-
101 динамическая интегральная схема на комплементарных МОП-транзисторах
Русско-немецкий словарь по электронике > динамическая интегральная схема на комплементарных МОП-транзисторах
-
102 интегральная микросхема на комплементарных МОП-транзисторах
integrierte Schaltung f mit komplementären MOS-Transistoren; integrierter Schaltkreis m mit komplementären MOS-TransistorenРусско-немецкий словарь по электронике > интегральная микросхема на комплементарных МОП-транзисторах
-
103 МОП-транзистор
(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)МОП-транзистор (MOSFET)Полевой транзистор со структурой металл- оксид-полупроводник. Современная цифровая техника построена, в основном, на полевых МОП- транзисторах (МОПТ) как более экономичных, по сравнению с биполярными транзисторами, элементах. Иногда их называют МДП (металл-диэлектрик-полупроводник)- транзисторы. Транзисторы изготавливаются в рамках интегральной технологии на одном кремниевом кристалле (чипе) и составляют элементарный «кирпичик» для построения микросхем памяти, процессора, логики и т. п.Russian-English dictionary of Nanotechnology > МОП-транзистор
-
104 МОП-БИС
1) Engineering: БИС на МОП-транзисторах, БИС со структурой "металл-оксид-полупроводник"2) Information technology: MOS LSI circuit -
105 МОП ИС на биполярных и полевых транзисторах
Engineering: bipolar MOS FETУниверсальный русско-английский словарь > МОП ИС на биполярных и полевых транзисторах
-
106 МОП-структура на транзисторах, работающих в режимах обогащения и обеднения
Electronics: enhancement/depletion mosУниверсальный русско-английский словарь > МОП-структура на транзисторах, работающих в режимах обогащения и обеднения
-
107 режим обогащения
1) Engineering: enhancement mode (в МОП-транзисторах), enhancements mode (в МОП-транзисторах)2) Electronics: enhancement mode3) Microelectronics: enhancement-mode4) Makarov: enhancement mode (транзистора) -
108 затвор (в полупроводниковых приборах)
затвор (в полупроводниковых приборах)
Структура, используемая для управления выходным током (например, потоком носителей в канале) в полевых транзисторах; в МОП-транзисторах затвор состоит из контакта затвора и тонкой пленки оксида; в полевых транзисторах с затвором Шотки затвор – контакт Шотки; в полевых транзисторах с p-n переходом – металл и p-n переход.
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > затвор (в полупроводниковых приборах)
-
109 metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)МОП-транзистор (MOSFET)Полевой транзистор со структурой металл- оксид-полупроводник. Современная цифровая техника построена, в основном, на полевых МОП- транзисторах (МОПТ) как более экономичных, по сравнению с биполярными транзисторами, элементах. Иногда их называют МДП (металл-диэлектрик-полупроводник)- транзисторы. Транзисторы изготавливаются в рамках интегральной технологии на одном кремниевом кристалле (чипе) и составляют элементарный «кирпичик» для построения микросхем памяти, процессора, логики и т. п.Russian-English dictionary of Nanotechnology > metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
-
110 MOSFET
(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)МОП-транзистор (MOSFET)Полевой транзистор со структурой металл- оксид-полупроводник. Современная цифровая техника построена, в основном, на полевых МОП- транзисторах (МОПТ) как более экономичных, по сравнению с биполярными транзисторами, элементах. Иногда их называют МДП (металл-диэлектрик-полупроводник)- транзисторы. Транзисторы изготавливаются в рамках интегральной технологии на одном кремниевом кристалле (чипе) и составляют элементарный «кирпичик» для построения микросхем памяти, процессора, логики и т. п. -
111 режим обеднения
1) Engineering: depletion mode (в МОП-транзисторах)2) Microelectronics: depletion-mode3) Makarov: depletion mode (транзистора) -
112 ДМОП ИС
-
113 ограничитель канала
nmicroel. Channelstopper, Kanalstopper (напр. в МОП-транзисторах), Kanalstop, Kanalstopp -
114 режим обеднения
( в МОП-транзисторах) depletion mode -
115 режим обогащения
( в МОП-транзисторах) enhancement modeРусско-английский политехнический словарь > режим обогащения
-
116 контрольный прибор
туннельный прибор; туннельный элемент — tunnel effect device
управляющее устройство, контрольный прибор — control device
Русско-английский большой базовый словарь > контрольный прибор
-
117 лазерный прибор
1. laser deviceтуннельный прибор; туннельный элемент — tunnel effect device
управляющее устройство, контрольный прибор — control device
адресуемое устройство; адресуемый прибор — addressed device
2. lasing deviceприбор, управляемый напряжением — voltage-operating device
токовый прибор; токовый элемент — current-operated device
-
118 прибор
м. device; instrumentградуировать измерительный прибор в единицах частоты — calibrate an instrument in units of frequency
электровакуумный прибор — electronic device; tube
туннельный прибор; туннельный элемент — tunnel effect device
-
119 твердотельный прибор
туннельный прибор; туннельный элемент — tunnel effect device
управляющее устройство, контрольный прибор — control device
адресуемое устройство; адресуемый прибор — addressed device
Русско-английский большой базовый словарь > твердотельный прибор
-
120 токовый прибор
туннельный прибор; туннельный элемент — tunnel effect device
управляющее устройство, контрольный прибор — control device
адресуемое устройство; адресуемый прибор — addressed device
См. также в других словарях:
микросхема на комплементарных МОП-транзисторах — integrinis grandynas su jungtiniais MOP tranzistoriais statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. CMOS integrated circuit; complementary MOS integrated circuit vok. integrierte Schaltung mit komplementären MOS Transistoren, f rus.… … Radioelektronikos terminų žodynas
логический элемент на МОП-транзисторах — loginis MOP tranzistorių elementas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. MOSFET gate vok. logisches MOSFET Gatter, n rus. логический элемент на МОП транзисторах, m pranc. porte à transistor MOS à effet de champ, f … Automatikos terminų žodynas
прибор на биполярных и МОП-транзисторах — įtaisas su dvipoliais ir MOP tranzistoriais statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar MOS device vok. Bipolar und MOS Transistor Baustein, m rus. прибор на биполярных и МОП транзисторах, m pranc. dispositif à transistors MOS… … Radioelektronikos terminų žodynas
прибор на МОП-транзисторах с V-образными затворами — MOP įtaisas su V užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. V gate MOS device vok. V Gatter MOS Bauelement, n rus. прибор на МОП транзисторах с V образными затворами, m pranc. dispositif à transistors MOS avec grilles en V, m … Radioelektronikos terminų žodynas
логическая схема на МОП-транзисторах — loginis grandynas su MOP tranzistoriais statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. MOS logic; MOS transistor logic vok. MOS Transistorlogik, f rus. логическая схема на МОП транзисторах, f pranc. logique MOS, f; logique MOS… … Radioelektronikos terminų žodynas
схема на МОП-транзисторах — grandinė su MOP tranzistoriais statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. MOS transistor circuit vok. MOS Schaltkreis, m; MOS Transistor Schaltkreis, m rus. схема на МОП транзисторах, f pranc. circuit à transistors MOS, m … Radioelektronikos terminų žodynas
микросхема на МОП-транзисторах с плавающими затворами — integrinis MOP grandynas su plūdriosiomis užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. floating gate MOS integrated circuit vok. integrierter MOS Schaltkreis mit schwebendem Gate, m rus. микросхема на МОП транзисторах с… … Radioelektronikos terminų žodynas
высококачественная микросхема на МОП транзисторах — kokybiškasis integrinis MOP grandynas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high performance MOS integrated circuit vok. integrierte Hochleistungs MOS Schaltung, f rus. высококачественная микросхема на МОП транзисторах, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
динамическая интегральная схема на комплементарных МОП-транзисторах — dinaminis integrinis grandynas su jungtiniais MOP tranzistoriais statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. dynamic complementary MOS integrated circuit vok. integrierte dynamische komplementäre MOS Schaltung, f rus. динамическая… … Radioelektronikos terminų žodynas
МОП-транзистор — MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) МОП транзистор (MOSFET) Полевой транзистор со структурой металл оксид полупроводник. Современная цифровая техника построена, в основном, на полевых МОП транзисторах (МОПТ) как более… … Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии. - М.
МОП Структура — (МОП Металл Оксид полупроводник) наиболее широко используемый тип полевых транзисторов. Название МОП является традиционным названием такой структуры. Структура состоит из металла и полупроводника, разделённых слоем оксида SiO2. В общем случае… … Википедия