-
101 постоянное прямое напряжение диода
постоянное прямое* напряжение диода
Uпр, UF
Постоянное значение прямого напряжения при заданном прямом токе полупроводникового диода.
Примечание
В каждом конкретном случае использования термина следует в его наименовании слова "диод" или "СВЧ диод" заменить понятием, определяющим группу диода, например "постоянный обратный ток диода" следует писать "постоянный обратный ток стабилитрона".
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
1. Постоянное прямое* напряжение диода
D. Durchlassgleichspannung der Diode
E. Forward continuous voltage
F. Tension directe continue
Uпр
Постоянное значение прямого напряжения при заданном прямом токе полупроводникового диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > постоянное прямое напряжение диода
-
102 постоянный обратный ток диода
10. Постоянный обратный ток диода
D. Sperrgleichstrom der Diode
E. Reverse continuous current
F. Courant inverse continu
Iобр
-
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > постоянный обратный ток диода
-
103 постоянный прямой ток диода
7. Постоянный прямой ток диода
D. Durchlassgleichstrom der Diode
E. Forward continuous current
F. Courant direct continu
Iпр
-
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > постоянный прямой ток диода
-
104 потери преобразования смесительного диода
потери преобразования смесительного диода
Lпрб
Lc
Отношение мощности СВЧ сигнала на входе диодной камеры к мощности сигнала промежуточной частоты в нагрузке смесительного диода в рабочем режиме.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
FR
130. Потери преобразования смесительного диода
E. Conversion loss
F. Perte de conversion
Lпрб
Отношение мощности СВЧ сигнала на входе диодной камеры к мощности сигнала промежуточной частоты в нагрузке смесительного диода в рабочем режиме
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > потери преобразования смесительного диода
-
105 предельная резистивная частота туннельного диода
предельная резистивная частота туннельного диода
fR
Fr
Значение частоты, на которой активная составляющая полного сопротивления туннельного диода на его выводах обращается в нуль.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
73. Предельная резистивная частота туннельного диода
D. Entdämpfungs-Grenzfrequenz der Tunneldiode
E. Resistive cut-off frequency
F. Fréquence de coupure résistive
fR
Значение частоты, на которой активная составляющая полного сопротивления туннельного диода на его выводах обращается в нуль
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > предельная резистивная частота туннельного диода
-
106 предельная частота варикапа
предельная частота варикапа
fпред.в
fсо
Значение частоты, на которой реактивная составляющая проводимости варикапа становится равной активной составляющей его проводимости при заданных условиях.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
78. Предельная частота варикапа
D. Gütefrequenz der Kapazitätsdiode
E. Cut-off frequency
F. Fréquence de coupure
fпред.в
Значение частоты, на которой реактивная составляющая проводимости варикапа становится равной активной составляющей его проводимости при заданных условиях
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > предельная частота варикапа
-
107 пробивное напряжение диода
пробивное напряжение диода
Uпроб, U(BR)
Значение обратного напряжения, вызывающее пробой перехода диода, при котором обратный ток достигает заданного значения.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
D. Durchbruchspannung der Diode
E. Breakdown voltage
F. Tension de claquage
Uпроб
Значение обратного напряжения, вызывающее пробой перехода диода, при котором обратный ток достигает заданного значения
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение диода
-
108 прямая рассеиваемая мощность диода
прямая рассеиваемая мощность диода
Рпр, РF
Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого тока.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
12. Прямая рассеиваемая мощность диода
D. Durchlassverlustleistung der Diode
E. Forward power dissipation
F. Dissipation de puissance en direct
Pпр
Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого тока
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > прямая рассеиваемая мощность диода
-
109 рассеиваемая мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении
рассеиваемая мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении
Рвос.пр
PFT
Мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного обратного напряжения на заданный прямой ток.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
FR
54. Рассеиваемая мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении
E. Total instantaneous turn-on dissipation
F. Dissipation totale instantanée a l’etablissement du courant
Рвос.пр
Мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного обратного напряжения на заданный прямой ток
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > рассеиваемая мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении
-
110 температурный коэффициент добротности варикапа
температурный коэффициент добротности варикапа
αСв
αQeff
Отношение относительного изменения добротности варикапа к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
79. Температурный коэффициент добротности варикапа
D. Temperaturkoeffizient des Gütefaktors der Kapazitätsdiode
E. Temperature coefficient of quality factor
αCв
Отношение относительного изменения добротности варикапа к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > температурный коэффициент добротности варикапа
-
111 температурный коэффициент емкости варикапа
температурный коэффициент емкости варикапа
αCВ
αСtot
Отношение относительного изменения емкости варикапа к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
77. Температурный коэффициент емкости варикапа
D. Temperaturkoeffizient der Kapazität der Kapazitätsdiode
E. Temperature coefficient of capacitance
αCв
Отношение относительного изменения емкости варикапа к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > температурный коэффициент емкости варикапа
-
112 температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона
температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона
αUст
αUz
Отношение относительного изменения напряжения стабилизации стабилитрона к абсолютному изменению температуры окружающей среды при постоянном значении тока стабилизации
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
85. Температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона
D. Temperaturkoeffizient der Z-Spannung der Z-Diode
E. Temperature coefficient of working voltage
F. Coefficient de temperature de la tension de régulation
αUст
Отношение относительного изменения напряжения стабилизации стабилитрона к абсолютному изменению температуры окружающей среды при постоянном значении тока стабилизации
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона
-
113 тепловое сопротивление диода
тепловое сопротивление диода
, Rth
Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к рассеиваемой мощности диода в установившемся режиме.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
21. Тепловое сопротивление диода
D. Wärmewiderstand
E. Thermal resistance
F. Résistance thermique
RΘ
Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к рассеиваемой мощности диода в установившемся режиме
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > тепловое сопротивление диода
-
114 ток впадины туннельного диода
ток впадины туннельного диода
Iв
IV
Значение прямого тока в точке минимума вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
67. Ток впадины туннельного диода
D. Talstrom der Tunneldiode
E. Valley point current
F. Courant de vallée
Iв
Значение прямого тока в точке минимума вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > ток впадины туннельного диода
-
115 ток перегрузки выпрямительного диода
ток перегрузки выпрямительного диода
Iпрг
I(OV)
Значение прямого тока выпрямительного диода, длительное протекание которого вызвало бы превышение максимально допустимой температуры перехода, но который так ограничен во времени, что эта температура не превышается.
Примечание
За время эксплуатации диода число воздействий током перегрузки не ограничивается.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
FR
42. Ток перегрузки выпрямительного диода
E. Overload forward current
F. Courant direct de surcharge prévisible
Iпрг
Значение прямого тока выпрямительного диода, длительное протекание которого вызвало бы превышение максимально допустимой температуры перехода, но который так ограничен во времени, что эта температура не превышается.
Примечание. За время эксплуатации диода число воздействий током перегрузки не ограничивается
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > ток перегрузки выпрямительного диода
-
116 ток стабилизации стабилитрона
ток стабилизации стабилитрона
Iст
Iz
Значение постоянного тока, протекающего через стабилитрон в режиме стабилизации.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
82. Ток стабилизации стабилитрона
D. Z-Strom der Z-Diode
E. Continuous current within the working voltage range
F. Courant continu inverse pour la gamme des tensions de régulation
Iст
Значение постоянного тока, протекающего через стабилитрон в режиме стабилизации
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > ток стабилизации стабилитрона
-
117 фотодиод
фотодиод
Полупроводниковый диод с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- полупроводниковые приборы
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
11. Фотодиод
D. Photodiode
E. Photodiode
F. Photodiode
-
Полупроводниковый диод с р-п переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > фотодиод
-
118 фоторезистор
фоторезистор
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, принцип действия которого основан на эффекте фотопроводимости
[ ГОСТ 21934-83]
[ ГОСТ 15133-77]
фоторезистор
Резистор, сопротивление которого изменяется при воздействии света.
[ http://www.morepc.ru/dict/]Тематики
- полупроводниковые приборы
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
10. Фоторезистор
D. Photowiderstand
E. Photoconductive cell
F. Cellule photoinductive
-
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, принцип действия которого основан на эффекте фотопроводимости
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > фоторезистор
-
119 фототранзистор
фототранзистор
Транзистор, в котором используется фотоэлектрический эффект
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- полупроводниковые приборы
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
17. Фототранзистор
D. Phototransistor
E. Phototransistor
F. Phototransistor
-
Транзистор, в котором используется фотоэлектрический эффект
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > фототранзистор
-
120 чувствительность по току СВЧ диода
чувствительность по току СВЧ диода
ßI
Отношение приращения выпрямительного тока диода к вызвавшей это приращение СВЧ мощности на входе диодной камеры с СВЧ диодом в рабочем режиме при заданной нагрузке.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
FR
135. Чувствительность по току СВЧ диода
E. Total current sensitivity
F. Sensibilité totale en courant
βI
Отношение приращения выпрямительного тока диода к вызвавшей это приращение СВЧ мощности на входе диодной камеры с СВЧ диодом в рабочем режиме при заданной нагрузке
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > чувствительность по току СВЧ диода
См. также в других словарях:
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие к рых основано на свойствах полупроводников, однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих p n переходы (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД) и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл.… … Физическая энциклопедия
Полупроводниковые приборы — Полупроводниковые приборы, ППП широкий класс электронных приборов, изготавливаемых из полупроводников. К полупроводниковым приборам относятся: Интегральные схемы (микросхемы) Полупроводниковые диоды (в том числе варикапы, стабилитроны,… … Википедия
Полупроводниковые приборы — ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, электронные приборы, действие которых основано на электрических процессах в полупроводниках. К полупроводниковым приборам, предназначенным для генерирования, усиления и преобразования электрических колебаний, относятся… … Иллюстрированный энциклопедический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие которых основано на свойствах (см.). К ним относятся нелинейные и отрицательные (см.) (резисторы), полупроводниковые (см.), (см.), , (см.) и их разновидности и др. П. п. служат для генерирования,… … Большая политехническая энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Большой Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор) … Энциклопедический словарь
полупроводниковые приборы — электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. Основой полупроводниковых приборов являются электронно дырочные переходы – область на границе между полупроводниками с р – и n – проводимостью. Служат для… … Энциклопедия техники
Полупроводниковые приборы — Электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. В электронике (См. Электроника) П. п. служат для преобразования различных сигналов, в энергетике (См. Энергетика) для непосредственного… … Большая советская энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых осн. на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрич. колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор),… … Большой энциклопедический политехнический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — электронные приборы, действие к рых основано на электронных процессах в полупроводниках. Служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т.д.) электрич. колебаний (полупроводн. диод, транзистор, тиристор),… … Естествознание. Энциклопедический словарь
S-приборы — полупроводниковые приборы, действие которых основано на S oбразной вольтамперной характеристике, на которой есть один (АВ) или несколько участков с отрицательным сопротивлением (См. Отрицательное сопротивление) (см. рис.). У… … Большая советская энциклопедия