-
1 лазер на двойной гетероструктуре
nDictionnaire russe-français universel > лазер на двойной гетероструктуре
См. также в других словарях:
История изобретения лазеров — 1917 А. Эйнштейн представляет концепцию вынужденного излучения 1920 И. Франк и Ф. Райхе подтвердили существование метастабильных состояний в возбужденном состоянии 1927 Поль Дирак создает квантовую теорию вынужденного излучения 1928 Р. Ладенбург… … Википедия
Гетеропереход — GaAs/AlGaAs Гетеропереход контакт двух различных полупроводников. Гетеропереходы обычно используются для создания потенциальных ям для электронов и дырок в многослойных полупроводниковых структурах ( … Википедия
гетеропереход — Heterojunction Гетеропереход Контакт двух различных по химическому составу полупроводников, при котором кристаллическая решетка одного материала без нарушения периодически переходит в решетку другого материала. Гетеропереходы обычно… … Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии. - М.
heterojunction — Heterojunction Гетеропереход Контакт двух различных по химическому составу полупроводников, при котором кристаллическая решетка одного материала без нарушения периодически переходит в решетку другого материала. Гетеропереходы обычно… … Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии. - М.
Лазерный диод — Лазерный диод полупроводниковый лазер, построенный на базе диода. Его работа основана на возникновении инверсии населённостей в области p n перехода при инжекции носителей заряда.[1][2] Содержание 1 П … Википедия