-
1 ширина зоны полупроводника
Dictionnaire technique russo-italien > ширина зоны полупроводника
-
2 истощение
с.1) (запасов и т.п.) épuisement m de qchистоще́ние по́чвы — épuisement ( или appauvrissement m, effritement m) du sol
война́ на истоще́ние — guerre f d'usure
по́лное истоще́ние — consomption [-ɔ̃ps-] f
* * *n1) gener. consomption, délabrement de la santé, déplétion (напр., залежей), exténuation, malnutrition, tabescence, appauvrissement, dépérissement, effritement (почвы), exhaustion, inanition, usure, épuisement2) med. dénutrition, hectisie, spoliation, émaciation, étisie3) obs. phtisie4) liter. tarissement5) eng. déplétion (носителями зарядов), inanition (растений), étiolement, exhaure (запасов месторождения)6) metal. appauvrissement (о руде, о жиле)7) radio. appauvrissement (зоны полупроводника), déplétion (зоны полупроводника) -
3 ширина
ж.- ширина видеодиапазона
- ширина в свету
- габаритная ширина
- ширина диапазона
- ширина зоны полупроводника
- ширина зуба
- ширина зубчатого венца
- ширина импульса
- ширина канала
- ширина колеи
- ширина ленты
- ширина лепестка
- ширина линии
- ширина луча
- ширина междупутья
- наибольшая ширина
- общая ширина
- ширина оконного проёма
- ширина паза
- ширина пода
- ширина полки
- ширина полосы
- ширина полосы канала
- ширина полотна
- ширина по основанию
- ширина прокатываемого металла
- ширина пропила
- ширина прохода
- ширина пучка
- ширина развёртки
- ширина разрешения
- ширина резонанса
- ширина спектральной линии
- ширина строгания
- ширина строки
- теоретическая ширина
- угловая ширина
- ширина фрезерования
- ширина энергетического уровня -
4 акцептор
-
5 band-gap semiconductor
Англо-русский словарь промышленной и научной лексики > band-gap semiconductor
-
6 hole current doubling
удвоение дырочного тока (вследствие инжекции электронов в зону проводимости, сопровождающей переход дырок из валентной зоны полупроводника на молекулы окисляющегося вещества)Англо-русский словарь промышленной и научной лексики > hole current doubling
-
7 interband carrier excitation
межзонное возбуждение носителей (возбуждение носителей при поглощении излучения с энергией кванта, превышающей ширину запрещённой зоны полупроводника)Англо-русский словарь промышленной и научной лексики > interband carrier excitation
-
8 semiconductor band gap
Англо-русский словарь промышленной и научной лексики > semiconductor band gap
-
9 светодиоды
(Light Emitting Diodes)СветодиодыПолупроводниковый прибор, излучающий некогерентный свет при пропускании через него электрического тока. Как и в любом полупроводниковом диоде, в светодиоде имеется p-n переход. При пропускании электрического тока в прямом направлении, носители заряда — электроны и дырки — рекомбинируют с излучением фотонов (из-за перехода электронов с одного энергетического уровня на другой). Светодиод излучает световые волны определенной частоты, зависящей от энергии фотона, испускаемого при рекомбинации. В большинстве случаев эта энергия близка к ширине запрещенной зоны полупроводника (отсюда определенный цвет свечения). Большая часть светодиодов выпускается на основе GaAs, GaAsP и GaAlAs.Полупроводник покрыт куском пластика, который фокусирует излучаемый свет и увеличивает его яркость.Полупроводники очень надежны, в них нет нити накаливания, они потребляют немного энергии, они ярче и характеризуются большим сроком службы. За счет расположения красных, синих и зеленых светодиодов близко друг к другу на субстрате, можно создать дисплей. Недостаток таких дисплеев состоит в том, что из- за достаточно больших размеров светодиодов они не дают такого хорошего разрешения, как жидкокристаллические дисплеи.Промышленно выпускаемые светодиоды -
10 LEDs
(Light Emitting Diodes)СветодиодыПолупроводниковый прибор, излучающий некогерентный свет при пропускании через него электрического тока. Как и в любом полупроводниковом диоде, в светодиоде имеется p-n переход. При пропускании электрического тока в прямом направлении, носители заряда — электроны и дырки — рекомбинируют с излучением фотонов (из-за перехода электронов с одного энергетического уровня на другой). Светодиод излучает световые волны определенной частоты, зависящей от энергии фотона, испускаемого при рекомбинации. В большинстве случаев эта энергия близка к ширине запрещенной зоны полупроводника (отсюда определенный цвет свечения). Большая часть светодиодов выпускается на основе GaAs, GaAsP и GaAlAs.Полупроводник покрыт куском пластика, который фокусирует излучаемый свет и увеличивает его яркость.Полупроводники очень надежны, в них нет нити накаливания, они потребляют немного энергии, они ярче и характеризуются большим сроком службы. За счет расположения красных, синих и зеленых светодиодов близко друг к другу на субстрате, можно создать дисплей. Недостаток таких дисплеев состоит в том, что из- за достаточно больших размеров светодиодов они не дают такого хорошего разрешения, как жидкокристаллические дисплеи.Промышленно выпускаемые светодиоды -
11 беспримесный
Беспримесный (собственный)Полупроводник, в котором можно пренебречь влиянием примесей при данной температуре. Для полупроводников характерно наличие не очень широкой запрещенной зоны в энергетической диаграмме. При T=0оК у собственного полупроводника валентная зона полностью заполнена электронами, а зона проводимости абсолютно свободна, поэтому собственный полупроводник при T=0оК является идеальным диэлектриком. При T>0оК имеется конечная вероятность того, что за счет тепловых флуктуаций (неравномерного распределения тепловой энергии между частицами) некоторые из электронов преодолеют запрещенный барьер и перейдут в зону проводимости. В собственном полупроводнике каждый переход электрона в зону проводимости сопровождается образованием дырки в валентной зоне. -
12 intrinsic
Беспримесный (собственный)Полупроводник, в котором можно пренебречь влиянием примесей при данной температуре. Для полупроводников характерно наличие не очень широкой запрещенной зоны в энергетической диаграмме. При T=0оК у собственного полупроводника валентная зона полностью заполнена электронами, а зона проводимости абсолютно свободна, поэтому собственный полупроводник при T=0оК является идеальным диэлектриком. При T>0оК имеется конечная вероятность того, что за счет тепловых флуктуаций (неравномерного распределения тепловой энергии между частицами) некоторые из электронов преодолеют запрещенный барьер и перейдут в зону проводимости. В собственном полупроводнике каждый переход электрона в зону проводимости сопровождается образованием дырки в валентной зоне.
См. также в других словарях:
ширина запрещенной зоны полупроводника — ширина запрещенной зоны Разность энергий между нижним уровнем зоны проводимости и верхним уровнем валентной зоны полупроводника. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы ширина запрещенной зоны … Справочник технического переводчика
Ширина запрещенной зоны полупроводника — 79. Ширина запрещенной зоны полупроводника Ширина запрещенной зоны Разность энергий между нижним уровнем зоны проводимости и верхним уровнем валентной зоны полупроводника Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Дно зоны проводимости — В этой статье не хватает ссылок на источники информации. Информация должна быть проверяема, иначе она может быть поставлена под сомнение и удалена. Вы можете отредактировать эту статью, добавив ссылки на авторитетные источники. Эта отметка… … Википедия
критическая концентрация дырок проводимости полупроводника — критическая концентрация дырок Концентрация дырок проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы критическая концентрация дырок … Справочник технического переводчика
критическая концентрация электронов проводимости полупроводника — критическая концентрация электронов Концентрация электронов проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с нижней границей зоны проводимости. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы критическая… … Справочник технического переводчика
Критическая концентрация дырок проводимости полупроводника — 30. Критическая концентрация дырок проводимости полупроводника Критическая концентрация дырок Концентрация дырок проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Критическая концентрация электронов проводимости полупроводника — 29. Критическая концентрация электронов проводимости полупроводника Критическая концентрация электронов Концентрация электронов проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с нижней границей зоны проводимости Источник: ГОСТ… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
МДП-СТРУКТУРА — (металл диэлектрик полупроводник) структура, образованная пластиной полупроводника П, слоем диэлектрика Д на одной из её поверхностей и металлич. электродом (затвором M, рис. 1). При подаче на МДП с. напряжения V в полупроводнике вблизи границы с … Физическая энциклопедия
полупроводники — ов; мн. (ед. полупроводник, а; м.). Физ. Вещества, которые по электропроводности занимают промежуточное место между проводниками и изоляторами. Свойства полупроводников. Производство полупроводников. // Электрические приборы и устройства,… … Энциклопедический словарь
p - n-ПЕРЕХОД — (электронно дырочный переход) слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной (n область) и дырочной ( р область) проводимостью. Различают гомопереход, получающийся в результате… … Физическая энциклопедия