-
61 общий ток ФЭПП
общий ток ФЭПП
Ток ФЭПП, состоящий из темнового тока и фототока.
Обозначение
Iобщ
Itot
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
60. Общий ток ФЭПП
D. Gesamtstrom
E. Total current
F. Courant total
Iобщ
Ток ФЭПП, состоящий из темнового тока и фототока
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > общий ток ФЭПП
-
62 общий ток базы фототранзистора
общий ток базы фототранзистора
-
Обозначение
Iбобщ б
Iэобщ б
Iкобщ б
IBB
IBE
IBC
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
121. Общий ток базы фототранзистора
D. Basisgesamtstrom eines Phototransis-tors
E. Base total current of a phototransistor
F. Courant total de base de phototransistor
-
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > общий ток базы фототранзистора
-
63 общий ток коллектор-база фототранзистора
общий ток коллектор-база фототранзистора
Общий ток коллектор-база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением.
Обозначение
Iбобщ к
ICB H
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
123. Общий ток коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Gesamtstrom eines Phototransistors
E. Collector-base total current of a phototransistor
F. Courant total collecteur-base de phototransistor
Общий ток коллектор-база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > общий ток коллектор-база фототранзистора
-
64 общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора
общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора
Общий ток коллектор-эмиттер, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением.
Обозначение
Iэобщ к
ICE H
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
122. Общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора
D. Kollektor-Emitter-Gesamtstrom eines Phototransistors
E. Collector-emitter total current of a phototransistor
F. Courant total collecteur-émetteur de phototransistor
Общий ток коллектор-эмиттер, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора
-
65 общий ток коллектора фототранзистора
общий ток коллектора фототранзистора
-
Обозначение
Iбобщ к
Iэобщ к
Iкобщ к
ICB
ICE
ICC
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
119. Общий ток коллектора фототранзистора
D. Kollektorgesamtstrom eines Phototransistors
E. Collector total current of a phototransistor
F. Courant total du collecteur de phototransistor
-
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > общий ток коллектора фототранзистора
-
66 общий ток эмиттера фототранзистора
общий ток эмиттера фототранзистора
-
Обозначение
Iбобщ э
Iэобщ э
Iкобщ э
IEB
IEE
IEC
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- courant total d’émetteur de phototransistor
120. Общий ток эмиттера фототранзистора
D. Emittergesamtstrom eines Phototransistors
E. Emitter total current of a phototransistor
F. Courant total d'émetteur de phototransistor
-
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > общий ток эмиттера фототранзистора
-
67 одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
одноэлементный ФЭПП
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий один фоточувствительный элемент.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
5. Одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
Одноэлементный ФЭПП
D. Einelementphotoempfänger
E. Single-element detector
F. Détecteur à élément unique
-
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий один фоточувствительный элемент
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
-
68 охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
охлаждаемый ФЭПП
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, работающий со специальной системой охлаждения для понижения температуры фоточувствительного элемента.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
20. Охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
Охлаждаемый ФЭПП
D. Gekühlter Photoempfänger
E. Cooled detector
F. Photodétecteur refroidi
-
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, работающий со специальной системой охлаждения для понижения температуры фоточувствительного элемента
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
-
69 плоский угол зрения ФЭПП
плоский угол зрения ФЭПП
Угол в нормальной к фоточувствительному элементу плоскости между направлениями падения параллельного пучка излучения, при которых напряжение или ток фотосигнала ФЭПП уменьшается до заданного уровня
Обозначение
2ß
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
D. Gesichtsfeldwinkel
E. Angular field of view
F. Angle d'ouverture
2b
Угол в нормальной к фоточувствительному элементу плоскости между направлениями падения параллельного пучка излучения, при которых напряжение или ток фотосигнала ФЭПП уменьшается до заданного уровня
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > плоский угол зрения ФЭПП
-
70 подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
подложка ФЭПП
Конструктивный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, на который наносится фоточувствительный слой.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
45. Подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
Подложка ФЭПП
D. Schichttrager des Photoempfängers
E. Detector-film base
-
Конструктивный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, на который наносится фоточувствительный слой
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
-
71 полевой фототранзистор
полевой фототранзистор
Фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру полевого транзистора.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
D. Photofeldeffekttransistor
E. Field effect phototransistor
F. Phototransistor à effet de champ
-
Фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру полевого транзистора
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > полевой фототранзистор
-
72 порог чувствительности ФЭПП
порог чувствительности ФЭПП
порог
Среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения сигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума в заданной полосе на частоте модуляции потока излучения.
Обозначение
ФП
Фmin
Фλ min
Примечание
Полосу частот выбирают, как правило, в пределах 20% от частоты модуляции, так, чтобы изменением спектральной плотности шума в ее пределах можно было пренебречь.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
78. Порог чувствительности ФЭПП
Порог
D. Äquivalente Rauschleistung
E. Noise equivalent power
F. Puissance équivalente au bruit
Фп
Среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения сигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума в заданной полосе на частоте модуляции потока излучения.
Примечание. Полосу частот выбирают, как правило, в пределах 20 % от частоты модуляции, так, чтобы изменением спектральной плотности шума в ее пределах можно было пренебречь
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > порог чувствительности ФЭПП
-
73 порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот
порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот
порог в единичной полосе частот
Среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения источника фотосигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума, приведенному к единичной полосе на частоте модуляции потока излучения.
Обозначение
ФП1
NEP
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
Синонимы
EN
DE
FR
- puissance équivalente au bruit dans une bande passante des fréquences unitaire
79. Порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот
Порог в единичной полосе частот
D. Äquivalente Rauschleistung im Einheitsfrequenzband
E. Unit frequency bandwidth noise equivalent power
F. Puissance équivalente au bruit dans une bande passante des fréquences unitaire
Фп1
Среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения источника фотосигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума, приведенному к единичной полосе на частоте модуляции потока излучения
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот
-
74 последовательное сопротивление фотодиода
последовательное сопротивление фотодиода
Активная составляющая электрического сопротивления фотодиода по переменному току, включенная последовательно емкости перехода фотодиода.
Обозначение
Rпосл
RS
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
96. Последовательное сопротивление фотодиода
D. Reihenwiderstand einer Photodiode
E. Series resistance
F. Résistance série
Rпосл
Активная составляющая электрического сопротивления фотодиода по переменному току, включенная последовательно емкости перехода фотодиода
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > последовательное сопротивление фотодиода
-
75 предельная частота ФЭПП
предельная частота ФЭПП
Частота синусоидальномодулированного потока излучения, при которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном излучении.
Обозначение
f0
fg
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
D. Grenzfrequenz
E. Cut-off frequency
F. Fréquence de coupure
f0
Частота синусоидальномодулированного потока излучения, при которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном излучении
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > предельная частота ФЭПП
-
76 пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uэпр к
UBR CEO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
105. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
D. Kollektor-Emitter-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-emitters breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-émetteur de phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
-
77 пробивное напряжение фотодиода
пробивное напряжение фотодиода
Значение обратного напряжения, не вызывающее пробой фотодиода, при котором обратный ток фотодиода достигает заданного значения.
Обозначение
Uпр
UBR
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
50. Пробивное напряжение фотодиода
D. Durchbruchspannung einer Photodiode
E. Breakdown voltage of a photodiode
F. Tension de claquage de photodiode
Uпр
Значение обратного напряжения, не вызывающее пробой фотодиода, при котором обратный ток фотодиода достигает заданного значения
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение фотодиода
-
78 пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпрэ
UBR ECO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
108. Пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
D. Emitter-Kollektor-Durch-bruchspannung eines Phtototransistors
E. Emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage émetteur-collecteur de phototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
-
79 радиационный порог чувствительности ФЭПП
- noise equivalent power of the background limited infrared photodetector (BLIP)
радиационный порог чувствительности ФЭПП
Порог чувствительности ФЭПП, шумы которого обусловлены флуктуациями теплового излучения фона заданной температуры.
Обозначение
ФП рад
ФBLIP
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
- noise equivalent power of the background limited infrared photodetector (BLIP)
FR
83. Радиационный порог чувствительности ФЭПП
E. Noise equivalent power of the background limited infrared photodetector (BLIP)
F. Puissance équivalente au bruit du philra détecteur
Порог чувствительности ФЭПП, шумы которого обусловлены флуктуациями теплового излучения фона заданной температуры
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > радиационный порог чувствительности ФЭПП
-
80 разброс значений параметров многоэлементного ФЭПП
разброс значений параметров многоэлементного ФЭПП
Отношение полуразности наибольшего и наименьшего значений параметра фоточувствительных элементов в многоэлементном ФЭПП к среднему значению этого параметра.
Примечание
В буквенном обозначении вместо "X" следует указывать буквенное обозначение соответствующего параметра.
Обозначение
δx
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
101. Разброс значений параметров многоэлементного ФЭПП
D. Parameterstreuung
E. Figure ol merit straggling
F. Dispersion de figure de mérite
δx
Отношение полуразности наибольшего и наименьшего значений параметра фоточувствительных элементов в многоэлементном ФЭПП к среднему значению этого параметра.
Примечание. В буквенном обозначении вместо «X» следует указывать буквенное обозначение соответствующего параметра
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > разброс значений параметров многоэлементного ФЭПП
См. также в других словарях:
ГОСТ 21934-83 — 37 с. (6) Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения Взамен: ГОСТ 21934 76; ГОСТ 22899 78 Изменение №1/ИУС 12 1984 разделы 01.040.31, 31.080 … Указатель национальных стандартов 2013
ГОСТ 21934-83 — Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения. Взамен ГОСТ 21934 76, ГОСТ 22899 78 [br] НД чинний: від 1984 07 01 Зміни: (1 XII 84) Технічний комітет: ТК 72 Мова: Ru Метод прийняття:… … Покажчик національних стандартів
ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ГОСТ Р 51243-99 — 12 с. (3) Бритвенные системы для влажного бритья. Общие технические условия раздел 97.170 … Указатель национальных стандартов 2013
21934 — ГОСТ 21934{ 83} Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения. ОКС: 01.040.31, 31.080 КГС: Э00 Термины и обозначения Взамен: ГОСТ 21934 76, ГОСТ 22899 78 Действие: С 01.07.84 Изменен: ИУС … Справочник ГОСТов
/МЭК 11570 — ГОСТ Р ИСО/МЭК 11570{ 94} Информационная технология. Передача данных и обмен информацией между системами. Взаимосвязь открытых систем. Механизм идентификации протоколов транспортного уровня. ОКС: 35.100.40 КГС: П85 Виды представления информации и … Справочник ГОСТов
изображение на экране монитора микроскопа (видеоизображение) — 3.10 изображение на экране монитора микроскопа (видеоизображение): Изображение на экране монитора РЭМ в виде матрицы из п строк по т пикселей в каждой, яркость которых прямо пропорциональна значению сигнала соответствующей точки матрицы.… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ДСТУ 4922:2008 — Лісоматеріали та пилопродукція. Методи визначення вологості Вперше (зі скасуванням ГОСТ 16588 91 (ИСО 4470 81), ГОСТ 17231 78) [br] НД чинний: від 2009 07 01 Зміни: Технічний комітет: Мова: Метод прийняття: Кількість сторінок: 11 Код НД згідно з… … Покажчик національних стандартів
Ритуальные услуги — услуги, связанные с погребением, а также строительством, реконструкцией, благоустройством или ремонтом объектов похоронного назначения, оказываемые на безвозмездной основе или за плату, перечень которых определяется Общероссийским классификатором … Официальная терминология
режим — 36. режим [частота вращения] «самоходности»: Режим [минимальная частота вращения выходного вала], при котором газотурбинный двигатель работает без использования мощности пускового устройства при наиболее неблагоприятных внешних условиях. Источник … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
время — 3.3.4 время tE (time tE): время нагрева начальным пусковым переменным током IА обмотки ротора или статора от температуры, достигаемой в номинальном режиме работы, до допустимой температуры при максимальной температуре окружающей среды. Источник … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации