-
41 структура со сверхкритическим уровнем легирования
Electronics: supercritically doped structureУниверсальный русско-английский словарь > структура со сверхкритическим уровнем легирования
-
42 теплота легирования
Makarov: heat of alloyingУниверсальный русско-английский словарь > теплота легирования
-
43 технология ИС с использованием легирования золотом
Microelectronics: gold-doped processУниверсальный русско-английский словарь > технология ИС с использованием легирования золотом
-
44 технология ионного легирования
Engineering: ion implantation techniqueУниверсальный русско-английский словарь > технология ионного легирования
-
45 технология лазерного поверхностного легирования
Automation: laser surface modification technologyУниверсальный русско-английский словарь > технология лазерного поверхностного легирования
-
46 транзистор двойного легирования
Engineering: double-doped transistorУниверсальный русско-английский словарь > транзистор двойного легирования
-
47 уменьшение уровня легирования бором
Electronics: boron depletionУниверсальный русско-английский словарь > уменьшение уровня легирования бором
-
48 уровень легирования
1) Engineering: doping level2) Electronics: concentration level3) Microelectronics: impurity levelУниверсальный русско-английский словарь > уровень легирования
-
49 установка для легирования
Electronics: doperУниверсальный русско-английский словарь > установка для легирования
-
50 установка ионного легирования
1) Engineering: implanter, ion implantation, ion-beam implantation2) Microelectronics: ion implanter, ion-beam implanterУниверсальный русско-английский словарь > установка ионного легирования
-
51 установка легирования
Engineering: doperУниверсальный русско-английский словарь > установка легирования
-
52 фотолюминофор, используемый для легирования материала фотокатода
Electronics: wavelength shifterУниверсальный русско-английский словарь > фотолюминофор, используемый для легирования материала фотокатода
-
53 электроискрового легирования
Engineering: electrospark dopingУниверсальный русско-английский словарь > электроискрового легирования
-
54 эффект сильного легирования
Solar energy: heavy doping effectУниверсальный русско-английский словарь > эффект сильного легирования
-
55 транзистор двойного легирования
Русско-английский политехнический словарь > транзистор двойного легирования
-
56 уровень легирования
Русско-английский словарь по машиностроению > уровень легирования
-
57 однооперационный процесс легирования
Automation: (технологический) one-step doping, (технологический) single pulse doping, (технологический) single step dopingУниверсальный русско-английский словарь > однооперационный процесс легирования
-
58 производительность легирования лучом
Automation: (процесса) rate of beam alloying (напр. лазерным)Универсальный русско-английский словарь > производительность легирования лучом
-
59 p-n-переход с одинаковой степенью легирования на обеих сторонах
nmicroel. symmetrischer pn-Struktur, symmetrischer pn-Ubergang, symmetrischer ÜbergangУниверсальный русско-немецкий словарь > p-n-переход с одинаковой степенью легирования на обеих сторонах
-
60 МОП-структура, полученная методом двойного ионного легирования
abbrmicroel. DIMOS, Double-Implanted MOSУниверсальный русско-немецкий словарь > МОП-структура, полученная методом двойного ионного легирования
См. также в других словарях:
Покрытия, полученные способом электроискрового легирования — 2.6. Покрытия, полученные способом электроискрового легирования 2.6.1. По внешнему виду покрытие должно быть сплошным, равномерного цвета, без инородных включений, без трещин, сколов, отслоений, вспучиваний. 2.6.2. Толщина покрытия должна… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
СТЕПЕНЬ ЛЕГИРОВАНИЯ СПЛАВА — суммарное содержание легирующих компонентов в сплаве, %, массовая доля. При указании степени легирования сплавов, например стали и чугуна, углерод не учитывают. Точно так же не учитывают содержание цинка в легированной латуни и т. д … Металлургический словарь
уменьшение уровня легирования бором — legiravimo lygio mažinimas boru statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. boron depletion vok. Borverarmung, f rus. уменьшение уровня легирования бором, n pranc. déplétion de dopage par bore, f … Radioelektronikos terminų žodynas
окно в маске для проведения легирования — legiravimo kaukės langelis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doping mask window vok. Diffusionsfenster, n; Diffusionsmaskenfenster, n rus. окно в маске для проведения легирования, n pranc. fenêtre de diffusion au masque, f … Radioelektronikos terminų žodynas
установка для легирования — legiravimo įrenginys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doper vok. Dotieranlage, f rus. установка для легирования, f pranc. installation à doper, f … Radioelektronikos terminų žodynas
плотность легирования — legiravimo tankis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doping density vok. Dotierungsdichte, f rus. плотность легирования, f pranc. densité de dopage, f … Radioelektronikos terminų žodynas
уровень легирования — legiravimo lygis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doping level vok. Dotierungsgrad, m rus. уровень легирования, n pranc. degré de dopage, m; niveau de dopage, m … Radioelektronikos terminų žodynas
профиль легирования — legiravimo profilis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doping profile vok. Dotierungsprofil, n rus. профиль легирования, m pranc. profil de dopage, m … Radioelektronikos terminų žodynas
установка ионного легирования — jonų implantatorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. implanter; ion implanter vok. Implantationsanlage, f; Ionenimplantationsanlage, f rus. установка для ионной имплантации, f; установка ионного легирования, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
жидкий источник для легирования — skystasis legiravimo šaltinis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. liquid dopant source vok. flüssige Dotantenquelle, f rus. жидкий источник для легирования, m pranc. dopant liquide, m … Radioelektronikos terminų žodynas
переход между областями с разным уровнем легирования — stipriai ir silpnai legiruotų sričių sandūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high low junction vok. Übergang zwischen Bereichen mit verschiedenem Legierungsgrad, m rus. переход между областями с разным уровнем легирования, m … Radioelektronikos terminų žodynas