-
101 постоянное обратное напряжение диода
3. Постоянное обратное напряжение диода
D. Sperrgleichspannung der Diode
E. Reverse continuous voltage
F. Tension inverse continue
Uобр
-
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > постоянное обратное напряжение диода
-
102 постоянное прямое напряжение диода
постоянное прямое* напряжение диода
Uпр, UF
Постоянное значение прямого напряжения при заданном прямом токе полупроводникового диода.
Примечание
В каждом конкретном случае использования термина следует в его наименовании слова "диод" или "СВЧ диод" заменить понятием, определяющим группу диода, например "постоянный обратный ток диода" следует писать "постоянный обратный ток стабилитрона".
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
1. Постоянное прямое* напряжение диода
D. Durchlassgleichspannung der Diode
E. Forward continuous voltage
F. Tension directe continue
Uпр
Постоянное значение прямого напряжения при заданном прямом токе полупроводникового диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > постоянное прямое напряжение диода
-
103 постоянный обратный ток диода
10. Постоянный обратный ток диода
D. Sperrgleichstrom der Diode
E. Reverse continuous current
F. Courant inverse continu
Iобр
-
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > постоянный обратный ток диода
-
104 постоянный прямой ток диода
7. Постоянный прямой ток диода
D. Durchlassgleichstrom der Diode
E. Forward continuous current
F. Courant direct continu
Iпр
-
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > постоянный прямой ток диода
-
105 предельная резистивная частота туннельного диода
предельная резистивная частота туннельного диода
fR
Fr
Значение частоты, на которой активная составляющая полного сопротивления туннельного диода на его выводах обращается в нуль.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
73. Предельная резистивная частота туннельного диода
D. Entdämpfungs-Grenzfrequenz der Tunneldiode
E. Resistive cut-off frequency
F. Fréquence de coupure résistive
fR
Значение частоты, на которой активная составляющая полного сопротивления туннельного диода на его выводах обращается в нуль
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > предельная резистивная частота туннельного диода
-
106 предельная частота варикапа
предельная частота варикапа
fпред.в
fсо
Значение частоты, на которой реактивная составляющая проводимости варикапа становится равной активной составляющей его проводимости при заданных условиях.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
78. Предельная частота варикапа
D. Gütefrequenz der Kapazitätsdiode
E. Cut-off frequency
F. Fréquence de coupure
fпред.в
Значение частоты, на которой реактивная составляющая проводимости варикапа становится равной активной составляющей его проводимости при заданных условиях
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > предельная частота варикапа
-
107 пробивное напряжение диода
пробивное напряжение диода
Uпроб, U(BR)
Значение обратного напряжения, вызывающее пробой перехода диода, при котором обратный ток достигает заданного значения.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
D. Durchbruchspannung der Diode
E. Breakdown voltage
F. Tension de claquage
Uпроб
Значение обратного напряжения, вызывающее пробой перехода диода, при котором обратный ток достигает заданного значения
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение диода
-
108 прямая рассеиваемая мощность диода
прямая рассеиваемая мощность диода
Рпр, РF
Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого тока.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
12. Прямая рассеиваемая мощность диода
D. Durchlassverlustleistung der Diode
E. Forward power dissipation
F. Dissipation de puissance en direct
Pпр
Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого тока
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > прямая рассеиваемая мощность диода
-
109 температурный коэффициент добротности варикапа
температурный коэффициент добротности варикапа
αСв
αQeff
Отношение относительного изменения добротности варикапа к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
79. Температурный коэффициент добротности варикапа
D. Temperaturkoeffizient des Gütefaktors der Kapazitätsdiode
E. Temperature coefficient of quality factor
αCв
Отношение относительного изменения добротности варикапа к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > температурный коэффициент добротности варикапа
-
110 температурный коэффициент емкости варикапа
температурный коэффициент емкости варикапа
αCВ
αСtot
Отношение относительного изменения емкости варикапа к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
77. Температурный коэффициент емкости варикапа
D. Temperaturkoeffizient der Kapazität der Kapazitätsdiode
E. Temperature coefficient of capacitance
αCв
Отношение относительного изменения емкости варикапа к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > температурный коэффициент емкости варикапа
-
111 температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона
температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона
αUст
αUz
Отношение относительного изменения напряжения стабилизации стабилитрона к абсолютному изменению температуры окружающей среды при постоянном значении тока стабилизации
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
85. Температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона
D. Temperaturkoeffizient der Z-Spannung der Z-Diode
E. Temperature coefficient of working voltage
F. Coefficient de temperature de la tension de régulation
αUст
Отношение относительного изменения напряжения стабилизации стабилитрона к абсолютному изменению температуры окружающей среды при постоянном значении тока стабилизации
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона
-
112 тепловое сопротивление диода
тепловое сопротивление диода
, Rth
Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к рассеиваемой мощности диода в установившемся режиме.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
21. Тепловое сопротивление диода
D. Wärmewiderstand
E. Thermal resistance
F. Résistance thermique
RΘ
Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к рассеиваемой мощности диода в установившемся режиме
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > тепловое сопротивление диода
-
113 ток впадины туннельного диода
ток впадины туннельного диода
Iв
IV
Значение прямого тока в точке минимума вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
67. Ток впадины туннельного диода
D. Talstrom der Tunneldiode
E. Valley point current
F. Courant de vallée
Iв
Значение прямого тока в точке минимума вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > ток впадины туннельного диода
-
114 ток стабилизации стабилитрона
ток стабилизации стабилитрона
Iст
Iz
Значение постоянного тока, протекающего через стабилитрон в режиме стабилизации.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
82. Ток стабилизации стабилитрона
D. Z-Strom der Z-Diode
E. Continuous current within the working voltage range
F. Courant continu inverse pour la gamme des tensions de régulation
Iст
Значение постоянного тока, протекающего через стабилитрон в режиме стабилизации
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > ток стабилизации стабилитрона
-
115 фотодиод
фотодиод
Полупроводниковый диод с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- полупроводниковые приборы
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
11. Фотодиод
D. Photodiode
E. Photodiode
F. Photodiode
-
Полупроводниковый диод с р-п переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > фотодиод
-
116 фоторезистор
фоторезистор
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, принцип действия которого основан на эффекте фотопроводимости
[ ГОСТ 21934-83]
[ ГОСТ 15133-77]
фоторезистор
Резистор, сопротивление которого изменяется при воздействии света.
[ http://www.morepc.ru/dict/]Тематики
- полупроводниковые приборы
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
10. Фоторезистор
D. Photowiderstand
E. Photoconductive cell
F. Cellule photoinductive
-
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, принцип действия которого основан на эффекте фотопроводимости
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > фоторезистор
-
117 фототранзистор
фототранзистор
Транзистор, в котором используется фотоэлектрический эффект
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- полупроводниковые приборы
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
17. Фототранзистор
D. Phototransistor
E. Phototransistor
F. Phototransistor
-
Транзистор, в котором используется фотоэлектрический эффект
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > фототранзистор
-
118 шумовая постоянная туннельного диода
шумовая постоянная туннельного диода
NШ
Nn
Величина, определяемая соотношением:
NШ = 20lg Iр/gпер,
где Iр - ток в рабочей точке туннельного диода,
gпер- отрицательная проводимость туннельного диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
74. Шумовая постоянная туннельного диода
D. Rauschfaktor der Tunneldiode
E. Noise factor
F. Facteur de bruit
Nш
Величина, определяемая соотношением:
где Iр - ток в рабочей точке туннельного диода,
gпер - отрицательная проводимость туннельного диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > шумовая постоянная туннельного диода
-
119 временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона
временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона
δUст
δUZ
Отношение наибольшего изменения напряжения стабилизации стабилитрона к начальному значению напряжения стабилизации за заданный интервал времени.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
87. Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона
D. Zeitliche Instabilitat der Z-Spannung der Z-Diode
E. Working voltage long-term instability
F. Instabilité à long terme de la tension de régulation
δUст
Отношение наибольшего изменения напряжения стабилизации стабилитрона к начальному значению напряжения стабилизации за заданный интервал времени
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона
-
120 время включения стабилитрона
время включения стабилитрона
tвкл
tоп
Интервал времени, определяемый с момента переключения стабилитрона из состояния заданного напряжения до момента достижения установившегося напряжения стабилизации.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
86. Время включения стабилитрона
D. Einschaltzeit der Z-Diode
E. Turn-on time
tвкл
Интервал времени, определяемый с момента переключения стабилитрона из состояния заданного напряжения до момента достижения установившегося напряжения стабилизации
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время включения стабилитрона
См. также в других словарях:
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие к рых основано на свойствах полупроводников, однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих p n переходы (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД) и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл.… … Физическая энциклопедия
Полупроводниковые приборы — Полупроводниковые приборы, ППП широкий класс электронных приборов, изготавливаемых из полупроводников. К полупроводниковым приборам относятся: Интегральные схемы (микросхемы) Полупроводниковые диоды (в том числе варикапы, стабилитроны,… … Википедия
Полупроводниковые приборы — ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, электронные приборы, действие которых основано на электрических процессах в полупроводниках. К полупроводниковым приборам, предназначенным для генерирования, усиления и преобразования электрических колебаний, относятся… … Иллюстрированный энциклопедический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие которых основано на свойствах (см.). К ним относятся нелинейные и отрицательные (см.) (резисторы), полупроводниковые (см.), (см.), , (см.) и их разновидности и др. П. п. служат для генерирования,… … Большая политехническая энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Большой Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Основой полупроводниковых приборов являются электронно дырочные переходы – область на границе между полупроводниками с р – и n – проводимостью. Служат для… … Энциклопедия техники
Полупроводниковые приборы — Электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. В электронике (См. Электроника) П. п. служат для преобразования различных сигналов, в энергетике (См. Энергетика) для непосредственного… … Большая советская энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых осн. на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрич. колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор),… … Большой энциклопедический политехнический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т.д.) электрич. колебаний (полупроводн. диод, транзистор, тиристор),… … Естествознание. Энциклопедический словарь
S-приборы — полупроводниковые приборы, действие которых основано на S oбразной вольтамперной характеристике, на которой есть один (АВ) или несколько участков с отрицательным сопротивлением (См. Отрицательное сопротивление) (см. рис.). У… … Большая советская энциклопедия