-
61 continuous (direct) forward current
постоянный прямой ток полупроводникового излучателя
постоянный прямой ток
Iпр
IF
Значение постоянного тока, протекающего через полупроводниковый излучатель в прямом направлении.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
13. Постоянный прямой ток полупроводникового излучателя
Постоянный прямой ток
Continuous (direct) forward current
Iпр
Значение постоянного тока, протекающего через полупроводниковый излучатель в прямом направлении
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > continuous (direct) forward current
-
62 input-to-output capacitance
- проходная емкость оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя)
- Проходная емкость оптопары (оптоэлектрон ного коммутатора, оптоэлектронного переключателя)
проходная емкость оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя)
проходная емкость
Спр
CIO
Значение емкости между входом и выходом оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя).
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
41. Проходная емкость оптопары (оптоэлектрон ного коммутатора, оптоэлектронного переключателя)
Проходная емкость
Input-to-output capacitance
Спр
Значение емкости между входом и выходом оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя)
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > input-to-output capacitance
-
63 rate of rise of state voltage
скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары
скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии
dUз.с/dt
Скорость нарастания выходного напряжения, которое не вызывает переключения фотоприемного элемента тиристорной оптопары из закрытого состояния в открытое при входном токе, равном нулю.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
65. Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии
Rate of rise of state voltage
Скорость нарастания выходного напряжения, которое не вызывает переключения фотоприемного элемента тиристорной оптопары из закрытого состояния в открытое при входном токе, равном нулю
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > rate of rise of state voltage
-
64 forward voltage temperature coefficient
- температурный коэффициент прямого напряжения полупроводникового излучателя
температурный коэффициент прямого напряжения полупроводникового излучателя
температурный коэффициент прямого напряжения
αUпр
αUF
Отношение относительного изменения прямого напряжения полупроводникового излучателя к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
32. Температурный коэффициент прямого напряжения полупроводникового излучателя
Температурный коэффициент прямого напряжения
Forward voltage temperature coefficient
αUпр
Отношение относительного изменения прямого напряжения полупроводникового излучателя к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > forward voltage temperature coefficient
-
65 total thermal resistance
тепловое сопротивление полупроводникового излучателя
тепловое сопротивление
Rпер-кор
Rth-ja
Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры контрольной точки на корпусе полупроводникового излучателя к рассеиваемой мощности излучателя в установившемся режиме.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
31. Тепловое сопротивление полупроводникового излучателя
Тепловое сопротивление
Total thermal resistance
Rпер-кор
Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры контрольной точки на корпусе полупроводникового излучателя к рассеиваемой мощности излучателя в установившемся режиме
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > total thermal resistance
-
66 turn-on current
ток включения тиристорной оптопары
ток включения
Iвкл
Ion
Входной ток тиристорной оптопары обеспечивающий включение фотоприемного элемента.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
56. Ток включения тиристорной оптопары
Ток включения
Turn-on current
Iвкл
Входной ток тиристорной оптопары, обеспечивающий включение фотоприемного элемента
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > turn-on current
-
67 current consumption at high-level of output voltage
- ток потребления при высоком уровне выходного напряжения оптоэлектронного переключателя
ток потребления при высоком уровне выходного напряжения оптоэлектронного переключателя
I1пот
ICCH
Значение тока, потребляемого оптоэлектронным переключателем от источника питания при выходном напряжении высокого уровня.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
EN
79. Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения оптоэлектронного переключателя
Current consumption at high-level of output voltage
I1пот
Значение тока, потребляемого оптоэлектронным переключателем от источника питания при выходном напряжении высокого уровня
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > current consumption at high-level of output voltage
-
68 current consumption at low-level of output voltage
- ток потребления при низком уровне выходного напряжения оптоэлектронного переключателя
ток потребления при низком уровне выходного напряжения оптоэлектронного переключателя
I0пот
ICCL
Значение тока, потребляемого оптоэлектронным переключателем от источника питания при выходном напряжении низкого уровня.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
EN
80. Ток потребления при низком уровне выходного напряжения оптоэлектронного переключателя
Current consumption at low-level of output voltage
I0пот
Значение тока, потребляемого оптоэлектронным переключателем от источника питания при выходном напряжении низкого уровня
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > current consumption at low-level of output voltage
-
69 half-intensity beam
угол излучения полупроводникового излучателя
угол излучения
е
Плоский угол, содержащий оптическую ось полупроводникового излучателя и образованный направлениями, в которых сила излучения больше или равна половине ее максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
6. Угол излучения полупроводникового излучателя
Угол излучения
Half-intensity beam
Θ
Плоский угол, содержащий оптическую ось полупроводникового излучателя и образованный направлениями, в которых сила излучения больше или равна половине ее максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > half-intensity beam
-
70 squinting angle
угол расхождения
σ
Угол между оптической и геометрической осями полупроводникового излучателя.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
EN
12. Угол расхождения
Squinting angle
σ
Угол между оптической и геометрической осями полупроводникового излучателя
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > squinting angle
-
71 spectral radiation bandwidth
- ширина спектра излучения полупроводникового излучателя
- ширина спектра излучений знакосинтезирующего индикатора
ширина спектра (излучений знакосинтезирующего индикатора)
Δλ0,5
Диапазон длин волн, в котором спектральная плотность светового потока знакосинтезирующего индикатора составляет не менее половины ее максимального значения.
[ ГОСТ 25066-91]Тематики
EN
ширина спектра излучения полупроводникового излучателя
ширина спектра
Δλ0,5
Δλ
Интервал длин волн, в котором спектральная плотность мощности излучения больше или равна половине ее максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
8. Ширина спектра излучения полупроводникового излучателя
Ширина спектра
Spectral radiation bandwidth
Δλ0,5
Интервал длин волн, в котором спектральная плотность мощности излучения больше или равна половине ее максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > spectral radiation bandwidth
-
72 temps de recouvrement inverse
время обратного восстановления диода
Ндп. время восстановления обратного сопротивления
tвос, обр, trr
Время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента, когда обратный ток, уменьшаясь от максимального импульсного значения, достигает заданного значения обратного тока.
[ ГОСТ 25529-82]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
время обратного восстановления тиристора
Интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток тиристора уменьшается с его амплитудного значения до заданного значения, или когда экстраполированный обратный ток тиристора достигает нулевого значения.
Обозначение
tвос, обр
trr
Примечания
1. Экстраполяция выполняется через заданные значения тока.
2. Время обратного восстановления равняется сумме времен запаздывания обратного напряжения и спада обратного тока.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
33. Время обратного восстановления диода
Ндп. Время восстановления обратного сопротивления
D. Sperrerholungszeit der Diode
E. Reverse recovery time
F. Temps de recouvrement inverse
tвос,обр
Время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое, значение до момента, когда обратный ток, уменьшаясь от максимального импульсного значения, достигает заданного значения обратного тока
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
114. Время обратного восстановления тиристора
E. Reverse recovery time
F. Temps de recouvrement inverse
tвос,обр
Интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток тиристора уменьшается с его амплитудного значения до заданного значения, или когда экстраполированный обратный ток тиристора достигает нулевого значения.
Примечания:
1. Экстраполяция выполняется через заданные значения тока.
2. Время обратного восстановления равняется сумме времен запаздывания обратного напряжения и спада обратного тока
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps de recouvrement inverse
-
73 temps de recouvrement direct
время прямого восстановления диода
Ндп. время восстановления прямого сопротивления
tвос.пр, tfr
Время, в течение которого происходит включение диода и прямое напряжение на нем устанавливается от значения, равного нулю, до заданного установившегося значения.
[ ГОСТ 25529-82]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
время прямого восстановления тиристора
Время, необходимое для достижения током или напряжением заданного значения после мгновенного переключения с заданного тока в обратном проводящем состоянии тиристора на заданное прямое напряжение.
Обозначение
tвос, пр
tdr
Примечание
Начало времени прямого восстановления - момент прохождения тока через нулевое значение.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
34. Время прямого восстановления диода
Ндп. Время восстановления прямого сопротивления
D. Durchlasserholungszeit der Diode
E. Forward recovery time
F. Temps de recouvrement direct
tвос.пр
Время, в течение которого происходит включение диода и прямое напряжение на нем устанавливается от значения, равного нулю, до заданного установившегося значения
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
117. Время прямого восстановления тиристора
E. Forward recovery time
F. Temps de recouvrement direct
tвос,пр
Время, необходимое для достижения током или напряжением заданного значения после мгновенного переключения с заданного тока в обратном проводящем состоянии тиристора на заданное прямое напряжение.
Примечание. Начало времени прямого восстановления - момент прохождения тока через нулевое значение
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps de recouvrement direct
-
74 tension inverse de pointe non-répétitive
- неповторяющееся импульсное обратное напряжение тиристора
- неповторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода
неповторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода
Uобр.и.нп, URSM
Наибольшее мгновенное значение неповторяющегося переходного обратного напряжения выпрямительного диода.
Примечание
Неповторяющееся переходное напряжение обусловливается обычно внешней причиной и предполагается, что его действие исчезает полностью до появления следующего переходного напряжения.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
неповторяющееся импульсное обратное напряжение тиристора
Наибольшее мгновенное значение неповторяющегося переходного обратного напряжения, прикладываемого к тиристору.
Обозначение
Uобр,нп
URSM
Примечание
Неповторяющееся переходное напряжение обусловливается внешней причиной и предполагается, что его действие исчезает полностью до появления следующего переходного напряжения.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
37. Неповторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода
D. Nichtperiodische Spitzensperrspannung der Diode
E. Non-repetitive (surge) reverse voltage
F. Tension inverse de pointe non-répétitive
Uобр.и.нп
Наибольшее мгновенное значение неповторяющегося переходного обратного напряжения выпрямительного диода.
Примечание. Неповторяющееся переходное напряжение обусловливается обычно внешней причиной и предполагается, что его действие исчезает полностью до появления следующего переходного напряжения
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
21. Неповторяющееся импульсное обратное напряжение тиристора
E. Non-repetitive peak reverse voltage
F. Tension inverse de pointe non-répétitive
Uобр,нп
Наибольшее мгновенное значение неповторяющегося переходного обратного напряжения, прикладываемого к тиристору.
Примечание. См. примечание к термину 6
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension inverse de pointe non-répétitive
-
75 tension inverse de pointe répétitive
- повторяющееся импульсное обратное напряжение тиристора
- повторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода
повторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода
Uобр.и.п, URRM
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные напряжения, но исключая неповторяющиеся переходные напряжения.
Примечание
Повторяющееся напряжение обычно определяется схемой и параметрами диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
повторяющееся импульсное обратное напряжение тиристора
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения, прикладываемого к тиристору, включая только повторяющиеся переходные напряжения.
Обозначение
Uобр,м
URRM
Примечание
Повторяющееся напряжение определяется схемой и параметрами тиристора.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
36. Повторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода
D. Periodische Spitzensperrspannung der Diode
E. Repetitive peak reverse voltage
F. Tension inverse de pointe répétitive
Uобр.и.п
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные напряжения, но исключая неповторяющиеся переходные напряжения.
Примечание. Повторяющееся напряжение обычно определяется схемой и параметрами диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
22. Повторяющееся импульсное обратное напряжение тиристора
E. Repetitive peak reverse voltage
F. Tension inverse de pointe répétitive
Uобр,и
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения, прикладываемого к тиристору, включая только повторяющиеся переходные напряжения.
Примечание. См. примечание к термину 7
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension inverse de pointe répétitive
-
76 résistance thermique
тепловое сопротивление диода
, Rth
Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к рассеиваемой мощности диода в установившемся режиме.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
тепловое сопротивление тиристора
Отношение разности между температурой перехода и температурой в заданной внешней контрольной точке к мощности, рассеиваемой в тиристоре в установившемся режиме.
Обозначение
RT
Rth
Примечания
1. Тепловое сопротивление приводится в К/Вт или °С/Вт.
2. Считается, что весь тепловой поток, возникающий из-за рассеиваемой мощности, протекает через участок, определяющий это тепловое сопротивление.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
21. Тепловое сопротивление диода
D. Wärmewiderstand
E. Thermal resistance
F. Résistance thermique
RΘ
Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к рассеиваемой мощности диода в установившемся режиме
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
126. Тепловое сопротивление тиристора
E. Thermal resistance
F. Résistance thermique
RT
Отношение разности между температурой перехода и температурой в заданной внешней контрольной точке к мощности, рассеиваемой в тиристоре в установившемся режиме.
Примечания:
1. Тепловое сопротивление приводится в К/Вт или °С/Вт.
2. Считается, что весь тепловой поток, возникающий из-за рассеиваемой мощности, протекает через участок, определяющий это тепловое сопротивление
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > résistance thermique
-
77 reverse recovery time
- время переключения
- время обратного восстановления тиристора
- время обратного восстановления диода
- время восстановления запорного слоя (в полупроводниках)
время восстановления запорного слоя (в полупроводниках)
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
время обратного восстановления диода
Ндп. время восстановления обратного сопротивления
tвос, обр, trr
Время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента, когда обратный ток, уменьшаясь от максимального импульсного значения, достигает заданного значения обратного тока.
[ ГОСТ 25529-82]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
время обратного восстановления тиристора
Интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток тиристора уменьшается с его амплитудного значения до заданного значения, или когда экстраполированный обратный ток тиристора достигает нулевого значения.
Обозначение
tвос, обр
trr
Примечания
1. Экстраполяция выполняется через заданные значения тока.
2. Время обратного восстановления равняется сумме времен запаздывания обратного напряжения и спада обратного тока.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
время переключения
Промежуток времени с момента возникновения аварийного режима в распределительной сети до момента подключения к резервному источнику питания системы безопасности.
[ ГОСТ Р 50571. 1-2009 ( МЭК 60364-1: 2005)]
время переключения
tco
Промежуток времени с момента возникновения аварийного режима в стационарной сети до момента подключения к аварийному источнику электроснабжения системы обеспечения безопасности.
[ ГОСТ Р ИСО 8528-12-2005]Тематики
EN
33. Время обратного восстановления диода
Ндп. Время восстановления обратного сопротивления
D. Sperrerholungszeit der Diode
E. Reverse recovery time
F. Temps de recouvrement inverse
tвос,обр
Время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое, значение до момента, когда обратный ток, уменьшаясь от максимального импульсного значения, достигает заданного значения обратного тока
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
114. Время обратного восстановления тиристора
E. Reverse recovery time
F. Temps de recouvrement inverse
tвос,обр
Интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток тиристора уменьшается с его амплитудного значения до заданного значения, или когда экстраполированный обратный ток тиристора достигает нулевого значения.
Примечания:
1. Экстраполяция выполняется через заданные значения тока.
2. Время обратного восстановления равняется сумме времен запаздывания обратного напряжения и спада обратного тока
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > reverse recovery time
-
78 forward recovery time
- время установления прямого напряжения
- время прямого восстановления тиристора
- время прямого восстановления диода
время прямого восстановления диода
Ндп. время восстановления прямого сопротивления
tвос.пр, tfr
Время, в течение которого происходит включение диода и прямое напряжение на нем устанавливается от значения, равного нулю, до заданного установившегося значения.
[ ГОСТ 25529-82]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
время прямого восстановления тиристора
Время, необходимое для достижения током или напряжением заданного значения после мгновенного переключения с заданного тока в обратном проводящем состоянии тиристора на заданное прямое напряжение.
Обозначение
tвос, пр
tdr
Примечание
Начало времени прямого восстановления - момент прохождения тока через нулевое значение.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
время установления прямого напряжения
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
34. Время прямого восстановления диода
Ндп. Время восстановления прямого сопротивления
D. Durchlasserholungszeit der Diode
E. Forward recovery time
F. Temps de recouvrement direct
tвос.пр
Время, в течение которого происходит включение диода и прямое напряжение на нем устанавливается от значения, равного нулю, до заданного установившегося значения
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
117. Время прямого восстановления тиристора
E. Forward recovery time
F. Temps de recouvrement direct
tвос,пр
Время, необходимое для достижения током или напряжением заданного значения после мгновенного переключения с заданного тока в обратном проводящем состоянии тиристора на заданное прямое напряжение.
Примечание. Начало времени прямого восстановления - момент прохождения тока через нулевое значение
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > forward recovery time
-
79 recovered charge
- заряд обратного восстановления тиристора
- заряд восстановления диода
- заряд восстановления (диода или тиристора)
заряд восстановления (диода или тиристора)
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
заряд восстановления диода
Ндп. заряд переключения
Qвос, Qr
Полный заряд диода, вытекающий во внешнюю цепь при переключении диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение.
Примечания
1. Заряд восстановления включает накопленный заряд и заряд емкости обедненного слоя.
2. Заряд восстановления является суммой зарядов запаздывания и спада.
[ ГОСТ 25529-82]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
заряд обратного восстановления тиристора
Полный заряд, вытекающий из тиристора при переключении его с заданного тока в открытом состоянии на заданное обратное напряжение.
Обозначение
Qвос,обр
Qrr
Примечания
1. Заряд обратного восстановления является суммой зарядов запаздывания и спада.
2. Данный заряд включает компоненты, обусловленные как накоплением заряда, так и емкостью обедненного слоя.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
32. Заряд восстановления диода
Ндп. Заряд переключения
D. Sperrerholladung der Diode
E. Recovered charge
F. Charge recouvrée
Qвос
Полный заряд диода, вытекающий во внешнюю цепь при переключении диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение.
Примечания:
1. Заряд восстановления включает накопленный заряд и заряд емкости обедненного слоя.
2. Заряд восстановления является суммой зарядов запаздывания и спада
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
121. Заряд обратного восстановления тиристора
E. Recovered charge
F. Charge de recouvrement inverse
Qвос,обр
Полный заряд, вытекающий из тиристора при переключении его с заданного тока в открытом состоянии на заданное обратное напряжение.
Примечания:
1. Заряд обратного восстановления является суммой зарядов запаздывания и спада.
2. Данный заряд включает компоненты, обусловленные как накоплением заряда, так и емкостью обеденного слоя
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > recovered charge
-
80 peak power dissipation
импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
Обозначение
PИ
PM
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
импульсная рассеиваемая мощность диода
Pи, РМ
Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой диодом.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
15. Импульсная рассеиваемая мощность диода
D. Spitzenverlustleistung der Diode
E. Peak power dissipation
Pи
Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой диодом
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
63. Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
D. Impulsverlustleistung
E. Peak power dissipation
F. Puissance dissipée de crète
Ри
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > peak power dissipation
См. также в других словарях:
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие к рых основано на свойствах полупроводников, однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих p n переходы (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД) и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл.… … Физическая энциклопедия
Полупроводниковые приборы — Полупроводниковые приборы, ППП широкий класс электронных приборов, изготавливаемых из полупроводников. К полупроводниковым приборам относятся: Интегральные схемы (микросхемы) Полупроводниковые диоды (в том числе варикапы, стабилитроны,… … Википедия
Полупроводниковые приборы — ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, электронные приборы, действие которых основано на электрических процессах в полупроводниках. К полупроводниковым приборам, предназначенным для генерирования, усиления и преобразования электрических колебаний, относятся… … Иллюстрированный энциклопедический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие которых основано на свойствах (см.). К ним относятся нелинейные и отрицательные (см.) (резисторы), полупроводниковые (см.), (см.), , (см.) и их разновидности и др. П. п. служат для генерирования,… … Большая политехническая энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Большой Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Основой полупроводниковых приборов являются электронно дырочные переходы – область на границе между полупроводниками с р – и n – проводимостью. Служат для… … Энциклопедия техники
Полупроводниковые приборы — Электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. В электронике (См. Электроника) П. п. служат для преобразования различных сигналов, в энергетике (См. Энергетика) для непосредственного… … Большая советская энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых осн. на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрич. колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор),… … Большой энциклопедический политехнический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т.д.) электрич. колебаний (полупроводн. диод, транзистор, тиристор),… … Естествознание. Энциклопедический словарь
S-приборы — полупроводниковые приборы, действие которых основано на S oбразной вольтамперной характеристике, на которой есть один (АВ) или несколько участков с отрицательным сопротивлением (См. Отрицательное сопротивление) (см. рис.). У… … Большая советская энциклопедия