-
101 Сопротивление базы биполярного транзистора
42. Сопротивление базы биполярного транзистора
D. Basisbahnwiderstand
E. Base intrinsic resistance
F. Résistance intrinséque de base
r'K
Сопротивление между выводом базы и переходом база-эмиттер
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > Сопротивление базы биполярного транзистора
-
102 Средняя рассеиваемая мощность биполярного транзистора
62. Средняя рассеиваемая мощность биполярного транзистора
D Mittlere Verlustleistung
E. Total input power (average) to all electrodes
F. Puissance totale d’entrée (moyenne) de toutes les électrodes
Рср
Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой в транзисторе
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > Средняя рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
103 постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора
постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора
Произведение сопротивления базы на активную емкость коллекторного перехода.
Обозначение
τS
τC
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора
-
104 Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
20. Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
D. Gleichstromverstärkung in Emitterschaltung
E. Static value of the forward current transfer ratio
F. Valeur statique du rapport de transfert direct du courant
h21Э
Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
-
105 Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора
- Module de l’admittance de transfert direct
24. Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора
D. Betrag des Übertragungsleitwerts vorwärts
E. Modulus of the short-circuit forward transfer admittance
F. Module de l’admittance de transfert direct
|y21э|
Модуль полной проводимости прямой передачи в схеме с общим эмиттером
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора
-
106 Сопротивление базы биполярного транзистора
42. Сопротивление базы биполярного транзистора
D. Basisbahnwiderstand
E. Base intrinsic resistance
F. Résistance intrinséque de base
r'K
Сопротивление между выводом базы и переходом база-эмиттер
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > Сопротивление базы биполярного транзистора
-
107 Средняя рассеиваемая мощность биполярного транзистора
- Puissance totale d’entrée (moyenne) de toutes les électrodes
62. Средняя рассеиваемая мощность биполярного транзистора
D Mittlere Verlustleistung
E. Total input power (average) to all electrodes
F. Puissance totale d’entrée (moyenne) de toutes les électrodes
Рср
Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой в транзисторе
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > Средняя рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
108 комбинация полевого транзистора с изолированным затвором на входе и биполярного транзистора на выходе
2) Information technology: bipolar insulated gate field effect transistorУниверсальный русско-английский словарь > комбинация полевого транзистора с изолированным затвором на входе и биполярного транзистора на выходе
-
109 согласование коллекторной нагрузки биполярного транзистора/стоковой нагрузки полевого транзистора
Telecommunications: collector/drain load impedance matchingУниверсальный русско-английский словарь > согласование коллекторной нагрузки биполярного транзистора/стоковой нагрузки полевого транзистора
-
110 прибор на основе комбинации биполярного транзистора и
Electronics: bipolar insulated-gate field-effect transistorУниверсальный русско-английский словарь > прибор на основе комбинации биполярного транзистора и
-
111 гибридные параметры эквивалентного четырёхполюсника биполярного транзистора
adjmicroel. HybridvierpolparameterУниверсальный русско-немецкий словарь > гибридные параметры эквивалентного четырёхполюсника биполярного транзистора
-
112 эффект смещения рабочей точки биполярного транзистора синхронно с входным сигналом
nmicroel. MitlaufeffektУниверсальный русско-немецкий словарь > эффект смещения рабочей точки биполярного транзистора синхронно с входным сигналом
-
113 эмиттер транзистора
1) Engineering: emitter of transistor, transistor emitter (биполярного)2) Telecommunications: transistor cathodeУниверсальный русско-английский словарь > эмиттер транзистора
-
114 высокочастотная схема замещения транзистора как четырёхполюсника
adjmicroel. (биполярного) HF-TransistorvierpolУниверсальный русско-немецкий словарь > высокочастотная схема замещения транзистора как четырёхполюсника
-
115 комбинация полевого транзистора и биполярного фототранзистора
Information technology: field-effect modified transistorУниверсальный русско-английский словарь > комбинация полевого транзистора и биполярного фототранзистора
-
116 прибор на основе комбинации биполярного и полевого транзистора
Electronics: bi-FETУниверсальный русско-английский словарь > прибор на основе комбинации биполярного и полевого транзистора
-
117 активный режим
adjmicroel. Normalbetrieb (биполярного транзистора), aktiv-normaler Betrieb (работы биполярного транзистора), aktiver normaler Betrieb (работы биполярного транзистора), aktivnormaler Betrieb (работы биполярного транзистора) -
118 время пролёта носителей через базу
n1) electr. Basislaufzeit (биполярного транзистора), (заряда) Laufzeit der Ladungsträger durch die Basis (биполярного транзистора), Trägerlaufzeit (биполярного транзистора)2) microel. Basislaufzeit, Laufzeit der Ladungstrager durch die Basis (транзистора)Универсальный русско-немецкий словарь > время пролёта носителей через базу
-
119 область насыщения
n1) eng. Naßdampfgebiet2) electr. Sättigungsbereich, Sättigungsgebiet, Sättigungszone, Übersteuerungsbereich (биполярного транзистора)3) microel. Einschnürbereich (рабочих характеристик МДП-транзистора), Einschnürgebiet (рабочих характеристик МДП-транзистора), Übersteuerungebereich (биполярного транзистора) -
120 граничная частота коэффициента передачи тока
adjmicroel. Grenzfrequenz des Stromverstärkungefaktors (биполярного транзистора), Grenzfrequenz des Stromverstärkungs-faktors (биполярного транзистора)Универсальный русско-немецкий словарь > граничная частота коэффициента передачи тока
См. также в других словарях:
выходная мощность в пике огибающей биполярного транзистора — Мощность двухтонового сигнала в нагрузке биполярного транзистора, равная мощности однотонового, имеющего ту же амплитуду, что и двухтоновый сигнал в пике огибающей. Обозначение Pвых,п.о Примечание Под двухтоновым сигналом понимают сигнал,… … Справочник технического переводчика
емкость обратной связи биполярного транзистора — Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала. Обозначение C12 Примечание В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс… … Справочник технического переводчика
коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора — Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей пятого порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд. Обозначение M5 [ГОСТ 20003… … Справочник технического переводчика
коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора — Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей третьего порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд. Обозначение M3 [ГОСТ… … Справочник технического переводчика
минимальный коэффициент шума биполярного транзистора — Значение коэффициента шума биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующей наименьшему значению коэффициента шума. Обозначение Kш min Fmin [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN minimal noise… … Справочник технического переводчика
оптимальный коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора — Значение коэффициента усиления на мощности биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующее минимальному коэффициенту шума. Обозначение KyPoпт Gpopt [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN… … Справочник технического переводчика
эквивалентное напряжение шума биполярного транзистора — Напряжение шума идеального источника эквивалентного напряжения, включенного последовательно с выводом базы и выводом эмиттера и характеризующего шум биполярного транзистора, который считается бесшумным. Обозначение Uш Un [ГОСТ 20003 74] Тематики… … Справочник технического переводчика
Выходная мощность в пике огибающей биполярного транзистора — 65a. Выходная мощность в пике огибающей биполярного транзистора Е Peak envelope power Рвых,п.о Мощность двухтонового сигнала в нагрузке биполярного транзистора, равная мощности однотонового, имеющего ту же амплитуду, что и двухтоновый сигнал в… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Емкость обратной связи биполярного транзистора — 28a. Емкость обратной связи биполярного транзистора D. Rückwirkungskapazität E. Feedback capacitance F. Capacité de couplage à réaction С*12 Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора — 65в. Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора Е Fifth order intermodulation products factor Термины, относящиеся к максимально допустимым параметрам** М5 Отношение наибольшей амплитуды напряжения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора — 65б. Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора Е Third order intermodulation products factor М3 Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей третьего порядка спектра выходного… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации