-
21 концентрация основных носителей (электронов)
концентрация основных носителей (электронов)
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > концентрация основных носителей (электронов)
-
22 концентрация основных носителей
1) Engineering: majority electron density2) Electronics: majority-carrier concentration, majority-carrier density3) Electrical engineering: majority electron density (электронов)Универсальный русско-английский словарь > концентрация основных носителей
-
23 концентрация свободных электронов
Metallurgy: free electron concentrationУниверсальный русско-английский словарь > концентрация свободных электронов
-
24 электронная концентрация
ua\ \ електронна концентраціяen\ \ electron concentrationde\ \ Elektronenkonzentrationfr\ \ \ concentration électroniqueколичество валентных электронов, приходящихся на один атом в кристаллической решеткеТерминологический словарь "Металлы" > электронная концентрация
-
25 средняя концентрация валентных электронов на атом
Metallurgy: electron-atom ratioУниверсальный русско-английский словарь > средняя концентрация валентных электронов на атом
-
26 полуметалл
ua\ \ напівметалen\ \ semi-metalde\ \ Halbmetallfr\ \ \ semi-métalтвердое тело, концентрация электронов проводимости в котором определяется перекрытием энергетических зон и имеет порядок 10-3—10-5 электронов на атом -
27 электрон
[см. концентрация электронов]the concentrations of electrons and ions along the trajectory -
28 диэлектрик
ua\ \ діелектрикen\ \ dielectricde\ \ Dielektrikumfr\ \ \ diélectriqueтвердое тело с низкой электропроводностью, концентрация электронов проводимости в котором мала при всех температурах, что обусловлено большой шириной запрещенной зоны -
29 breakdown
Электрический пробойЛавинный пробой, связанный с тем, что носитель заряда на длине свободного пробега приобретает энергию, достаточную для ионизации молекул кристаллической решётки или газа и увеличивает концентрацию носителей заряда. При этом создаются свободные носители заряда (увеличивается концентрация электронов), которые вносят основной вклад в общий ток. Генерация носителей происходит лавинообразно. Различают поверхностный пробой и объёмный пробой диэлектриков. У полупроводников существует разновидность поверхностного пробоя, так называемый шнуровой эффект. -
30 слой D (ионосферы)
слой D (ионосферы)
Самый нижний слой ионосферы, располагаемый над Землей на высоте от 50 до 90 км (см. табл. L-1). Образуется только в дневные часы, когда концентрация электронов в ионосфере достаточно высока, а ночью исчезает. Слой D играет существенную роль при организации связи на частотах 0,3-3 МГц.
[Л.М. Невдяев. Телекоммуникационные технологии. Англо-русский толковый словарь-справочник. Под редакцией Ю.М. Горностаева. Москва, 2002]Тематики
- электросвязь, основные понятия
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > слой D (ионосферы)
- 1
- 2
См. также в других словарях:
критическая концентрация электронов проводимости полупроводника — критическая концентрация электронов Концентрация электронов проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с нижней границей зоны проводимости. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы критическая… … Справочник технического переводчика
критическая концентрация электронов проводимости — критическая концентрация электронов проводимости; критическая концентрация электронов Концентрация электронов проводимости, при которой уровень Ферми совпадает с нижней границей зоны проводимости … Политехнический терминологический толковый словарь
критическая концентрация электронов — проводимости; критическая концентрация электронов Концентрация электронов проводимости, при которой уровень Ферми совпадает с нижней границей зоны проводимости … Политехнический терминологический толковый словарь
Критическая концентрация электронов проводимости полупроводника — 29. Критическая концентрация электронов проводимости полупроводника Критическая концентрация электронов Концентрация электронов проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с нижней границей зоны проводимости Источник: ГОСТ… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
критическая концентрация электронов проводимости — kritinis laidumo elektronų tankis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. critical concentration of conduction electrons; critical density of conduction electrons; critical electron density vok. Elektronenzünddichte, f; kritische… … Fizikos terminų žodynas
концентрация основных носителей (электронов) — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN majority electron density … Справочник технического переводчика
КОНЦЕНТРАЦИЯ — (новолат. concentratio сосредоточение), отношение числа частиц компонента системы (смеси, р ра, сплава), его кол ва (молярная К.) или массы (массовая К.) к объему системы. Единицы измерения соотв. м 3, моль/м 3 или кг/м 3; а также их дольные или… … Химическая энциклопедия
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) — Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной… … Википедия
Транзистор с высокой подвижностью электронов — (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (т. н. гетеропереход)[1].… … Википедия
электронная концентрация — [electron concentration (density)] количество валентных электронов на атом в кристаллической решетке. Смотри также: Концентрация концентрация напряжений предель … Энциклопедический словарь по металлургии
ПОЛУПРОВОДНИКИ — широкий класс в в, характеризующийся значениями уд. электропроводности s, промежуточными между уд. электропроводностью металлов s=106 104 Ом 1 см 1 и хороших диэлектриков s=10 10 10 12 Ом 1см 1 (электропроводность указана при комнатной темп ре).… … Физическая энциклопедия