-
21 cobalt amorphous
The English-Russian dictionary general scientific > cobalt amorphous
-
22 amorphous implantation
1) Электроника: ионная имплантация в аморфный полупроводник2) Микроэлектроника: ионная имплантация в аморфный материалУниверсальный англо-русский словарь > amorphous implantation
-
23 vitreous semiconductor
1) Техника: стеклообразный полупроводник2) Макаров: аморфный полупроводникУниверсальный англо-русский словарь > vitreous semiconductor
-
24 amorphic semiconductor
Электроника: аморфный полупроводникУниверсальный англо-русский словарь > amorphic semiconductor
-
25 amorphous semiconductor
Техника: аморфный полупроводникУниверсальный англо-русский словарь > amorphous semiconductor
-
26 noncrystalline semiconductor
Техника: аморфный полупроводникУниверсальный англо-русский словарь > noncrystalline semiconductor
-
27 amorphous implantation
English-Russian dictionary of microelectronics > amorphous implantation
-
28 amorphous implantation
hot implantation — ионная имплантация в нагретый п/п
English-Russian big polytechnic dictionary > amorphous implantation
-
29 ion implantation
The English-Russian dictionary general scientific > ion implantation
-
30 hydrogenated amorphous semiconductor
English-russian dictionary of physics > hydrogenated amorphous semiconductor
-
31 monoxide
моноокись, одноокисьcarbon monoxide — окись углерода CO ( угарный газ)
chromium monoxide — закись [окись] хрома CrO (устойчивый красный порошок или пирофорный чёрный порошок, температура плавления +1550°C; практического значения не имеет)
cobalt monoxide — закись [окись] кобальта CoO (немагнитный тёмно-зелёный кристаллический порошок, растворяется в кислотах; применяется как катализатор окисления аммиака и высыхающих масел)
gallium monoxide — закись [окись] галлия Ga2O (тёмно-коричневый кристаллический порошок, устойчив в сухом воздухе; сильный восстановитель, при нагревании диспропорционирует)
molybdenum monoxide — моноокись молибдена MoO
nickel monoxide — моноокись [закись] никеля NiO (порошок жёлто-зелёного цвета, не растворяется в воде, но растворяется в аммиаке и в концентрированных минеральных кислотах; антиферромагнетик и p-полупроводник, применяется как катализатор окисления метана и для радиодеталей)
niobium monoxide — одноокись ниобия NbO (чёрные кубические кристаллы, не растворяется в воде и кислотах, растворяется в щелочах)
nitrogen monoxide — закись азота N2O (бесцветный негорючий газ с приятным сладковатым запахом, применяется в анестезиологии и как заменитель кислорода в двигателях внутреннего сгорания)
palladium monoxide — моноокись палладия PdO ( чёрно-зелёный устойчивый порошок)
tin monoxide — закись [окись] олова SnO (тёмно-синий или чёрный порошок, устойчив на воздухе, растворим в кислотах; полупроводник, применяется как восстановитель, в производстве рубинового стекла и как катализатор этерификации)
titanium monoxide — моноокись титана TiO (кристаллы бронзового цвета с металлической проводимостью и температурой плавления +1750°C, растворяется в кислотах)
vanadium monoxide — закись [окись] ванадия VO (чёрный аморфный порошок с металлическим блеском и хорошей электропроводимостью, растворяется в кислотах, сильный восстановитель)
English-Russian dictionary of aviation and space materials > monoxide
-
32 B
- отношение диаметра проходного сечения к диаметру трубы или трубопровода
- оплётка
- Допустимый угол перелома продольного профиля проезжей части механизированного моста
- ввод (в релейной защите)
- бор
бор
B
Элемент III группы Периодич. системы, ат. н. 5, ат. м. 10,811; кристаллы серовато-черного цвета (очень чистый В бесцветен). Природный В состоит из двух стабильных изотопов: 10В (19 %) и "В (81 %). Ранее других известное соединение В — бура — упоминается в сочинениях алхимиков. Свободный (нечистый) В впервые получили Ж. Гей-Люссак и Л. Тенар в 1808 г. нагреванием В203 с металлич. калием. Общее содержание В в земной коре -3 • 10"" мас. %. В природе В в свободном состоянии не обнаружен. Многие соединения В широко распространены, напр., боросиликаты, бораты и бороалюмосиликаты входят в состав многих изверженных и осадочных пород.
Известно несколько кристаллич. модификаций В. Атомы В образуют в них трехмерный каркас подобно атомам С в алмазе. Этим объясняется высокая твердость В. Однако строение каркаса в структурах В гораздо сложнее, чем в алмазе. В кристаллах В особый тип ковалентной связи — многоцентровая с дефицитом эл-нов. В соединениях ионного типа В. 3-валентен. Так наз. «аморфный» В, получаемый при восстановлении В2О3 металлич. натрием или калием, имеет у = 1,73 г/см3. Чистый кристаллич. В имеет у = 2,3 г/см3, L ~ 2075 *с> '«л = 386° <с> тв. по минералогич. шкале 9, микротв. 34 ГПа. Кристаллич. В - полупроводник. В обычных условиях он плохо проводит электрич. ток. При нагреве до 800 °С электрич. проводимость В увеличивается на несколько порядков. Химически В. при обычных условиях довольно инертен. С повышением темп-ры активность В возрастает, более сильно у аморфного, чем у кристаллич., и он соединяется с кислородом, серой, галогенами. При нагревании > 900 °С с углем или азотом В образует соотв. карбид В4С и нитрид BN.
Элемент. В из природного сырья получают в несколько стадий. Разложением боратов горячей Н2О или H2SO4 получают борную кислоту, а ее обезвоживанием - В2О3. Восстановление В2О3 металлич. Mg дает В в виде темно-бурого порошка; от примесей его очищают азотной или плавиковой кислотами. Очень чистый В, необходимый в произ-ве полупроводников, получают из его галогенидов: восстанавливают ВС13 водородом при 1200 °С или разлагают пары ВВг, на Та-проволоке, раскаленной до 1500 °С.
В применяют для микролегирования (доли %) сталей и некоторых литейных сплавов для улучшения их прокаливаемости и механич. свойств (обычно используют ферробор — сплав Fe с 10—20 % В). Поверхностное насыщение стальных деталей В (на глубину 0,1 — 0,5 мм) улучшает не только износостойкость, но и стойкость против коррозии (см. Борирование). В и его соединения (BN, В4С, BP и др.) используют в качестве диэлектриков и полупроводниковых материалов. Широко применяются борная кислота и ее соли (прежде всего, бура), бориды и др.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]Тематики
EN
- B
- boron
оплётка
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
отношение диаметра проходного сечения к диаметру трубы или трубопровода
—
[А.С.Гольдберг. Англо-русский энергетический словарь. 2006 г.]Тематики
EN
37. Допустимый угол перелома продольного профиля проезжей части механизированного моста (bп)
Источник: ГОСТ 22583-77: Мосты механизированные. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > B
-
33 boron
бор
B
Элемент III группы Периодич. системы, ат. н. 5, ат. м. 10,811; кристаллы серовато-черного цвета (очень чистый В бесцветен). Природный В состоит из двух стабильных изотопов: 10В (19 %) и "В (81 %). Ранее других известное соединение В — бура — упоминается в сочинениях алхимиков. Свободный (нечистый) В впервые получили Ж. Гей-Люссак и Л. Тенар в 1808 г. нагреванием В203 с металлич. калием. Общее содержание В в земной коре -3 • 10"" мас. %. В природе В в свободном состоянии не обнаружен. Многие соединения В широко распространены, напр., боросиликаты, бораты и бороалюмосиликаты входят в состав многих изверженных и осадочных пород.
Известно несколько кристаллич. модификаций В. Атомы В образуют в них трехмерный каркас подобно атомам С в алмазе. Этим объясняется высокая твердость В. Однако строение каркаса в структурах В гораздо сложнее, чем в алмазе. В кристаллах В особый тип ковалентной связи — многоцентровая с дефицитом эл-нов. В соединениях ионного типа В. 3-валентен. Так наз. «аморфный» В, получаемый при восстановлении В2О3 металлич. натрием или калием, имеет у = 1,73 г/см3. Чистый кристаллич. В имеет у = 2,3 г/см3, L ~ 2075 *с> '«л = 386° <с> тв. по минералогич. шкале 9, микротв. 34 ГПа. Кристаллич. В - полупроводник. В обычных условиях он плохо проводит электрич. ток. При нагреве до 800 °С электрич. проводимость В увеличивается на несколько порядков. Химически В. при обычных условиях довольно инертен. С повышением темп-ры активность В возрастает, более сильно у аморфного, чем у кристаллич., и он соединяется с кислородом, серой, галогенами. При нагревании > 900 °С с углем или азотом В образует соотв. карбид В4С и нитрид BN.
Элемент. В из природного сырья получают в несколько стадий. Разложением боратов горячей Н2О или H2SO4 получают борную кислоту, а ее обезвоживанием - В2О3. Восстановление В2О3 металлич. Mg дает В в виде темно-бурого порошка; от примесей его очищают азотной или плавиковой кислотами. Очень чистый В, необходимый в произ-ве полупроводников, получают из его галогенидов: восстанавливают ВС13 водородом при 1200 °С или разлагают пары ВВг, на Та-проволоке, раскаленной до 1500 °С.
В применяют для микролегирования (доли %) сталей и некоторых литейных сплавов для улучшения их прокаливаемости и механич. свойств (обычно используют ферробор — сплав Fe с 10—20 % В). Поверхностное насыщение стальных деталей В (на глубину 0,1 — 0,5 мм) улучшает не только износостойкость, но и стойкость против коррозии (см. Борирование). В и его соединения (BN, В4С, BP и др.) используют в качестве диэлектриков и полупроводниковых материалов. Широко применяются борная кислота и ее соли (прежде всего, бура), бориды и др.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]Тематики
EN
- B
- boron
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > boron
- 1
- 2
См. также в других словарях:
аморфный полупроводник — amorfinis puslaidininkis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. amorphous semiconductor vok. amorpher Halbleiter, m rus. аморфный полупроводник, m pranc. semi conducteur amorphe, m … Radioelektronikos terminų žodynas
ионная имплантация в аморфный полупроводник — jonų implantavimas į amorfinį puslaidininkį statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. amorphous ion implantation vok. Ionenimplantation in den amorphen Halbleiter, f rus. ионная имплантация в аморфный полупроводник, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
НЕУПОРЯДОЧЕННЫЕ СИСТЕМЫ — вещества в конденсированном состоянии при отсутствии строгой упорядоченности в расположении их атомов и молекул (см. ДАЛЬНИЙ И БЛИЖНИЙ ПОРЯДОК). Н. с. явл. жидкие, аморфные и стеклообразные в ва, а также тв. растворы. Особый класс Н. с.… … Физическая энциклопедия
Ionenimplantation in den amorphen Halbleiter — jonų implantavimas į amorfinį puslaidininkį statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. amorphous ion implantation vok. Ionenimplantation in den amorphen Halbleiter, f rus. ионная имплантация в аморфный полупроводник, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
amorphous ion implantation — jonų implantavimas į amorfinį puslaidininkį statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. amorphous ion implantation vok. Ionenimplantation in den amorphen Halbleiter, f rus. ионная имплантация в аморфный полупроводник, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
implantation d'ions dans semi-conducteur amorphe — jonų implantavimas į amorfinį puslaidininkį statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. amorphous ion implantation vok. Ionenimplantation in den amorphen Halbleiter, f rus. ионная имплантация в аморфный полупроводник, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
jonų implantavimas į amorfinį puslaidininkį — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. amorphous ion implantation vok. Ionenimplantation in den amorphen Halbleiter, f rus. ионная имплантация в аморфный полупроводник, f pranc. implantation d ions dans semi conducteur amorphe, f … Radioelektronikos terminų žodynas
amorfinis puslaidininkis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. amorphous semiconductor vok. amorpher Halbleiter, m rus. аморфный полупроводник, m pranc. semi conducteur amorphe, m … Radioelektronikos terminų žodynas
amorpher Halbleiter — amorfinis puslaidininkis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. amorphous semiconductor vok. amorpher Halbleiter, m rus. аморфный полупроводник, m pranc. semi conducteur amorphe, m … Radioelektronikos terminų žodynas
amorphous semiconductor — amorfinis puslaidininkis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. amorphous semiconductor vok. amorpher Halbleiter, m rus. аморфный полупроводник, m pranc. semi conducteur amorphe, m … Radioelektronikos terminų žodynas
semi-conducteur amorphe — amorfinis puslaidininkis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. amorphous semiconductor vok. amorpher Halbleiter, m rus. аморфный полупроводник, m pranc. semi conducteur amorphe, m … Radioelektronikos terminų žodynas