-
41 разность напряжений затвор-исток
разность напряжений затвор-исток
Абсолютное значение разности напряжений между затвором и истоком сдвоенного полевого транзистора при заданном токе стока.
Обозначение
│Uзи1-Uзи2│
│UG1-UG2│
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
FR
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > разность напряжений затвор-исток
-
42 напряжение затвор-исток
Engineering: gate-source voltage (полевого транзистора)Универсальный русско-английский словарь > напряжение затвор-исток
-
43 сетчатый затвор
Makarov: meshed gate (полевого транзистора) -
44 скрытый затвор
Engineering: buried gate (полевого транзистора) -
45 воронка с затвором
Русско-английский новый политехнический словарь > воронка с затвором
-
46 механизм для открывания затвора
Русско-английский военно-политический словарь > механизм для открывания затвора
-
47 полевой транзистор
(Field Effect Transistor)Полевой транзистор (ПТ)Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.Устройство полевого транзистораRussian-English dictionary of Nanotechnology > полевой транзистор
-
48 FET
(Field Effect Transistor)Полевой транзистор (ПТ)Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.Устройство полевого транзистора -
49 ионоселективный полевой транзистор
(Ion Selective Field Effect Transistor)Ионоселективный полевой транзистор (ИСПТ)Среди электрохимических сенсоров получили распространение миниатюрные устройства, основанные на полевых транзисторах. В них металлический контакт затвора транзистора заменен химически чувствительным слоем и электродом сравнения. В этом случае затвор представляет собой металлический слой, покрытый чувствительным материалом. Взаимодействие определяемого компонента с материалом затвора вызывает изменение электрического поля в области затвора и, следовательно, порогового потенциала и тока в транзисторе, что и обусловливает аналитический сигнал. Например, Na+-селективный ИСПТ изготавливают путем нанесения в область затвора боросиликатного стекла, для К+- селективного сенсора в область затвора помещают полимерную мембрану, содержащую валиномицин или краун-эфир.Конструкция ионоселективного полевого транзистора. 1 - ионоселективная мембрана; 2 - сток и исток; 3 - изолирующий материал (диоксид кремния); 4 - кремниевое основание; 5 - электрод сравненияRussian-English dictionary of Nanotechnology > ионоселективный полевой транзистор
-
50 ISFET
(Ion Selective Field Effect Transistor)Ионоселективный полевой транзистор (ИСПТ)Среди электрохимических сенсоров получили распространение миниатюрные устройства, основанные на полевых транзисторах. В них металлический контакт затвора транзистора заменен химически чувствительным слоем и электродом сравнения. В этом случае затвор представляет собой металлический слой, покрытый чувствительным материалом. Взаимодействие определяемого компонента с материалом затвора вызывает изменение электрического поля в области затвора и, следовательно, порогового потенциала и тока в транзисторе, что и обусловливает аналитический сигнал. Например, Na+-селективный ИСПТ изготавливают путем нанесения в область затвора боросиликатного стекла, для К+- селективного сенсора в область затвора помещают полимерную мембрану, содержащую валиномицин или краун-эфир.Конструкция ионоселективного полевого транзистора. 1 - ионоселективная мембрана; 2 - сток и исток; 3 - изолирующий материал (диоксид кремния); 4 - кремниевое основание; 5 - электрод сравнения -
51 литниковый канал
1. литейн. gate2. пласт. sprue channelмультиплексный канал может работать в мультиплексном или монопольном режиме — the multiplexor channel can operate in the multiplex or burst modes
мультиплексный канал освобождает процессор от непосредственной связи с устройствами ввода-вывода — the multiplexor channel relieves the processor of communicating directly with I
мультиплексный канал осуществляет непосредственное управление устройствами ввода-вывода — the multiplexor channel is the direct controller of I
переключение каналов; коммутация каналов — channel switching
Русско-английский большой базовый словарь > литниковый канал
См. также в других словарях:
затвор (полевого транзистора) — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN gatecontrol gate … Справочник технического переводчика
затвор полевого транзистора — lauko tranzistoriaus užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. field effect transistor gate vok. Gate eines Feldeffekttransistors, n rus. затвор полевого транзистора, m pranc. grille d un transistor à effet de champ, f … Radioelektronikos terminų žodynas
ёмкость затвор - исток (полевого транзистора) — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN gate source capacitance … Справочник технического переводчика
ёмкость затвор - сток (полевого транзистора) — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN gate drain capacitance … Справочник технического переводчика
ЗАТВОР — (1) устройство, приспособление или элемент для полного млн. частичного перекрытия либо для ослабления потока чего либо (рабочей среды, света, оружия); (2) З. гидротехнический подвижная конструкция (из металла, железобетона, дерева) для закрывания … Большая политехническая энциклопедия
затвор (в транзисторе) — затвор Электрод полевого транзистора, на который подается электрический сигнал [ГОСТ 15133 77] Тематики полупроводниковые приборы EN gate DE GateTor FR grille … Справочник технического переводчика
Затвор — Затвор: Затвор в огнестрельном оружии устройство для запирания канала ствола; Затвор часть полевого транзистора; Фотографический затвор в фотоаппарате устройство, дозирующее количество света, попадающего на фотоплёнку;… … Википедия
Затвор (значения) — Затвор: Затвор в огнестрельном оружии устройство для запирания канала ствола; Затвор часть полевого транзистора; Фотографический затвор в фотоаппарате устройство, дозирующее количество света, попадающего на фотоплёнку;… … Википедия
Обратный затвор (электроника) — У этого термина существуют и другие значения, см. Обратный затвор. Обратный затвор в электронике и физике полупроводников сильно легированная подложка, являющаяся хорошим проводником и используемая в составе полевого транзистора или иной… … Википедия
Обратный затвор — может означать: Обратный затвор (электроника) в электронике и физике полупроводников сильно легированная подложка, являющаяся хорошим проводником и используемая в составе полевого транзистора или иной гетероструктуры. Обратный затвор… … Википедия
разность напряжений затвор-исток — Абсолютное значение разности напряжений между затвором и истоком сдвоенного полевого транзистора при заданном токе стока. Обозначение │Uзи1 Uзи2│ │UG1 UG2│ [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы EN difference of gate source voltages… … Справочник технического переводчика