-
1 накопление неравновесных носителей заряда в базе
- accumulation de porteurs d’excès dans la base
накопление неравновесных носителей заряда в базе
накопление заряда в базе
Увеличение концентрации и величины зарядов, образованные неравновесными носителями заряда в базе в результате увеличения инжекции или в результате генерации носителей заряда.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- accumulation de porteurs d’excès dans la base
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > накопление неравновесных носителей заряда в базе
-
2 рассасывание неравновесных носителей заряда в базе
- résorption de porteurs d’excès dans la base
рассасывание неравновесных носителей заряда в базе
рассасывание заряда в базе
Уменьшение концентрации и величины зарядов, образованные неравновесными носителями заряда в базе в результате уменьшения инжекции или в результате рекомбинации.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- résorption de porteurs d’excès dans la base
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > рассасывание неравновесных носителей заряда в базе
-
3 полевой транзистор
полевой транзистор
Ндп. канальный транзистор
Полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемый электрическим полем.
Примечание
Действие полевого транзистора обусловлено носителями заряда одной полярности.
[ ГОСТ 15133-77]
полевой транзистор
Полевой транзистор – транзистор, в котором выходной ток (ток исток-сток) управляется напряжением, прилагаемым к затвору, который может иметь МОП-структуру (МОП-транзистор), представлять собой p-n переход (полевой транзистор с p-n переходом) или иметь структуру металл-полупроводник (полевые транзисторы с затвором Шотки); полевой транзистор является униполярным транзистором, то есть ток управляется только главными носителями.
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > полевой транзистор
-
4 ток проводимости
ток проводимости
Явление направленного движения свободных носителей электрического заряда в веществе или в пустоте, количественно характеризуемое скалярной величиной, равной производной по времени от электрического заряда, переносимого свободными носителями заряда сквозь рассматриваемую поверхность.
[ ГОСТ Р 52002-2003]EN
(electric) current
(conduction) current
scalar quantity equal to the flux of the electric current density J through a given directed surface S:
where endA is the vector surface element
NOTE 1 – The electric current through a surface is equal to the limit of the quotient of the electric charge transferred through that surface during a time interval by the duration of this interval when this duration tends to zero.
NOTE 2 – For charge carriers confined to a surface, the electric current is defined through a curve of this surface (see the note to term “lineic electric current”).
[IEV number 121-11-13]FR
courant (électrique), m
courant (de conduction), m
grandeur scalaire égale au flux de la densité de courant électrique J à travers une surface orientée donnée S:
où endA est l'élément vectoriel de surface
NOTE 1 – Le courant électrique à travers une surface est égal à la limite du quotient de la charge électrique traversant cette surface pendant un intervalle de temps par la durée de cet intervalle lorsque cette durée tend vers zéro.
NOTE 2 – Pour des porteurs de charge confinés sur une surface, le courant électrique est défini à travers une courbe de cette surface (voir la note au terme "densité linéique de courant").
[IEV number 121-11-13]Тематики
- электротехника, основные понятия
Синонимы
EN
DE
- (elektrische) Stromstärke
- Leitungsstromstärke
- Stromstärke, (elektrische)
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > ток проводимости
См. также в других словарях:
ИНЖEКЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — увеличение концентрации носителей заряда в полупроводнике (диэлектрике) в результате переноса носителей током из областей с повыш. концентрацией (металлич. контактов, гетеропереходов )под действием внеш. электрич. поля. И. н. з. приводит к… … Физическая энциклопедия
ЭКСТРАКЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в полупроводниках, обеднение приконтактной области ПП неосновными носителями заряда при протекании тока через контакт ПП с металлом (см. ШОТКИ БАРЬЕР) или др. полупроводником (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОДГЕТЕРОПЕРЕХОД,) при запорном… … Физическая энциклопедия
Иерархическое управление носителями — (англ. HSM, Hierarchical Storage Management) технология хранения данных, автоматически распределяющая данные между дорогими и дешёвыми накопителями. Данная система нужна потому, что быстрые носители информации, такие как НЖМД, заметно более … Википедия
ИНЖЕКЦИЯ носителей — (от лат. injectio вбрасывание), проникновение неравновесных (избыточных) носителей заряда в полупроводник или диэлектрик под действием электрич. поля. Источником избыточных носителей служит контактирующий ПП или металл (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ… … Физическая энциклопедия
Список языков Индии по количеству носителей — Эта статья содержит незавершённый перевод с иностранного языка. Вы можете помочь проекту, переведя её до конца. Если вы знаете, на каком языке написан фрагмент, укажите его в этом шаблоне. Индия … Википедия
Языки Индии по количеству носителей (список) — Индия является родиной нескольких сотен языков. Большинство языков, на которых говорят в Индии принадлежат Индоевропейской семье (около 74 %), Дравидийской семье (около 24 %), Австроазиатской семье (мунда и никобарские языки) (около… … Википедия
РАССЕЯНИЕ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в кристаллич. твёрдых телах процесс взаимодействия электрона проводимости (дырки) с нарушениями идеальной периодичности кристалла, сопровождающийся переходом электрона из состояния с импульсом p в состояние с импульсом Рассеяние наз. упругим,… … Физическая энциклопедия
Р-7 (семейство ракет-носителей) — У этого термина существуют и другие значения, см. Р7. Ракета носитель Союз ФГ при запуске космического корабля Союз ТМА 5 Р 7 (разг. «семёрка») семейство … Википедия
эффективное сечение захвата носителей заряда — эффективное сечение захвата носителей заряда; эффективное сечение захвата Величина, имеющая размерность площади и обратная произведению концентрации носителей заряда n, в полупроводнике на средний путь λ, проходимый носителями до захвата:… … Политехнический терминологический толковый словарь
накопление неравновесных носителей заряда в базе — накопление заряда в базе Увеличение концентрации и величины зарядов, образованные неравновесными носителями заряда в базе в результате увеличения инжекции или в результате генерации носителей заряда. [ГОСТ 15133 77] Тематики полупроводниковые… … Справочник технического переводчика
рассасывание неравновесных носителей заряда в базе — рассасывание заряда в базе Уменьшение концентрации и величины зарядов, образованные неравновесными носителями заряда в базе в результате уменьшения инжекции или в результате рекомбинации. [ГОСТ 15133 77] Тематики полупроводниковые приборы… … Справочник технического переводчика