-
101 Schmerzunempfindlichkeit
сущ.1) мед. невосприимчивость к боли, отсутствие болевой чувствительности2) психол. аналгезия (отсутствие болевой чувствительности)Универсальный немецко-русский словарь > Schmerzunempfindlichkeit
-
102 tension de claquage collecteur-émetteur de phototransistor
пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uэпр к
UBR CEO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
105. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
D. Kollektor-Emitter-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-emitters breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-émetteur de phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension de claquage collecteur-émetteur de phototransistor
-
103 tension de claquage émetteur-collecteur de phototransistor
пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпрэ
UBR ECO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
108. Пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
D. Emitter-Kollektor-Durch-bruchspannung eines Phtototransistors
E. Emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage émetteur-collecteur de phototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension de claquage émetteur-collecteur de phototransistor
-
104 Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпр к
UBR CBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-base de
phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
-
105 Kollektor-Emitter-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uэпр к
UBR CEO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
105. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
D. Kollektor-Emitter-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-emitters breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-émetteur de phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Kollektor-Emitter-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
-
106 Emitter-Kollektor-Durch-bruchspannung eines Phtototransistors
пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпрэ
UBR ECO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
108. Пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
D. Emitter-Kollektor-Durch-bruchspannung eines Phtototransistors
E. Emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage émetteur-collecteur de phototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Emitter-Kollektor-Durch-bruchspannung eines Phtototransistors
-
107 Dunkelwiderstand
темновое сопротивление ФЭПП
Сопротивление ФЭПП в отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности.
Обозначение
Rт
Rd
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- résistance d’obscurité
55. Темновое сопротивление ФЭПП
D. Dunkelwiderstand
E. Dark resistance
F. Resistance d'obscurité
Rt
Сопротивление ФЭПП в отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Dunkelwiderstand
-
108 Kollektor-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors
темновой ток коллектор-база фототранзистора
Ток в цепи коллектора, протекающий при отсутствии тока в эмиттере при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
IбТ К
IСBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant d’obscurité collecteur-base de phototransistor
113. Темновой ток коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors
E. Collector-base dark current of a photo-transistor
F. Courant d'obscurité collecteur-base de phototransistor
Ток в цепи коллектора, протекающий при отсутствии тока в эмиттере при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Kollektor-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors
-
109 Kollektor-Emitter-Dunkel-strom eines Phototransistors
темновой ток коллектор-эмиттер фототранзистора
Ток в цепи коллектора при отсутствии тока в базе, протекающий при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
IэТ К
IСEO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant d’obscurité collecteur-émetteur de phototransistor
112. Темновой ток коллектор-эмиттер фототранзистора
D. Kollektor-Emitter-Dunkel-strom eines Phototransistors
E. Collector-emitter dark current of a phototransistor
F. Courant d'obscurité collecteur-émetteur de phototransistor
Ток в цепи коллектора при отсутствии тока в базе, протекающий при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Kollektor-Emitter-Dunkel-strom eines Phototransistors
-
110 Emitter-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors
темновой ток эмиттер-база фототранзистора
Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в коллекторе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
IбТ Э
IEBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant d’obscurité émetteur-base de phototransistor
114. Темновой ток эмиттер-база фототранзистора
D. Emitter-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors
E. Emitter-base dark current of a phototransistor
F. Courant d'obscurité émetteur-base de phototransistor
Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в коллекторе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Emitter-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors
-
111 Emitter-Kollektor-Dunkelstrom eines Phototransistors
темновой ток эмиттер-коллектор фототранзистора
Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в базе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
IкТ Э
IECO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant d’obscurité émetteur-collecteur de phototransistor
115. Темновой ток эмиттер-коллектор фототранзистора
D. Emitter-Kollektor-Dunkelstrom eines Phototransistors
E. Emitter-collector dark current of a phototransistor
F. Courant d'obscurité émetteur-collecteur de phototransistor
Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в базе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Emitter-Kollektor-Dunkelstrom eines Phototransistors
-
112 Dunkelstrom
темповой ток ФЭПП
Ток, протекающий через ФЭПП при указанном напряжении на нем в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Iт
Id
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant d’obscurité
D. Dunkelstrom
E. Dark current
F. Courant d'obscurité
It
Ток, протекающий через ФЭПП при указанном напряжении на нем в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Dunkelstrom
-
113 collector-base breakdown voltage of a phototransistor
пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпр к
UBR CBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-base de
phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > collector-base breakdown voltage of a phototransistor
-
114 collector-emitters breakdown voltage of a phototransistor
пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uэпр к
UBR CEO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
105. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
D. Kollektor-Emitter-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-emitters breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-émetteur de phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > collector-emitters breakdown voltage of a phototransistor
-
115 emitter-base breakdown voltage of a phototransistor
пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uбпрэ
UBR EBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
107. Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
D. Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
E. Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage emetteur-base de
pbototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > emitter-base breakdown voltage of a phototransistor
-
116 emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor
пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпрэ
UBR ECO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
108. Пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
D. Emitter-Kollektor-Durch-bruchspannung eines Phtototransistors
E. Emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage émetteur-collecteur de phototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor
-
117 dark resistance
- темновое сопротивление ФЭПП
- темновое сопротивление (фотоэлемента)
- темновое выходное сопротивление резисторной оптопары
темновое выходное сопротивление резисторной оптопары
темновое сопротивление
Rвых.т
Ro
Значение сопротивления фотоприемного элемента при отсутствии воздействия на него потока излучения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
темновое сопротивление (фотоэлемента)
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
темновое сопротивление ФЭПП
Сопротивление ФЭПП в отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности.
Обозначение
Rт
Rd
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- résistance d’obscurité
61. Темновое выходное сопротивление резисторной оптопары
Темновое сопротивление
Dark resistance
Rвых.т
Значение сопротивления фотоприемного элемента при отсутствии воздействия на него потока излучения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
55. Темновое сопротивление ФЭПП
D. Dunkelwiderstand
E. Dark resistance
F. Resistance d'obscurité
Rt
Сопротивление ФЭПП в отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > dark resistance
-
118 dark current
темновой ток
Сигнал, возникающий на выходе ПЗС-матрицы при отсутствии падающего света.
[ http://www.vidimost.com/glossary.html]Тематики
- телевидение, радиовещание, видео
EN
темповой ток ФЭПП
Ток, протекающий через ФЭПП при указанном напряжении на нем в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Iт
Id
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant d’obscurité
D. Dunkelstrom
E. Dark current
F. Courant d'obscurité
It
Ток, протекающий через ФЭПП при указанном напряжении на нем в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > dark current
-
119 collector-emitter dark current of a phototransistor
темновой ток коллектор-эмиттер фототранзистора
Ток в цепи коллектора при отсутствии тока в базе, протекающий при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
IэТ К
IСEO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant d’obscurité collecteur-émetteur de phototransistor
112. Темновой ток коллектор-эмиттер фототранзистора
D. Kollektor-Emitter-Dunkel-strom eines Phototransistors
E. Collector-emitter dark current of a phototransistor
F. Courant d'obscurité collecteur-émetteur de phototransistor
Ток в цепи коллектора при отсутствии тока в базе, протекающий при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > collector-emitter dark current of a phototransistor
-
120 emitter-base dark current of a phototransistor
темновой ток эмиттер-база фототранзистора
Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в коллекторе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
IбТ Э
IEBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant d’obscurité émetteur-base de phototransistor
114. Темновой ток эмиттер-база фототранзистора
D. Emitter-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors
E. Emitter-base dark current of a phototransistor
F. Courant d'obscurité émetteur-base de phototransistor
Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в коллекторе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > emitter-base dark current of a phototransistor
См. также в других словарях:
Паранестезия — Отсутствие чувствительности в симметричных участках тела, чаще (при полинейропатии) на руках или на ногах … Энциклопедический словарь по психологии и педагогике
НАРУШЕНИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ПРИ ЗАБОЛЕВАНИЯХ НЕРВНОЙ СИСТЕМЫ — мед. Чувствительные нарушения могут возникать как при центральном, так и при периферическом повреждении нервной системы. Терминология • Дерматом зона иннервации кожи от одного спинномозгового ганглия и соответствующего сегмента спинного мозга. •… … Справочник по болезням
Анестезия — I Анестезия в неврологии (anaesthesia; греч. отрицательная приставка an + aisthēsis ощущение, чувство) отсутствие чувствительности см. Чувствительность. II Анестезия (anaesthesia; Ан + греч. aisthēsis ощущение, чувство) отсутствие… … Медицинская энциклопедия
ТРАВМА ПОЗВОНОЧНО СПИННОМОЗГОВАЯ — мед. Позвоночно спинномозговая травма повреждение механической энергией позвоночника и спинного мозга. Вызывает изменения как в самом спинном мозге, так и во всём организме. Общие положения • Причины: автомобильные аварии, падения, спортивные… … Справочник по болезням
ГЕМИАНЕСТЕЗИЯ — (от греч. hemi полу и анестезия), расстройство чувствительности, выражающееся в потере болевого чувства на одной половине тела. Г. может быть органического и фнкц.происхождения. Органическая Г. чаще всего встречается при поражении центральной… … Большая медицинская энциклопедия
ГИПЕРЕСТЕЗИЯ — ГИПЕРЕСТЕЗИЯ, ГИПЕСТЕЗИЯ (от греч. hyper чрезмерно и hypo ниже и aisthe sis ощущение, чувствование). Гипере стези я повышенная чувствительность обычно распространяется на все виды кожной чувствительности. Нередко тактильные раздражения… … Большая медицинская энциклопедия
Приложение. Как пользоваться словарем — 1. Все термины словаря расположены в алфавитном порядке; иноязычные термины, представленные в оригинальном написании, расставлены в соответствии с русским алфавитом, например: Мансонеллез Mansonia Манту реакция 2. Термин, состоящий из двух слов,… … Медицинская энциклопедия
КОНВЕРСИОННОЕ РАССТРОЙСТВО — ранее именовавшееся истерией, это изменение либо утрата сенсорной или моторной функции, указывающее на физическое (органическое) нарушение, которое, однако, не обнаруживается. Такие симптомы являются выражением психологического конфликта или… … Энциклопедия Кольера
ОПУХОЛИ СПИННОГО МОЗГА — мед. Опухоли спинного мозга опухоли, развивающиеся из паренхимы спинного мозга, его корешков, оболочек или позвонков; подразделяют на экстра и субдуральные (над и под твёрдой мозговой оболочкой), экстра и интрамедуллярные (вне и внутри спинного… … Справочник по болезням
Гемианестезия — (греч. hemi полу , половина; aisthesis – ощущение, чувство) – выпадение всех или отдельных видов чувствительности на одной половине тела, противоположной локализации очага мозгового повреждения. Ослабление чувствительности на одной стороне тела… … Энциклопедический словарь по психологии и педагогике
Статоцисты у растений* — или статолиты. Тонкая чувствительность растений по отношению к геотропическим раздражениям (ср. Геотропизм) заставила искать у них какие либо приспособления для восприятия этих раздражений. При этих поисках роль путеводной нити сыграло изучение С … Энциклопедический словарь Ф.А. Брокгауза и И.А. Ефрона