-
81 время задержки тиристора
время задержки тиристора
Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
tу,зд, tзд
tgd, td
Примечание
Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
E. Delay time
F. Retard à la croissance
tу,зд, tзд
Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением.
Примечание. Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время задержки тиристора
-
82 время запаздывания по управляющему электроду тиристора
время запаздывания по управляющему электроду тиристора
Интервал времени между заданным моментом в начале импульса запирающего тока управления тиристора и моментом, когда основной ток понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при переключении тиристора из открытого состояния в закрытое с помощью импульса запирающего тока управления.
Обозначение
tу,зп
tgl
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
119. Время запаздывания по управляющему электроду тиристора
E. Gate controlled turn-off delay time
F. Temps de retard par la gâchette
ty,зп
Интервал времени между заданным моментом в начале импульса запирающего тока управления тиристора и моментом, когда основной ток понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при переключении тиристора из открытого состояния в закрытое с помощью импульса запирающего тока управления
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время запаздывания по управляющему электроду тиристора
-
83 время нарастания для биполярного транзистора
время нарастания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды.
Обозначение
tнр
tк
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
37. Время нарастания для биполярного транзистора
D. Anstiegszeit
E. Rise time
F. Temps de croissance
tнр
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания для биполярного транзистора
-
84 время нарастания для полевого транзистора
время нарастания для полевого транзистора
время нарастания
Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора.
Обозначение
tнр
tr
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания для полевого транзистора
-
85 время нарастания обратного тока восстановления тиристора
- Temps de croissance d’un courant de recouvrement inverse
- temps de croissance d'un courant de recouvrement inverse
время нарастания обратного тока восстановления тиристора
Интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток тиристора достигает амплитудного значения.
Обозначение
tнр, обр
tS
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
115. Время нарастания обратного тока восстановления тиристора
E. Reverse recovery current rise time
F. Temps de croissance d’un courant de recouvrement inverse
tнр,обр
Интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток тиристора достигает амплитудного значения
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания обратного тока восстановления тиристора
-
86 время нарастания тиристора
время нарастания тиристора
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
tу,пнр, tнр
tgr, tr
Примечание
Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
112. Время нарастания тиристора
E. Rise time
F. Temps de croissance
tу,пнр, tнр
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.
Примечание. Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время нарастания тиристора
-
87 время обратного восстановления тиристора
время обратного восстановления тиристора
Интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток тиристора уменьшается с его амплитудного значения до заданного значения, или когда экстраполированный обратный ток тиристора достигает нулевого значения.
Обозначение
tвос, обр
trr
Примечания
1. Экстраполяция выполняется через заданные значения тока.
2. Время обратного восстановления равняется сумме времен запаздывания обратного напряжения и спада обратного тока.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
114. Время обратного восстановления тиристора
E. Reverse recovery time
F. Temps de recouvrement inverse
tвос,обр
Интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток тиристора уменьшается с его амплитудного значения до заданного значения, или когда экстраполированный обратный ток тиристора достигает нулевого значения.
Примечания:
1. Экстраполяция выполняется через заданные значения тока.
2. Время обратного восстановления равняется сумме времен запаздывания обратного напряжения и спада обратного тока
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время обратного восстановления тиристора
-
88 время прямого восстановления тиристора
время прямого восстановления тиристора
Время, необходимое для достижения током или напряжением заданного значения после мгновенного переключения с заданного тока в обратном проводящем состоянии тиристора на заданное прямое напряжение.
Обозначение
tвос, пр
tdr
Примечание
Начало времени прямого восстановления - момент прохождения тока через нулевое значение.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
117. Время прямого восстановления тиристора
E. Forward recovery time
F. Temps de recouvrement direct
tвос,пр
Время, необходимое для достижения током или напряжением заданного значения после мгновенного переключения с заданного тока в обратном проводящем состоянии тиристора на заданное прямое напряжение.
Примечание. Начало времени прямого восстановления - момент прохождения тока через нулевое значение
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время прямого восстановления тиристора
-
89 время рассасывания для биполярного транзистора
время рассасывания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня.
Обозначение
tрас
ts
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
38. Время рассасывания для биполярного транзистора
D. Speicherzeit
E. Carrier storage time
F. Retard à la décroissance
tрас
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время рассасывания для биполярного транзистора
-
90 время спада для биполярного транзистора
время спада для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
39. Время спада для биполярного транзистора
D. Abfallzeit
E. Fall time
F. Temps de décroissance
tсп
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время спада для биполярного транзистора
-
91 время спада для полевого транзистора
время спада для полевого транзистора
время спада
Интервал времени между 90%-ным и 10%-ным значениями амплитуды среза выходного импульса при выключении транзистора.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время спада для полевого транзистора
-
92 время спада обратного тока восстановления тиристора
- Temps de décroissance d’un courant de recouvrement inverse
- temps de décroissance d'un courant de recouvrement inverse
время спада обратного тока восстановления тиристора
Интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора, изменив направление от прямого на обратное и пройдя нулевое значение, достигает амплитудного значения, и моментом окончания времени обратного восстановления.
Обозначение
tсп, обр
tt
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
116. Время спада обратного тока восстановления тиристора
E. Reverse recovery current fall time
F. Temps de décroissance d’un courant de recouvrement inverse
tсп,обр
Интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора, изменив направление от прямого на обратное и пройдя нулевое значение, достигает амплитудного значения, и моментом окончания времени обратного восстановления
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время спада обратного тока восстановления тиристора
-
93 время спада по управляющему электроду тиристора
время спада по управляющему электроду тиристора
Интервал времени между моментом, когда основной ток понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда он достигает заданного низкого значения при переключении тиристора из открытого состояния в закрытое с помощью импульса запирающего тока управления.
Обозначение
tу,сп
tgf
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
120. Время спада по управляющему электроду тиристора
E. Gate controlled turn-off fall time
F. Temps de décroissance par la gâchette
ty,cп
Интервал времени между моментом, когда основной ток понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда он достигает заданного низкого значения при переключении тиристора из открытого состояния в закрытое с помощью импульса запирающего тока управления
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время спада по управляющему электроду тиристора
-
94 входная емкость биполярного транзистора
- capacité d’entrée
входная емкость биполярного транзистора
Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала.
Обозначение
C11
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- capacité d’entrée
27. Входная емкость биполярного транзистора
D. Eingangskapazität
E. Input capacitance
F. Capacité d’entrée
С*11
Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > входная емкость биполярного транзистора
-
95 входная емкость полевого транзистора
- capacité d’entrée
входная емкость полевого транзистора
входная емкость
Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выводе в схеме с общим истоком.
Обозначение
C11и
C11ss
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- capacité d’entrée
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > входная емкость полевого транзистора
-
96 входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
- Valeur de l’admittance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux
- valeur de l'admittance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux
входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызванному им изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе.
Обозначение
y11
y11
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur de l'admittance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux
21. Входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
D. Komplexer Kleinsignaleingangsleitwert
E. Small-signal value of the short-circuit input admittance
F. Valeur de l’admittance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux
y*11
Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызванному им изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
-
97 входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала
- valeur de l’impédance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux
входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала
Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора.
Обозначение
h11
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- valeur de l’impédance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала
-
98 входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала
- valeur statique de la résistance d’entrée
входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала
Отношение напряжения на входе транзистора к входному току при заданном постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер в схеме с общим эмиттером.
Обозначение
h11Э
h11E
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
FR
- valeur statique de la résistance d’entrée
19. Входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала
E. Static value of the input resistance
F. Valeur statique de la résistance d’entrée
h11Э
Отношение напряжения на входе транзистора к входному току при заданном постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер в схеме с общим эмиттером
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала
-
99 вывод полупроводникового прибора
вывод полупроводникового прибора
вывод
Элемент конструкции корпуса полупроводникового прибора, необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней электрической цепью.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > вывод полупроводникового прибора
-
100 выключение тиристора
выключение тиристора
Переход тиристора из открытого состояния в закрытое при приложении обратного напряжения, уменьшении прямого тока или при подаче тока управления.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > выключение тиристора
См. также в других словарях:
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие к рых основано на свойствах полупроводников, однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих p n переходы (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД) и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл.… … Физическая энциклопедия
Полупроводниковые приборы — Полупроводниковые приборы, ППП широкий класс электронных приборов, изготавливаемых из полупроводников. К полупроводниковым приборам относятся: Интегральные схемы (микросхемы) Полупроводниковые диоды (в том числе варикапы, стабилитроны,… … Википедия
Полупроводниковые приборы — ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, электронные приборы, действие которых основано на электрических процессах в полупроводниках. К полупроводниковым приборам, предназначенным для генерирования, усиления и преобразования электрических колебаний, относятся… … Иллюстрированный энциклопедический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие которых основано на свойствах (см.). К ним относятся нелинейные и отрицательные (см.) (резисторы), полупроводниковые (см.), (см.), , (см.) и их разновидности и др. П. п. служат для генерирования,… … Большая политехническая энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Большой Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Основой полупроводниковых приборов являются электронно дырочные переходы – область на границе между полупроводниками с р – и n – проводимостью. Служат для… … Энциклопедия техники
Полупроводниковые приборы — Электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. В электронике (См. Электроника) П. п. служат для преобразования различных сигналов, в энергетике (См. Энергетика) для непосредственного… … Большая советская энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых осн. на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрич. колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор),… … Большой энциклопедический политехнический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т.д.) электрич. колебаний (полупроводн. диод, транзистор, тиристор),… … Естествознание. Энциклопедический словарь
S-приборы — полупроводниковые приборы, действие которых основано на S oбразной вольтамперной характеристике, на которой есть один (АВ) или несколько участков с отрицательным сопротивлением (См. Отрицательное сопротивление) (см. рис.). У… … Большая советская энциклопедия