный материал - диэлектрик - полупроводник -
117 MIS transistor
-
118 MOS transistor
-
119 metal-alumina-semiconductor (MAS)
Макаров: структура (типа) металл-оксид алюминия-полупроводникУниверсальный англо-русский словарь > metal-alumina-semiconductor (MAS)
-
120 metal-aluminium-oxide-semiconductor (MAOS)
Макаров: структура (типа) металл-оксид алюминия-полупроводникУниверсальный англо-русский словарь > metal-aluminium-oxide-semiconductor (MAOS)
См. также в других словарях:
полупроводник n-типа — Полупроводниковый кристалл, содержащий небольшое количество легирующих атомов, имеющих на один валентный электрон больше, чем другие атомы в кристалле. Эти дополнительные электроны не могут найти незанятые связи, чтобы их занять, поэтому они… … Справочник технического переводчика
полупроводник p-типа — Полупроводниковый кристалл, содержащий небольшое количество легирующих атомов, имеющих на один внешний электрон меньше, чем другие атомы. Каждый легирующий атом приводит к появлению одного незанятого места, называемого дыркой, среди электронов на … Справочник технического переводчика
Полупроводник n-типа — Схематическое изображение кремния с донорной примесью фосфора Полупроводники n типа полупроводник, в котором основные носители заряда электроны проводимости. Для того, чтобы по … Википедия
Полупроводник p-типа — Необходимо проверить качество перевода и привести статью в соответствие со стилистическими правилами Википедии. Вы можете помочь ул … Википедия
полупроводник m типа — elektroninis puslaidininkis statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. electronic semiconductor; n type semiconductor vok. Elektronenhalbleiter, m; n Halbleiter, m rus. полупроводник m типа, n; электронный полупроводник, m pranc. semi… … Automatikos terminų žodynas
полупроводник p-типа — skylinis puslaidininkis statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. hole semiconductor; P type semiconductor vok. Löcherhalbleiter, m; p Halbleiter, m; p Typ Halbleiter, m rus. дырочный полупроводник, m; полупроводник p типа, m pranc. semi… … Automatikos terminų žodynas
полупроводник n-типа — elektroninis puslaidininkis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. electronic semiconductor; n type semiconductor vok. Elektronenhalbleiter, m; n Halbleiter, m rus. полупроводник n типа, m; электронный полупроводник, m pranc. semi… … Radioelektronikos terminų žodynas
полупроводник p-типа — skylinis puslaidininkis statusas T sritis chemija apibrėžtis Puslaidininkis, kuriame skylių tankis didesnis už laisvųjų elektronų tankį. atitikmenys: angl. defect semiconductor; hole semiconductor; p type semiconductor rus. дырочный… … Chemijos terminų aiškinamasis žodynas
полупроводник n-типа — elektroninis puslaidininkis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. electronic semiconductor; n type semiconductor vok. Überschußhalbleiter, m; Elektronenhalbleiter, m; n Typ Halbleiter, m rus. полупроводник n типа, m; электронный… … Fizikos terminų žodynas
полупроводник смешанного типа — mišrusis puslaidininkis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. mixed semiconductor vok. gemischter Halbleiter, m; Gemischthalbleiter, m; Mischhalbleiter, m rus. полупроводник смешанного типа, m; смешанный полупроводник, m pranc. semi… … Fizikos terminų žodynas
полупроводник дырочного типа — skylinis puslaidininkis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. hole semiconductor; p type semiconductor vok. Löcherhalbleiter, m; p Typ Halbleiter, m rus. дырочный полупроводник, m; полупроводник дырочного типа, m pranc. semi conducteur… … Fizikos terminų žodynas