-
1 корпус полупроводникового прибора
Большой англо-русский и русско-английский словарь > корпус полупроводникового прибора
-
2 глубина канала
( полупроводникового прибора) channel depth -
3 металлическая база
( полупроводникового прибора) metal baseАнгло-русский словарь технических терминов > металлическая база
-
4 нечувствительная область
( полупроводникового датчика) inactive regionАнгло-русский словарь технических терминов > нечувствительная область
-
5 период закрытого состояния
Англо-русский словарь технических терминов > период закрытого состояния
-
6 период открытого состояния
( полупроводникового прибора) conducting [conduction\] periodАнгло-русский словарь технических терминов > период открытого состояния
-
7 режим объемного заряда
( полупроводникового прибора) saturationАнгло-русский словарь технических терминов > режим объемного заряда
-
8 peak forward current
- импульсный прямой ток полупроводникового излучателя
- импульсный прямой ток диода
- импульсный прямой ток (элемента отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора)
импульсный прямой ток (элемента отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора)
Iпр.и (IFм)
Наибольшее мгновенное значение прямого тока, протекающего через элемент отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора при заданной скважности и длительности импульса.
[ ГОСТ 25066-91]Тематики
EN
импульсный прямой ток диода
Iпр.и
IFM
Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
импульсный прямой ток полупроводникового излучателя
импульсный прямой ток
Iпр.и
IFM
Наибольшее мгновенное значение прямого тока, протекающего через полупроводниковый излучатель, при заданной скважности и длительности импульса.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
EN
8. Импульсный прямой ток диода
D. Spitzendurchlassstrom der Diode
E. Peak forward current
F. Courant direct de crête
Iпр.и
Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
14. Импульсный прямой ток полупроводникового излучателя
Импульсный прямой ток
Peak forward current
Iпр.и
Наибольшее мгновенное значение прямого тока, протекающего через полупроводниковый излучатель, при заданной скважности и длительности импульса
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > peak forward current
-
9 detector aperture stop
- апертурная диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
апертурная диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
апертурная диафрагма ФЭПП
Конструктивный элемент, ограничивающий эффективное поле зрения фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
47. Апертурная диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
Апертурная диафрагма ФЭПП
D. Aperturblende des Photoempfängers
E. Detector aperture stop
F. Diaphragme d'ouverture du détecteur
-
Конструктивный элемент, ограничивающий эффективное поле зрения фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > detector aperture stop
-
10 turn-on delay time
- время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
- время задержки включения полевого транзистора
- время задержки включения оптоэлектронного переключателя
время задержки выключения оптоэлектронного переключателя
время задержки выключения
t0,1зд
tDLN
Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,9 или на заданных значениях напряжения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
время задержки включения полевого транзистора
время задержки включения
Интервал времени между 10%-ным значением амплитуды фронта входного импульса, включающего полевой транзистор, и 10%-ным значением амплитуды фронта выходного импульса.
Обозначение
tзд.вкл
td(on)
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
время задержки при включении
tзд.из
td
Интервал времени между 10% значения импульса тока и 10% значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
29. Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
Время задержки при включении
Turn-on delay time
tзд.из
Интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
83. Время задержки включения оптоэлектронного переключателя
Время задержки включения
Turn-on delay time
t1и0зд
Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,1 или на заданных значениях напряжения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > turn-on delay time
-
11 fall time
- время среза (заднего фронта) импульса
- время спада сигнала интегральной микросхемы
- время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
- время спада для полевого транзистора
- время спада для биполярного транзистора
- время спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
- время спада
время спада
время затухания
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
Синонимы
EN
время спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время спада
tсп
tf
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 90 до 10% своего максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
время спада для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время спада для полевого транзистора
время спада
Интервал времени между 90%-ным и 10%-ным значениями амплитуды среза выходного импульса при выключении транзистора.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
время спада импульса
tсп.из
tf
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10% своего максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
время спада сигнала интегральной микросхемы
время спада сигнала
Интервал времени спада сигнала от уровня 0,9 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
время среза (заднего фронта) импульса
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
28. Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
Время спада импульса
Fall time
tсп.из
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
49. Время спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
Время спада
Fall time
tсп
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
39. Время спада для биполярного транзистора
D. Abfallzeit
E. Fall time
F. Temps de décroissance
tсп
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > fall time
-
12 detector window
входное окно фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
входное окно ФЭПП
Оптический элемент, входящий в конструкцию корпуса фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и пропускающий излучение к фоточувствительному элементу.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
46. Входное окно фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
Входное окно ФЭПП
D. Photoempfängereingangsfenster
E. Detector window
F. Fenétre du détecteur
-
Оптический элемент, входящий в конструкцию корпуса фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и пропускающий излучение к фоточувствительному элементу
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > detector window
-
13 detector terminal
вывод фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
вывод ФЭПП
Элемент конструкции корпуса фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней электрической цепью.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
41. Вывод фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
Вывод ФЭПП
D. Photoempfängeranschluss
E. Detector terminal
F. Branchement du détecteur
-
Элемент конструкции корпуса фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней электрической цепью
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > detector terminal
-
14 mechanical axis
геометрическая ось полупроводникового излучателя
геометрическая ось
Воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
11. Геометрическая ось полупроводникового излучателя
Геометрическая ось
Mechanical axis
-
Воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > mechanical axis
-
15 radiation diagram
- диаграмма направленности излучения полупроводникового излучателя
- диаграмма направленности излучения знакосинтезирующего индикатора
- диаграмма направленности
диаграмма направленности
—
[ http://www.iks-media.ru/glossary/index.html?glossid=2400324]Тематики
- электросвязь, основные понятия
EN
диаграмма направленности излучения (знакосинтезирующего индикатора)
График зависимости силы света, яркости или собственного яркостного контраста знакосинтезирующего индикатора от угла наблюдения.
[ ГОСТ 25066-91]Тематики
EN
диаграмма направленности излучения полупроводникового излучателя
диаграмма направленности излучения
Диаграмма, характеризующая пространственное распределение излучения от полупроводникового излучателя относительно его оптической оси.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
5. Диаграмма направленности излучения полупроводникового излучателя
Диаграмма направленности излучения
Radiation diagram
-
Диаграмма, характеризующая пространственное распределение излучения от полупроводникового излучателя относительно его оптической оси
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > radiation diagram
-
16 dynamic resistance
- резонансное сопротивление (параллельного колебательного контура)
- динамическое сопротивление прибора М-типа
- динамическое сопротивление полупроводникового излучателя
динамическое сопротивление полупроводникового излучателя
динамическое сопротивление
Rдин
RD
Значение сопротивления, определяемое по наклону прямой, аппроксимирующей вольт-амперную характеристику полупроводникового излучателя при заданном прямом токе.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
динамическое сопротивление прибора М-типа
динамическое сопротивление
RД
Отношение малого приращения напряжения анода к соответствующему приращению тока анода прибора М-типа, характеризующее наклон вольт-амперной характеристики в заданной рабочей точке.
[ ГОСТ 23769-79]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
резонансное сопротивление (параллельного колебательного контура)
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
24. Динамическое сопротивление полупроводникового излучателя
Динамическое сопротивление
Dynamic resistance
Rдин
Значение сопротивления, определяемое по наклону прямой, аппроксимирующей вольт-амперную характеристику полупроводникового излучателя при заданном прямом токе
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
233. Динамическое сопротивление прибора М-типа
Динамическое сопротивление
Dynamic resistance
Rд
Отношение малого приращения напряжения анода к соответствующему приращению тока анода прибора М-типа, характеризующее наклон вольтамперной характеристики в заданной рабочей точке
Источник: ГОСТ 23769-79: Приборы электронные и устройства защитные СВЧ. Термины, определения и буквенные обозначения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > dynamic resistance
-
17 peak emission wavelength
длина волны максимума излучения полупроводникового излучателя
длина волны излучения
λmax
λp
Длина волны, соответствующая максимуму спектральной плотности потока излучения полупроводникового излучателя.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
7. Длина волны максимума излучения полупроводникового излучателя
Длина волны излучения
Peak emission wavelength
λmax
Длина волны, соответствующая максимуму спектральной плотности потока излучения полупроводникового излучателя
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > peak emission wavelength
-
18 detector optical immersion element
- иммерсионный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
иммерсионный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
иммерсионный элемент ФЭПП
Оптический элемент, находящийся в оптическом контакте с фоточувствительным элементом фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и служащий для концентрации потока излучения.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
44. Иммерсионный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
Иммерсионный элемент ФЭПП
D. Photoempfängerimmersionselement
E. Detector optical immersion element
F. Elément à immersion du détecteur
-
Оптический элемент, находящийся в оптическом контакте с фоточувствительным элементом фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и служащий для концентрации потока излучения
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > detector optical immersion element
-
19 peak reverse voltage
- максимальное обратное напряжение
- Импульсное обратное напряжение полупроводникового излучателя
- импульсное обратное напряжение диода
- импульсное обратное напряжение (на элементе отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора)
импульсное обратное напряжение (на элементе отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора)
Uобр.и (URM)
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения на элементе отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора.
[ ГОСТ 25066-91]Тематики
EN
импульсное обратное напряжение диода
Uобр.и, URM
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
максимальное обратное напряжение
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
4. Импульсное обратное напряжение диода
D. Spitzensperrspannung der Diode
E. Peak reverse voltage
F. Tension inverse de crête
Uобр.и
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
20. Импульсное обратное напряжение полупроводникового излучателя
Импульсное обратное напряжение
Peak reverse voltage
Uобр.и
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения на полупроводниковом излучателе
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > peak reverse voltage
-
20 photodetector package
корпус фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
корпус ФЭПП
Часть конструкции фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, предназначенная для защиты ФЭПП от воздействия окружающей среды и присоединения его к внешним схемам с помощью выводов.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
43. Корпус фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
Корпус ФЭПП
D. Photoempfängergehause
E. Photodetector package
F. Boitier du détecteur
-
Часть конструкции фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, предназначенная для защиты ФЭПП от воздействия окружающей среды и присоединения его к внешним схемам с помощью выводов
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > photodetector package
См. также в других словарях:
абсолютная эффективность спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения — абсолютная эффективность спектрометрического ППД Отношение числа импульсов, возникающих на сигнальных выводах полупроводникового детектора ионизирующего излучения в пике полного поглощения, за вычетом фоновых импульсов, к числу ионизирующих… … Справочник технического переводчика
аналоговая чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего излучения — аналоговая чувствительность ППД Чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего излучения, у которого информативным параметром выходного сигнала является электрический ток или заряд, а физической величиной, характеризующей источники… … Справочник технического переводчика
временное разрешение полупроводникового детектора ионизирующего излучения — временное разрешение ППД Ширина распределения интервалов времени от момента попадания ионизирующей частоты в чувствительную область полупроводникового детектора ионизирующего излучения до момента, когда амплитуда импульса выходного сигнала… … Справочник технического переводчика
время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения — время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала ППД Интервал времени, в течение которого импульс заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения изменяется от 10 до 90 % от его… … Справочник технического переводчика
вспомогательное плечо полупроводникового преобразователя — Любое плечо полупроводникового преобразователя, кроме главного плеча полупроводникового преобразователя. [ГОСТ 23414 84] Тематики преобразователь электроэнергии … Справочник технического переводчика
главное плечо полупроводникового преобразователя — Плечо полупроводникового преобразователя, участвующее в передаче большей части энергии от одной стороны полупроводникового преобразователя к другой. [ГОСТ 23414 84] Тематики преобразователь электроэнергии … Справочник технического переводчика
дискретная чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего излучения — дискретная чувствительность ППД Чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего излучения, у которого информативным параметром выходного сигнала является число импульсов, имеющих амплитуду больше определенного значения, а физической… … Справочник технического переводчика
дискретная эффективность полупроводникового детектора ионизирующего излучения — дискретная эффективность ППД Выраженное в процентах отношение числа импульсов, возникающих на сигнальных выводах полупроводникового детектора ионизирующего излучения, к числу ионизирующих частиц, упавших на определенную поверхность внешнего… … Справочник технического переводчика
импульсное управление полупроводникового преобразователя — Метод управления режимом работы полупроводникового преобразователя путем изменения моментов начала и конца повторяющихся интервалов открытого состояния главного плеча полупроводникового преобразователя. [ГОСТ 23414 84] Тематики преобразователь… … Справочник технического переводчика
коммутирующее плечо полупроводникового преобразователя — Вспомогательное плечо полупроводникового преобразователя, предназначенное для коммутации тока непосредственно от проводящего плеча полупроводникового преобразователя. [ГОСТ 23414 84] Тематики преобразователь электроэнергии … Справочник технического переводчика
коэффициент преобразования материала полупроводникового детектора ионизирующего излучения — коэффициент преобразования материала ППД Физическая постоянная, численно равная отношению заряда, создаваемого в определенном объеме полупроводникового материала полупроводникового детектора ионизирующего излучения ионизирующей частицей, к… … Справочник технического переводчика